小摩最新預判：NAND周期更長更穩，eSSD成AI時代新主角

在全球資本市場緊盯 GPU 和高頻寬儲存器（HBM）的同時，NAND 快快閃記憶體儲器正悄然崛起，成為 AI 時代不可或缺的基礎設施資產。

摩根大通（JPM-US，簡稱小摩）亞太區科技團隊在近期發佈的研究報告《半導體：NAND——更長、更強的上升周期》中指出，NAND 已進入由 AI 推理全面驅動的全新超級周期，其影響力可能超過以往任何一輪由消費電子推動的周期。

過去 20多年，NAND 市場一直受供需波動影響。技術進步降低了成本，但廠商擴產又容易導致價格崩盤。

小摩分析顯示，NAND 市場年均潛在成長率過去多在 7%～12% 之間，但預計 2025～2027年，這一數字將躍升至 34%，呈現前所未有的“斷層式”增長。

更重要的是，這次增長不是單純靠出貨量堆積，而是“量價齊升”。小摩預計，今年 NAND 混合均價將上漲 40%，到2027 年價格仍能維持高位，僅小幅回落 2%。

為什麼AI 推理能成為 NAND 的轉折點？關鍵在於推理階段的特殊需求：

• 訓練階段強調算力和頻寬，HBM 無可替代；
• 推理階段需要即時處理使用者指令，高速調取模型參數，延遲和上下文處理能力至關重要。

隨著模型上下文擴展，GPU 內建 HBM 容量已捉襟見肘，行業開始引入 KV Cache Offloading 技術，把部分中間資料解除安裝到外部儲存。

這讓企業級SSD（eSSD）從傳統“資料倉儲”升級為 AI 架構中的“二級儲存”，需求迅速增長。2024 年 eSSD 出貨量同比下降86%，刷新自 2012 年以來的紀錄。

未來，AI伺服器單機儲存容量預計將超過 70TB，是普通伺服器的兩倍以上。到明年，eSSD 有望佔全球 NAND 需求總量的 48%，超過智慧型手機的 30% 和PC 的 22%，成為第一大應用場景。

同時，HDD供應緊張也助推 NAND 上位。Seagate 和 Western Digital 因前幾年市場低迷大幅削減資本支出，導致大容量 HDD 交貨周期延長至兩年以上。

面對“有貨優先於低價”的 AI 資料中心規則，客戶紛紛轉向 NAND，尤其青睞性價比提升的 QLC（四層單元 NAND）。雖然SSD 單位成本仍是 HDD 的 6～8 倍，但在能效和空間利用上優勢明顯，適合高密度 AI 資料中心。

目前，SSD在“業務關鍵型”儲存領域滲透率僅 19%，還有很大提升空間。小摩估算，SSD 滲透率每提升 1%，即可為NAND 市場帶來約 20 億美元新增收入。

值得注意的是，面對強勁需求和價格上漲，NAND 廠商並未盲目擴產。

未來三年，產業資本支出佔銷售額比例將降至 15%～16%，遠低於過去十年的30%～50%，2018 年甚至高達 68%。

原因在於技術瓶頸：NAND 堆疊層數已突破 300～400 層，刻蝕製程和晶圓應力控制難度極大，混合鍵合技術雖能緩解，但裝置昂貴且良率受限。

市場預計，今年全球 NAND 晶圓產量僅增長 3%，而位元需求增速高達 21%，供需缺口將貫穿全年，支撐價格持續上行。

原廠動作方面：

• 鎧俠（Kioxia）：CBA 架構優勢明顯，BiCS 8 技術量產推動伺服器業務營收從 2023 年的 20% 提升至2027 年的 61%。
• SK 海力士（SK Hynix）：憑藉 Solidigm 在 QLC 和 eSSD 超大容量市場的統治力，以及 HBM 與 QLC 雙線優勢，長期看穩健。三星電子：雖然 QLC 佈局稍慢，但大產能和 V9 QLC 加速量產，有望收復失地，股價短期具備補漲潛力。美光（Micron）：推出 232 層 TLC 的 6500 ION 系列，以“性能接近 TLC、價格接近 QLC”的策略受益美國本土資料中心建設。

雖然NAND 價格上漲過快，可能推高筆記本等終端 BOM 成本，壓縮品牌商利潤，消費者換機節奏或延緩。

但小摩認為，這次由 AI 推理驅動的需求革命與供給剛性深度交織，構成真正的“超級周期”。NAND 已不再是 DRAM 的陪襯，而是 AI 體系中高速“熱資料”管理的基石。 (半導體脈)