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高盛：全球記憶體供需及物料清單成本分析
記憶體市場史上最大短缺將至！2026年DRAM/NAND供不應求空前嚴重，HBM持續吃緊。
高盛在最新發佈的報告中，對記憶體行業前景給出了極其樂觀的判斷。核心結論如下：
1.史上最緊周期
預計 2026年 DRAM和NAND將遭遇過去15年來最嚴重的供應短缺。DRAM缺口從之前預測的-3.3%擴大至 -4.9% ；NAND缺口從-2.5%擴大至 -4.2%。
2.強勁驅動切換
伺服器相關需求（尤其是AI伺服器、HBM、企業級SSD）已成為記憶體增長的絕對主力，而PC/智慧型手機需求增長顯著放緩。
3.價格與利潤飆升
在供需極度緊張下，記憶體公司定價能力大幅提升，預計三星/海力士的DRAM營業利潤率在2026年將飆升至70%-80%的歷史高位。
4.HBM市場擴容
上調2026/2027年HBM市場規模預測至540億/754億美元，預計供應短缺將從之前預測的-0.7%/-1.6%擴大至 -5.1%/-4.0%。
5.成本傳導無憂
報告通過BOM分析指出，儘管記憶體成本飆升將擠壓PC/手機廠商利潤，但即便在最悲觀的需求假設下，2026年DRAM行業供需依然保持緊缺。
一、 傳統記憶體（DRAM/NAND）：2026年將遭遇“史上最大短缺”
1. DRAM：三股力量共同推高緊缺度
- 需求端：伺服器獨挑大樑，PC/手機增長乏力
全球DRAM需求增長，伺服器為主要動力
.伺服器
是核心驅動。預計2026年伺服器DRAM（不含HBM）需求將同比增長39%，佔全球DRAM需求的44%。若包含HBM，則伺服器相關需求佔比將高達53%。
.PC和手機
需求增長顯著放緩。因記憶體價格上漲抑制了單機搭載容量增長，預計2026年移動DRAM和PC DRAM需求增速分別僅為7%和5%，遠低於過去幾年的兩位數增長。
- 供給端：產能擴張受限，庫存維持低位
.主要廠商（三星、海力士）受限於潔淨室空間，傳統DRAM晶圓產能增長有限。新建工廠（如三星P5、海力士龍仁廠）在2027年下半年之前難以上量。
.全行業庫存水位健康，某些客戶已開始為2028年的需求爭取供應配額，突顯當前供應鏈緊張程度。
- 結論與預測：在伺服器強需求與供給強約束下，高盛將2026/2027年DRAM行業供應缺口預測分別上調至 -4.9% 和 -2.5%。2026年缺口將是過去15年之最。預計2026年傳統DRAM價格將同比上漲約180%，推動三星/海力士的營業利潤率達到71%和79%的驚人水平。
2. NAND：企業級SSD與AI新架構引爆需求
- 新需求引擎：NVIDIA的ICMSP與KV快取
.ICMSP
是NVIDIA為最佳化AI推理上下文儲存而推出的新平台，實質上在本地儲存和網路儲存之間增加了一個“G3.5層級”，由BlueField DPU驅動。
.這主要為瞭解決KV快取（保存AI對話歷史）規模激增帶來的性能瓶頸。當HBM和DRAM放不下時，資料需要下移到NAND。
.增量需求巨大
僅NVIDIA的Rubin平台，預計在2026/2027年就能分別帶來29EB/79EB的額外NAND需求，相當於高盛對這兩年全球NAND總需求預測的3%/6%。閃迪也預計ICMSP將在2027年帶來75-100EB的額外需求。
- 供需預測：在強勁的企業級SSD（預計2026年增長58%）和新增AI架構需求驅動下，高盛將2026/2027年NAND行業供應缺口預測分別上調至 -4.2% 和 -2.1%。供給端同樣受限於資本開支優先投向DRAM以及技術遷移（而非擴產）的戰略。
- 價格與利潤：預計2026年NAND價格將同比上漲100%-120%，三星/海力士的NAND業務營業利潤率將分別達到40%和44%。
二、 HBM：市場規模上調，競爭格局生變，供應依然緊張
1. 市場更大、增長更快
- 高盛將2026/2027年HBM總市場規模（TAM）預測分別上調8%/9%至540億/754億美元。
- 需求上修主要歸因於ASIC需求超預期（如GoogleTPU、AWS Trainium等）。預計2026年ASIC將佔HBM需求的33%（原為28%）。
2. 競爭加劇，三星奮力追趕
- 海力士
憑藉在NVIDIA供應鏈中的優勢地位，預計2026年HBM市場佔有率將保持在52% 左右，維持領導地位。
- 三星
正積極追趕，已開始向ASIC客戶（特別是Google）大規模供應HBM3E，並在HBM4（包括11.7Gbps版本）認證上取得進展，預計本月開始大規模交付。預計其2026年HBM收入將同比大增157%，市佔率回升至27%。
3. 供需持續吃緊
- 儘管三星和SK海力士都在加快提升HBM產能，但由於需求上調幅度更大，預計2026/2027年HBM行業供應缺口將從之前預測的-0.7%/-1.6%擴大至 -5.1%/-4.0%。
三、 BOM成本分析：記憶體成本佔比飆升，但難改緊缺大勢
記憶體價格暴漲已引發下游PC和智慧型手機廠商的強烈擔憂，戴爾、惠普、聯想、蘋果、三星等均已表示將提價或調整產品配置以應對成本壓力。
高盛通過分析iPhone、三星Galaxy S系列、戴爾XPS系列的BOM成本發現：
- 智慧型手機
到2026年第三季度，記憶體成本佔iPhone BOM的比例可能從2025年同期的10%飆升至23%；三星手機可能從13%升至29%。
- PC
記憶體成本佔戴爾XPS BOM的比例可能從7%升至17%。
iPhone BOM trend & Memory/BOM (%) Estimates
（圖示：iPhone的BOM成本中記憶體佔比趨勢預測）
然而，關鍵結論是：即便在最悲觀的場景下，DRAM供需依然緊張。
高盛模擬了“極度悲觀”情景：智慧型手機/PC出貨量和單機記憶體容量增長均弱於基準預測。結果顯示，2026年DRAM需求年增長率仍能達到21%（基準為25%），行業仍將面臨 -1.7% 的供應缺口（基準為-4.9%）。
這意味著，記憶體成本的上升可能會抑制消費者端的需求，但無法扭轉由伺服器/AI驅動的、強勁且緊迫的需求基本面。
四、 投資建議：重申看好記憶體產業鏈龍頭
基於對記憶體行業持續、深度緊缺的判斷，高盛重申了對以下公司的“買入”評級：
- 記憶體製造商
三星電子、SK海力士、閃迪
- 裝置與材料商
東京電子、愛發科、迪思科
報告認為，這些公司將主要受益於他們預期的記憶體行業供需趨緊。 (數之湧現)