記憶體市場史上最大短缺將至!2026年DRAM/NAND供不應求空前嚴重,HBM持續吃緊。高盛在最新發佈的報告中,對記憶體行業前景給出了極其樂觀的判斷。核心結論如下:1.史上最緊周期預計 2026年 DRAM和NAND將遭遇過去15年來最嚴重的供應短缺。DRAM缺口從之前預測的-3.3%擴大至 -4.9% ;NAND缺口從-2.5%擴大至 -4.2%。2.強勁驅動切換伺服器相關需求(尤其是AI伺服器、HBM、企業級SSD)已成為記憶體增長的絕對主力,而PC/智慧型手機需求增長顯著放緩。3.價格與利潤飆升在供需極度緊張下,記憶體公司定價能力大幅提升,預計三星/海力士的DRAM營業利潤率在2026年將飆升至70%-80%的歷史高位。4.HBM市場擴容上調2026/2027年HBM市場規模預測至540億/754億美元,預計供應短缺將從之前預測的-0.7%/-1.6%擴大至 -5.1%/-4.0%。5.成本傳導無憂報告通過BOM分析指出,儘管記憶體成本飆升將擠壓PC/手機廠商利潤,但即便在最悲觀的需求假設下,2026年DRAM行業供需依然保持緊缺。一、 傳統記憶體(DRAM/NAND):2026年將遭遇“史上最大短缺”1. DRAM:三股力量共同推高緊缺度需求端:伺服器獨挑大樑,PC/手機增長乏力全球DRAM需求增長,伺服器為主要動力.伺服器是核心驅動。預計2026年伺服器DRAM(不含HBM)需求將同比增長39%,佔全球DRAM需求的44%。若包含HBM,則伺服器相關需求佔比將高達53%。.PC和手機需求增長顯著放緩。因記憶體價格上漲抑制了單機搭載容量增長,預計2026年移動DRAM和PC DRAM需求增速分別僅為7%和5%,遠低於過去幾年的兩位數增長。供給端:產能擴張受限,庫存維持低位.主要廠商(三星、海力士)受限於潔淨室空間,傳統DRAM晶圓產能增長有限。新建工廠(如三星P5、海力士龍仁廠)在2027年下半年之前難以上量。.全行業庫存水位健康,某些客戶已開始為2028年的需求爭取供應配額,突顯當前供應鏈緊張程度。結論與預測:在伺服器強需求與供給強約束下,高盛將2026/2027年DRAM行業供應缺口預測分別上調至 -4.9% 和 -2.5%。2026年缺口將是過去15年之最。預計2026年傳統DRAM價格將同比上漲約180%,推動三星/海力士的營業利潤率達到71%和79%的驚人水平。2. NAND:企業級SSD與AI新架構引爆需求新需求引擎:NVIDIA的ICMSP與KV快取.ICMSP是NVIDIA為最佳化AI推理上下文儲存而推出的新平台,實質上在本地儲存和網路儲存之間增加了一個“G3.5層級”,由BlueField DPU驅動。.這主要為瞭解決KV快取(保存AI對話歷史)規模激增帶來的性能瓶頸。當HBM和DRAM放不下時,資料需要下移到NAND。.增量需求巨大僅NVIDIA的Rubin平台,預計在2026/2027年就能分別帶來29EB/79EB的額外NAND需求,相當於高盛對這兩年全球NAND總需求預測的3%/6%。閃迪也預計ICMSP將在2027年帶來75-100EB的額外需求。供需預測:在強勁的企業級SSD(預計2026年增長58%)和新增AI架構需求驅動下,高盛將2026/2027年NAND行業供應缺口預測分別上調至 -4.2% 和 -2.1%。供給端同樣受限於資本開支優先投向DRAM以及技術遷移(而非擴產)的戰略。價格與利潤:預計2026年NAND價格將同比上漲100%-120%,三星/海力士的NAND業務營業利潤率將分別達到40%和44%。二、 HBM:市場規模上調,競爭格局生變,供應依然緊張1. 市場更大、增長更快高盛將2026/2027年HBM總市場規模(TAM)預測分別上調8%/9%至540億/754億美元。需求上修主要歸因於ASIC需求超預期(如GoogleTPU、AWS Trainium等)。預計2026年ASIC將佔HBM需求的33%(原為28%)。2. 競爭加劇,三星奮力追趕海力士憑藉在NVIDIA供應鏈中的優勢地位,預計2026年HBM市場佔有率將保持在52% 左右,維持領導地位。三星正積極追趕,已開始向ASIC客戶(特別是Google)大規模供應HBM3E,並在HBM4(包括11.7Gbps版本)認證上取得進展,預計本月開始大規模交付。預計其2026年HBM收入將同比大增157%,市佔率回升至27%。3. 供需持續吃緊儘管三星和SK海力士都在加快提升HBM產能,但由於需求上調幅度更大,預計2026/2027年HBM行業供應缺口將從之前預測的-0.7%/-1.6%擴大至 -5.1%/-4.0%。三、 BOM成本分析:記憶體成本佔比飆升,但難改緊缺大勢記憶體價格暴漲已引發下游PC和智慧型手機廠商的強烈擔憂,戴爾、惠普、聯想、蘋果、三星等均已表示將提價或調整產品配置以應對成本壓力。高盛通過分析iPhone、三星Galaxy S系列、戴爾XPS系列的BOM成本發現:智慧型手機到2026年第三季度,記憶體成本佔iPhone BOM的比例可能從2025年同期的10%飆升至23%;三星手機可能從13%升至29%。PC記憶體成本佔戴爾XPS BOM的比例可能從7%升至17%。iPhone BOM trend & Memory/BOM (%) Estimates(圖示:iPhone的BOM成本中記憶體佔比趨勢預測)然而,關鍵結論是:即便在最悲觀的場景下,DRAM供需依然緊張。高盛模擬了“極度悲觀”情景:智慧型手機/PC出貨量和單機記憶體容量增長均弱於基準預測。結果顯示,2026年DRAM需求年增長率仍能達到21%(基準為25%),行業仍將面臨 -1.7% 的供應缺口(基準為-4.9%)。這意味著,記憶體成本的上升可能會抑制消費者端的需求,但無法扭轉由伺服器/AI驅動的、強勁且緊迫的需求基本面。四、 投資建議:重申看好記憶體產業鏈龍頭基於對記憶體行業持續、深度緊缺的判斷,高盛重申了對以下公司的“買入”評級:記憶體製造商三星電子、SK海力士、閃迪裝置與材料商東京電子、愛發科、迪思科報告認為,這些公司將主要受益於他們預期的記憶體行業供需趨緊。 (數之湧現)