美光印度封測廠，正式投產

2026年薩南德工廠將完成數千萬顆晶片的封裝測試，2027年產能將提升至數億顆。

美光宣佈其位於印度古吉拉特邦薩南德的半導體封裝測試工廠正式開業。這座先進工廠將把美光全球製造網路生產的高端DRAM與NAND晶圓，加工成成品儲存產品。

薩南德工廠一期項目全面投產後，潔淨室面積將超過50萬平方英呎，成為全球面積最大的單層封裝測試潔淨室之一。該工廠將服務全球客戶，以滿足由人工智慧驅動、持續增長的全球儲存產品需求。該工廠由美光與印度政府合作夥伴共同投資約27.5億美元建設，旨在提升印度的半導體製造能力。

美光科技總裁兼首席執行長桑傑・梅赫羅特拉表示：“對美光和印度蓬勃發展的半導體產業而言，這都是一個值得自豪的時刻。這座具有開創意義的工廠是印度境內首座同類封裝測試基地，有助於建構支撐全球人工智慧經濟的韌性產業生態。我們衷心感謝印度中央政府、古吉拉特邦政府及所有合作方的堅定支援，讓這一成果得以實現。”

薩南德工廠已獲得 ISO 9001:2015 認證，並已啟動商業化生產。為慶祝工廠正式開業，美光將首批印度本土製造的記憶體模組交付給戴爾科技，用於其面向印度市場生產的筆記型電腦。美光預計，2026年薩南德工廠將完成數千萬顆晶片的封裝測試，2027年產能將提升至數億顆。此次在印度擴充傳統封裝測試業務，與美光計畫在美國發展的先進製造與封裝能力形成互補，進一步強化了公司的全球封裝測試網路。

印度電子和資訊技術部部長阿什維尼・瓦什瑙表示：“美光薩南德半導體工廠的落成，標誌著印度正式開啟本土商用半導體晶片生產，這是一個歷史性里程碑。”他表示，這是朝著建構可信、韌性、自主的半導體生態系統邁出的決定性一步。印度正從晶片消費國，轉型為全球半導體製造與創新中心。

此外，美光正為印度培養下一代半導體人才，以支撐其在印業務營運。通過與PDEU、Namtech、印度國內頂尖高校及政府技能發展項目合作，美光支援STEM教育、專業技能培訓、先進製造業人才儲備，並推動社區項目，包括面向當地的數字與人工智慧素養教育。

如今正處於儲存超級周期，2026年第一季AI與資料中心需求持續加劇全球儲存器供需失衡，原廠議價能力有增無減，TrendForce據此全面上修第一季DRAM、NAND Flash各產品價格季成長幅度，預估整體Conventional DRAM合約價將從一月初公佈的季增55-60%，改為上漲90-95%，NAND Flash合約價則從季增33-38%上調至55-60%，並且不排除仍有進一步上修空間。

美光此前在財報會議上透露，2026年（日歷年）全年高頻寬記憶體（HBM）的供應量已就價格和數量與客戶達成協議，全部售罄；並且，公司還預計HBM總潛在市場（TAM）將在2028年將達到1000億美元（2025年為350億美元），較此前指引提前兩年。

而在供應方面，美光管理層表示，“中期來看，我們僅能滿足部分關鍵客戶約50%至三分之二的需求。”在這種背景下，我們看到進入2026年，美光在產能擴張方面有多個動作。

今年1月，美光宣佈與力積電簽署獨家合作意向書，將以18億美元收購力積電位於台灣苗栗縣銅鑼鄉的晶圓廠（不含生產相關機器裝置），其中包含了一座面積達30萬平方英呎的300mm晶圓潔淨室，同時雙方將建立長期的DRAM先進封裝代工關係，美光將協助力積電在新竹P3工廠進一步提升現有DRAM工藝技術。這次交易有利於美光提升先進製程DRAM產能，並提升力積電的成熟製程DRAM供應，預計能提升2027年全球DRAM供應量。

同月，美光位於新加坡現有NAND快閃記憶體製造園區內的先進晶圓製造廠正式破土動工，計畫未來十年投資約240億美元（約合人民幣1,670億元），預計2028年下半年投產。據悉，該工廠將成為新加坡首座雙層晶圓製造工廠，建成後將提供約70萬平方英呎的無塵室空間，將有助於美光滿足由人工智慧和資料驅動應用迅速擴張所帶動的對NAND快閃記憶體不斷增長的市場需求。

美光在美國紐約州奧農達加縣投資1000億美元的先進儲存晶片製造綜合體，也在今年正式動工。該項目規劃最多建設四座晶圓廠，將成為美國規模最大的半導體製造基地，預計2030年開始投產，並在2030年代逐步提升產能。根據此前規劃，美光將在美國投資2000億美元進行整體擴張，其中包括在愛達荷州新建兩座先進高產能晶圓廠、對弗吉尼亞州現有晶圓廠進行擴建與現代化改造、佈局先進高頻寬記憶體（HBM）封裝能力，以及開展研發工作。美光的目標是實現40%動態隨機存取儲存器（DRAM）在美國本土生產。

此外，美光之前還宣佈將在日本廣島投資96億美元建設一座專門生產HBM晶片的新工廠。該工廠將設於美光現有的廣島廠區內，預計於2026年5月動工，並於2028年左右開始出貨HBM晶片。 (半導體產業縱橫)