英特爾的 18A 工藝技術已成為業內最受關注的半導體製造節點之一。它代表了英特爾推出的兩項重大創新:帶狀場效應電晶體 (RibbonFET) 的環柵 (GAA) 電晶體和 PowerVia 背面供電 (BSPD) 技術。這些技術旨在提升電晶體性能、能效和晶片整體密度,同時幫助英特爾重奪工藝領先地位。然而,英特爾的路線圖並未止步於 18A。該公司還推出了 Intel 18A-P,這是 18A 平台的增強版本,在性能、功耗、散熱和設計靈活性方面均有顯著提升。
乍看之下,Intel 18A-P 似乎只是 Intel 18A 的一個小版本改進。但實際上,它是一項具有戰略意義的工藝改進,使 Intel 及其代工廠客戶無需等待下一個主要製程節點 Intel 14A,即可獲得更佳的產品性能。正如台積電開發了 N5P 和 N3P 等工藝技術的最佳化版本一樣,Intel 18AP 在保持與現有設計相容性的同時,從 18A 技術平台中挖掘了更多價值。
英特爾 18A 和 18A-P 都採用了 RibbonFET 電晶體和 PowerVia 背面供電技術。RibbonFET 以堆疊的奈米片取代了傳統的 FinFET 結構,從而改善了電晶體溝道的靜電控制。PowerVia 將電源布線移至晶圓背面,減少了訊號布線層的擁塞,提高了整體性能。這些創新是兩個節點共有的基礎技術。
主要區別在於,Intel 18A-P 融合了多項最佳化技術,從而提升了功耗、性能和散熱性能。Intel 表示,與標準 18A 相比,18A-P 在相同功耗下可提供約 9% 的性能提升,或在相同性能水平下降低約 18% 的功耗。這些改進意義重大,尤其是在那些對能效和每瓦性能要求極高的市場中。