據Wccftech報導，全球動態隨機存取儲存器（DRAM）市場近期呈現供應緊張、價格持續上漲的運行態勢。受產能擴張受限、人工智慧產業帶動高頻寬記憶體（HBM）需求激增等多重因素影響，業內預計記憶體晶片短缺局面將持續至 2027 年前後，市場供需關係有望在 2028 年逐步恢復平衡。
當前，全球 DRAM 市場高度集中，三星電子、SK 海力士、美光科技三大廠商佔據約 90% 的市場份額，同時也是全球具備 HBM 規模化生產能力的核心企業。受晶圓供應不足、建廠周期較長、先進產能良率提升緩慢等因素制約，三大廠商擴產步伐相對平緩，現有產能擴張計畫僅能覆蓋市場約六成需求。相關測算顯示，若要有效緩解市場短缺，行業需在 2027 年前實現年均 12% 的產能增長，而當前行業擴產增速僅為 7.5%，供需缺口持續存在。
從頭部企業產能佈局來看，三星電子韓國平澤園區第四座晶圓廠計畫年內啟用，全面量產時間推遲至 2027 年及以後，且該廠兼顧邏輯晶片生產，一定程度壓縮記憶體產能擴張空間；規劃中的第五座工廠聚焦 HBM 生產，預計 2028 年及以後投產。SK 海力士清州 HBM 工廠已於今年 2 月投產，成為今年唯一能貢獻新增供應的項目，龍仁新廠建設提速，計畫 2027 年 2 月完工。美光計畫 2027 年在美國愛達荷州、新加坡啟動 HBM 生產，日本廣島新廠瞄準 2028 年量產，此前收購的工廠產品預計 2027 年下半年面市。業內人士指出，受短期擴產難度限制，AI 專用記憶體供應緊張狀況可能延續至 2030 年。
市場需求與成本端同樣承壓。人工智慧產業快速發展推動 HBM 需求持續攀升，三大廠商紛紛將核心資源向 AI 記憶體傾斜，暫緩通用記憶體擴產處理程序，導致 2025 年秋季起通用記憶體供應趨緊加劇，今年第一季度記憶體價格環比漲幅預計約 90%。與此同時，中東局勢動盪推高電力、原材料成本，進一步加劇行業供給不確定性。
供應緊張已逐步向下游終端產業傳導。目前，全球 80% 至 90% 的記憶體晶片應用於個人電腦、智慧型手機和伺服器領域，其餘用於汽車及工業裝置。記憶體價格大幅上漲，使得低端智慧型手機記憶體成本佔比從當前約 20%，預計今年年中升至近 40%，嚴重擠壓終端企業利潤空間，手機廠商或下調產量，汽車零部件企業也面臨記憶體供應不足的發展難題。 (環球Tech)