01 產業鏈全景圖
02 【儲存芯片】兩大概念
02-1、DRAM 概述
DRAM 本質是 CPU、GPU 執行階段的高速臨時儲存空間，屬於斷電就清空資料的儲存類型。它和各類核心計算晶片直接連通，專門承接每秒海量運算產生的中間資料，承擔即時調取、快速讀寫的中轉作用，是晶片算力運轉必備的高速緩衝載體。
DRAM 內部架構劃分成三大核心模組，整體可以比作一套分工明確、運轉高效的專業資料處理車間：
市場規模
行業機構 TrendForce 統計資料顯示，2024 年全球 DRAM 市場規模達到 958.63 億美元，同比大幅增長 84.83%。原本長期低迷的儲存賽道徹底走出低谷，行業行情迎來強勢復甦，整體進入快速上行通道。
據 SemiAnalysis 預測，當前伺服器 DRAM 佔 DRAM 終端市場總量的 40%。未來幾年，伺服器在 DRAM 市場的重要性將持續提升，已被儲存廠商列為優先順序高於其他類別的核心業務。
競爭格局
全球 DRAM 行業呈現高度集中的寡頭壟斷格局。依據行業監測機構資料，2024 年三星、SK 海力士、美光三家企業合計佔據 97.49% 的市場份額，形成穩固的三足鼎立態勢，幾乎掌控了整個行業的供給規模和定價話語權。
全球儲存巨頭正全力衝刺 DRAM 技術升級。
三星率先量產第六代 10nm 級 DRAM，同時送出 HBM4 樣品，敲定 2026 年正式量產，穩居行業技術領跑位置；美光推出首款 1γ 工藝記憶體樣品，為旗艦機型的 AI 性能築牢硬體基礎。
國產廠商同樣實現關鍵突破，長鑫儲存多款高速記憶體通過國際權威認證，有力支撐消費電子與伺服器的性能升級；華邦電子自研 16nm DRAM 晶片，精準適配工業及嵌入式裝置場景需求。
發展方向-HBM
AI 快速發展催生海量算力需求，大模型運算負荷大幅飆升。傳統資料傳輸頻寬，再加上佔用 GPU 超六成面積的內建快取，已經嚴重限制了 GPU 性能發揮。
HBM 依託 3D 堆疊和矽通孔工藝打造高端記憶體，具備高頻寬、低延遲的特質，有效降低資料傳輸損耗，打破了晶片算力的發展瓶頸。
HBM 是儲存行業高增長賽道，2024 年市場規模 56.1 億美元，預計 2034 年增至 570.9 億美元，十年年均增速達 26.1%。
這項技術壁壘極高，僅有三星、SK 海力士、美光實現穩定量產。其中 SK 海力士領跑行業，搶先落地 HBM3E 並研發下一代產品，2025 年二季度市佔率 62%，美光、三星分別為 21%、17%。
2023-2024 年，海力士等儲存廠商持續縮減傳統儲存晶片產能，減產主要針對低利潤、高庫存的產品，將持續至庫存與價格回升至盈利水平。
行業同時將產能重心向 HBM、DDR5 等高端產品轉移，傳統儲存晶片產量將持續下降，整體產能提升受限。
HBM 等高端產品對晶圓的消耗遠高於傳統產品，受複雜工藝和更大裸片尺寸影響，生產 1 顆 HBM 晶片，約需消耗 3 顆同容量標準 DRAM 的晶圓產能。
據 SemiAnalysis 預測，到 2027 年底，僅 HBM 的需求就將佔 DRAM 總需求的 10% 以上。
SK 海力士判斷，2024 年行業整體庫存將平穩下滑，年底降至低位：DRAM 庫存預計上半年回歸正常水平，NAND 庫存則在下半年回歸正常。由於 2024 年產能提升集中在高端產品，客戶對傳統儲存晶片的需求近期開始回升，正在補充中低端產品庫存。
02-2、儲存：NAND Flash
NAND Flash 屬於斷電也能留存資料的永久性儲存器，靠電荷儲存實現資料讀寫。和 DRAM 這類僅做臨時資料記錄的晶片不同，它兼具大容量、低成本的天然優勢，是長久儲存資料的核心載體。
全球 NAND Flash 行業近兩年快速擴張，2023 年市場規模 387.3 億美元，2024 年增至 656.4 億美元。2024 年行業格局高度集中，頭部五家企業壟斷主流市場，其中三星以 35.7% 份額穩居第一，SK 集團、鎧俠、美光、閃迪瓜分其餘主要份額。
全球儲存企業都在加速技術迭代，海外大廠持續突破堆疊層數與晶片容量，新品性能和能效實現跨越式升級。長江儲存、江波龍、佰維儲存等國內企業，則從底層架構和細分應用場景切入，穩步推進國產快閃記憶體產業突破。
02-3、價格波動
受產能向高端產品傾斜的影響，DRAM 合約價在 2025 年第三季度同比暴漲 172%，部分標準 DRAM 和 NAND 現貨價格，2025 年 9 月至 2026 年 2 月累計漲幅甚至超過 300%。
TrendForce 大幅上調了 2026 年一季度傳統 DRAM 合約價漲幅預測，從原先的 55-60% 修正為 90-95%。背後的核心原因是 AI 與資料中心需求持續升溫，加劇了全球儲存供需失衡，原廠議價能力顯著增強。
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03 國際龍頭公司-最新進展（重點）
03-1、三星--最新進展
作為儲存晶片的龍頭廠商，三星正大幅加碼 DRAM 產能，計畫到 2026 年底，將 1c DRAM 月產能擴至 20 萬片晶圓，新增產能佔當前月產能（65-70 萬片）的近三分之一，規模遠超 2022 年的擴產水平。
擴產將通過現有產線工藝升級，加上平澤 P4 工廠的新投資實現。P4 是本次擴產的核心載體，將大規模生產 10nm 級 1c DRAM 和 HBM4，部分原用於 NAND 的產線也將轉產 DRAM，工廠產能爬坡進度已提前，對產量的實質貢獻預計 2027 年上半年落地。
三星的中長期產能佈局，核心是平澤 P5 工廠，總投資超 60 兆韓元，設計月產能 30 萬片晶圓，2028 年投產後將成為下一代 HBM 與 1c DRAM 的核心生產基地，規模遠超現有工廠。
同時，三星正通過工藝升級 “提效擴產”：其 1c DRAM 工藝相比舊節點，單晶圓的位元輸出量提升約 70%，在不新增產能的前提下，大幅拉高儲存供應量。
此外，三星計畫在龍仁半導體叢集投資 360 兆韓元，到 2031 年建成 6 座晶圓廠，加上平澤工廠的擴建，最終將擁有 12 座晶圓廠投入營運。
03-2、SK 海力士
SK 海力士是全球頂尖半導體儲存供應商，核心產品覆蓋 DRAM、NAND Flash、HBM 等品類。
SK 海力士 2023 年第四季度實現營收 11.31 兆韓元，環比增長 25%、同比提升 47%；營業利潤 0.35 兆韓元，成功扭虧為盈，而上一季度與上年同期分別虧損 1.79 兆、1.91 兆韓元。
最新進展（重點）
SK海力士正將全部資源壓向兩條主線：先進製程DRAM和HBM，其技術壁壘高，利潤也厚。
它的核心陣地是龍仁巨型工廠叢集。這座“超級工廠”的潔淨室面積比三星平澤P5工廠還大30%。完全投產後，每月能處理約40萬片晶圓，相當於一條生產線頂別人兩條。整個叢集分四座巨型晶圓廠，遠期總投資預估約600兆韓元（約4080億美元）。
產能目標一路上調。2025年初，海力士計畫到2027年初每月生產9萬片1cDRAM晶圓；同年8月上調至12.2萬片；10月再調至15萬片。最新目標：2027年初衝到17-20萬片，兩年多翻一倍以上。
投產節奏也在提速。龍仁Y1工廠第1階段潔淨室從原定的2027年5月提前至2月開啟，第2階段同樣提前至2027年投產，原計畫為2028年；第3階段也從2029年提前到2028年。同時，公司近期將龍仁叢集的潔淨室面積較原計畫擴大了50%，投資額相應增加。
裝置端同樣重註：2026年3月，海力士宣佈向艾斯摩爾採購80億美元（近30台）EUV光刻機，兩年內交付。這些裝置主要用於1c奈米及後續1d奈米DRAM量產，為HBM4E鋪路。此外，清州M15X工廠第二潔淨室已於2026年3月提前兩個月投產，全力支援HBM產能。
簡單說，海力士正在打一場算好的仗：把最先進的製程、最大的產能、最貴的裝置，全部賭在高性能記憶體這條賽道上。邏輯很直白：AI時代，算力永缺，記憶體永遠不會過剩。
04 【儲存晶片】核心龍頭
(飛跑的鹿)