5月25日行業最新消息，三星電子完成全球首款900層V級NAND快閃記憶體原型晶片研發。
這次技術突破，直接改寫全球3D NAND快閃記憶體堆疊賽道的競爭格局。
三星本次採用單元多重鍵合CMB工藝，將兩片450層晶圓鍵合整合，成型900層完整整合系統。
3D NAND快閃記憶體可以類比高層樓宇，堆疊層數越高，單顆晶片儲存容量越大。
更高的堆疊密度可以壓縮晶片體積，同時降低單位儲存功耗，適配AI算力硬體剛需。
AI伺服器、資料中心SSD、高端智慧型手機，都依賴高密度NAND快閃記憶體支撐整機性能。
現階段全球量產市場中，SK海力士321層4D NAND為市面層數最高的在售產品。
三星並未跟進300層左右的中端堆疊方案，直接雙線佈局400層量產晶片與900層前沿原型。
三星官方已經完成原型晶片全項測試，單元儲存電路可以穩定正常運行。
三星從2013年落地首款商用3D V-NAND開始，長期深耕垂直堆疊儲存工藝。
早期行業通用單層直通堆疊工藝，層數提升後會出現晶圓翹曲、對位偏移等物理缺陷。
晶圓形變與對位誤差，是行業衝擊超高層數NAND無法繞過的工藝難題。
三星自研上卡盤專屬結構，解決超高堆疊帶來的晶圓翹曲核心痛點。
配套自研套刻校正技術，修復晶圓鍵合過程中產生的微小對位偏差。
全新最佳化位線與字線電路架構，同步實現晶片功耗下降與尺寸縮小雙重最佳化。
三星當下商用主力產品為2024年量產的第九代V9 NAND，堆疊層數286層。
第十代V10 NAND直接跨越300層節點，目標量產規格鎖定400層。
原本規劃今年上半年搭建V10產線，下半年正式開啟規模化量產。
終端NAND市場需求疲軟、內部勞資糾紛疊加裝置選型進度滯後，打亂原有投產節奏。
供應鏈業內人士透露，目前V10相關採購訂單依舊沒有正式落地。
400層NAND需要更深孔徑的垂直通道，三星選定低溫蝕刻工藝匹配生產需求。
低溫蝕刻裝置目前處於供應商最終篩選環節，產線落地仍需等待周期。
V10晶片還會首次搭載晶圓對晶圓W2W鍵合工藝，拆分電路與儲存分區分別鍵合。
新增專屬雷射晶圓切割工藝，減少生產異物，同步提升晶片良率與運行穩定性。
三星西安工廠目前已經完成產線切換，全面落地236層V8快閃記憶體規模化生產。
西安廠區今年會進一步迭代工藝，完成從V8到286層V9產線的全面過渡。
國記憶體儲廠商追趕速度持續加快，長江儲存300層等級NAND快閃記憶體即將進入量產階段。
國產儲存廠商同步推進產能擴張與堆疊工藝升級，逐步擠壓韓系廠商市場空間。
長江儲存完成300層工藝落地後，儲存行業大機率會開啟新一輪價格博弈。
三星超前研發900層原型晶片，是提前搭建中長期技術護城河的防禦動作。
業內從業者明確表示，900層NAND不是簡單三倍300層工藝的疊加升級。
雙層晶圓鍵合模式，徹底顛覆行業沿用多年的直通堆疊製造範式。
超前的技術儲備，能夠穩住三星在全球大客戶心中的龍頭地位。
AI產業持續升溫，高容量、低功耗高端NAND快閃記憶體市場需求長期上行。
儲存行業競爭已經告別層數內卷，工藝架構與鍵合技術成為新比拚核心。
韓系廠商守住前沿工藝高地，國內廠商依託成熟量產線搶佔中端市場份額。
未來兩年，儲存行業會形成前沿技術韓企領跑、成熟製程國產突圍的雙格局。
短期三星面臨中端產線迭代滯後的壓力，長期依舊依靠底層工藝守住優勢。
國產儲存追趕之路依舊漫長，但中端市場已經具備正面抗衡韓企的實力。 (1 ic芯網)