繞過3D NAND,華為展示自研全新DoB封裝技術SSD

據Blocks & Files報導,華為於5月20日至21日在巴黎舉行的ID Forum 2026活動上展示了基於自研Die-on-Board(板上裸片封裝,DoB)封裝技術的大容量SSD系列。

其中一款面向AI推理和資料中心的全新SSD提供61.44TB與122.88TB兩種容量,而且華為未來還計畫推出245TB版本。

據此前報導,華為在去年 8 月發佈了三款全新 AI SSD 產品,其中 LC560 就曾承諾推出最大 245TB 的容量。

DoB封裝技術的創新背景

華為使用自主研發的 DoB 封裝技術,將更多 NAND Die 直接封裝在 PCB 電路板上,從而繞開傳統 TSOP 或 BGA 封裝對晶片數量的限制,提供更高的密度和更好的性能。

目前三星等原廠已經推出 400 層以上的 3D NAND 產品,但相關晶片涉及美國技術,所以無法向華為供應最新 NAND 晶片。因此,華為選擇通過封裝層面的創新提升容量密度。

DoB封裝對比傳統封裝的優勢

傳統主流 SSD 供應商(如三星、鎧俠、閃迪、美光等)通常採用多晶片堆疊在 TSOP 或 BGA 封裝內部,然後再銲接到 PCB 上。傳統 TSOP / BGA 封裝受限於封裝體的固定物理尺寸,最多隻能實現 16 層裸片堆疊,而 DoB 技術最高可實現 36 層堆疊,突破了這一物理限制。

相比於 TSOP 或 BGA 封裝,華為的 DoB 方案不僅提升了容量密度,還因省去了若干昂貴的封裝步驟,從而更具成本效益。

展出的產品與容量參數

在 2026 巴黎活動期間,華為展示了多款高容量 SSD 產品,包括已經量產的 61.44TB 和 122.88TB 型號,以及未來規劃中的 245TB 版本。另外,展區中的 OceanDisk 1800 Smart Disk Enclosure 宣傳資料顯示,該 2U 機箱可實現 1.47PB 容量,並標註採用“基於 DoB 堆疊技術的大容量 SSD”。另一台 OceanDisk 1610 展示裝置則標稱可在 2RU 空間內搭載 36 塊 61.44TB SSD,總容量達到 2.2PB。

作為對比,戴爾目前基於鎧俠(Kioxia)245.88TB QLC NVMe SSD 的方案,在 2RU 機箱中可提供約 9.8PB 原始容量。華為 DoB 技術已經在一定程度上縮小了雙方差距。

DoB技術的商用進展

華為在 2024 年發佈的《資料儲存 2030》白皮書以及相關宣傳材料中也重點介紹了 DoB 技術。

華為當時提到,這類 Wafer-Scale 技術需要解決超大晶片的製造、晶片的功能管理和監控、跨晶片連接、晶片散熱、可靠性管理等問題。現在,華為研發團隊經過專項技術攻關後,最終實現了該技術的規模化商用。

目前,該技術已應用於 OceanStor Pacific 9926 全閃分佈式儲存,以及配套的 OceanDisk QLC PCIe Gen4 SSD 產品中,提供 61.44TB 與 122TB 容量版本,但具體 NAND 層數尚未披露。

另外,華為 AI SSD 架構在主控晶片中整合 AI 加速單元,可實現儲存與計算協同,從而降低資料傳輸能耗。採用 36 塊 122.88TB PCIe Gen5 NVMe SSD 的 OceanStor Pacific 9926,在 2RU 機箱中可提供 4.42PB 原始容量,在 2.5:1 壓縮比下有效容量可達到 11PB。 (電子技術應用)