據韓媒報導，三星電子正在其器興工廠新建一座DRAM工廠。該公司計畫在該地塊上建造一座儲存器生產設施，而該地塊原計畫用作研發中心。此舉被解讀為為了滿足全球人工智慧（AI）基礎設施投資熱潮帶來的儲存器需求激增。
據業內人士15日透露，三星電子正推進在其位於京畿道龍仁市的器興工廠建設一座新的儲存器半導體工廠。該工廠預計月產能約為10萬片晶圓。該工廠的規模相當於附近華城工廠的一座廠房，預計投資額將達數兆韓元。
三星電子已成立內部機構負責籌建這家工廠。據報導，預計最早將於第三季度開工建設。三星電子甚至考慮拆除器興工廠的部分建築，以建造DRAM生產線所需的輔助設施。
新建DRAM工廠的選址原為名為“SR5”的大樓。SR5是三星器興工廠的代表性研發中心，也是三星半導體業務的發源地。它由三星電子創始人李秉喆於1987年創立，李秉喆向員工強調“無限探索”的精神。三星電子
管理層認為SR5的設施已無法滿足1奈米超精細工藝和尖端儲存器的研發需求，於去年底至今年年初拆除了該大樓。
拆除後，原址計畫興建兩座新的研發中心大樓。這兩座大樓將作為“研發控制塔”，類似於位於器興工廠附近的華城工廠的DSR塔。該計畫是根據管理層的判斷制定的，即由於負責三星電子半導體業務的裝置解決方案（DS）部門規模擴大，研發人員增加，因此需要新的研發空間。
然而，徹底放棄這項政策並轉向建設記憶體生產線的決定，是受到全球人工智慧基礎設施投資熱潮和記憶體供應短缺的驅動。
近期，全球IT市場為建設大規模人工智慧計算所需的資料中心而展開的競爭異常激烈。因此，作為關鍵元件的記憶體需求激增。特別是，由於DRAM製造商無法滿足高頻寬記憶體（HBM）日益增長的需求，就連智慧型手機和個人電腦中使用的通用記憶體也出現了短缺。
據市場研究公司Counterpoint Research預測，受產品價格飆升的影響，今年全球DRAM市場收入預計將從1500億美元（223兆韓元）飆升至2100億美元（312兆韓元）。
因此，三星電子也面臨著必須最大限度地提高產能以滿足市場需求的局面。一位業內人士表示：“僅今年上半年，三星電子的營業利潤就超過140兆韓元，該公司目前正在尋找機會進行積極的資本投資。”他還補充道：“據分析，三星電子的管理層優先考慮的是應對爆炸式增長的需求，而不是建設研發中心。”
除了在器興工廠新建DRAM工廠外，三星電子還在其以平澤工廠為中心的半導體產能擴張。平澤4號工廠（P4）正在新建一條生產線，該生產線每月可生產10萬片第六代HBM（HBM4）DRAM晶圓。該公司還計畫
在京畿道龍仁市建設一座工廠，該地將成為三星電子的下一代半導體產業叢集，目標是在2029年投入營運。此外，該公司還在全羅南道光州市的半導體產業叢集內建設第二座最先進的半導體工廠，投資額達400兆韓元。 (半導體芯聞)