7月27日，長鑫科技（688825.SH）登陸A股市場，開盤報49.5元/股，總市值超3.3兆元，成為A股市值最高公司。
回顧長鑫科技的發展歷程，這家改寫全球DRAM行業格局的中國企業，技術創新的逆襲起點來自一家倒閉約十七年的德國半導體巨頭——奇夢達（Qimonda ）。
2019年，長鑫科技通過專利授權，獲取了奇夢達總計2.8TB的全套DRAM技術文件。
曾經的奇夢達，是全球第二大DRAM供應商、歐洲記憶體晶片產業的巔峰代表，手握海量的DRAM核心專利，卻在2009年轟然破產。
一家落幕的德國企業，何以在十餘年後，托舉長鑫站在其產業廢墟之上，成長為打破全球記憶體壟斷的關鍵力量？
歐洲記憶體巨頭的隕落
故事要從奇夢達——歐洲昔日最強記憶體巨頭的隕落說起。
2006年，奇夢達從英飛凌（Infineon Technologies）分拆獨立，而英飛凌的前身，正是德國工業巨擘西門子（Siemens）的半導體部門。數次股權與品牌更迭之下，一脈相承的，是一套區別於美、韓競爭對手的DRAM自研路線。
當年全球DRAM技術架構分為兩大陣營，一種是堆疊式技術（Stacking），以三星、SK 海力士、美光等記憶體巨頭為代表；另一種是溝槽式技術（Trench），以奇夢達為代表。所謂堆疊式，顧名思義是“往上堆疊”，而“溝槽式”則是“往下挖”。
但溝槽路線很快觸及物理瓶頸。奇夢達的的研發團隊做出了一個在當時看來前途未卜、如今被全行業驗證極具前瞻性的決定：轉向埋入式字線（Buried Wordline, BWL）加堆疊電容的混合架構。
時至今日，BWL加堆疊電容架構已是全球主流DRAM廠商的核心技術路線。可2008年奇夢達率先推進該技術試產時，三星、SK海力士、美光仍固守原有路線。
奇夢達精準押中行業技術未來，公司卻沒能撐到那一天。
2008年，全球金融海嘯猛烈來襲，DRAM現貨價格暴跌。奇夢達當年上半年淨虧損高達10.58億歐元。到2008年底，公司現金流枯竭，向母公司英飛凌和德國薩克森州政府發出緊急求援。
2009年1月23日，在所有注資請求遭到拒絕後，奇夢達宣佈進入破產保護程序。
至此，歐洲最後一家記憶體大廠也走向了落幕。
奇夢達遺留下來的數以千計的DRAM專利，則開啟了漫長的流轉。
2014年，英飛凌從破產管理人手中回購了奇夢達的所有專利。隨後的2015年6月，英飛凌將超過7000項專利轉售給了加拿大專利營運公司WiLAN的子公司Polaris Innovations，交易價格約為3000萬歐元。
Polaris的商業模式很簡單，向仍在使用這些專利所涵蓋技術的公司收取許可費。隨後，Polaris陸續向多家DRAM廠商發起了許可談判。
2019年，一個意料之外的買家敲響了Polaris的大門。
來者正是長鑫科技。
長鑫科技的“敲門”
長鑫科技成立於2016年。
彼時，全球DRAM市場九成以上的份額被三星、SK海力士、美光三家寡頭瓜分。中國大陸本土量產能力幾乎為零，記憶體晶片長期受制於人，成為半導體產業鏈關鍵 “卡脖子” 環節。
在這個背景下，同年，長鑫記憶體、長江記憶體、福建晉華同步落地，分別攻堅DRAM、NAND Flash 兩大記憶體賽道，補齊國記憶體儲產業短板，2016年也因此被視作中國大陸記憶體器產業元年。
長鑫科技創始人朱一明出身清華物理系，持有紐約州立大學碩士學位，矽谷從業多年後歸國，2005 年創立NOR Flash龍頭兆易創新（603986.SZ），並推動企業2016年登陸A股。
2016年，朱一明做出了一個比創辦兆易創新冒險得多的決定：聯合合肥，落地代號為“506工程”的DRAM製造項目——也就是長鑫科技的前身。
DRAM製造是半導體行業中資本投入最高、技術壁壘最深、行業周期性波動最劇烈的賽道。全球只有三家公司——三星、SK海力士、美光能夠長期穩定盈利，曾經的玩家要麼破產、要麼退出、要麼淪為代工。中國此前在DRAM領域的所有嘗試，均未能取得實質性突破。
長鑫科技，誓要打破這一僵局。
2018 年，朱一明卸下兆易創新總經理重擔，全力掌舵長鑫記憶體，並承諾“項目盈利前不領薪”。
對於白手起家的國產記憶體新勢力而言，破產巨頭奇夢達留存的技術遺產，無疑是雪中送炭的關鍵跳板。
2019年，長鑫科技與Polaris Innovations簽署協議，獲得奇夢達DRAM專利許可，將一千多萬份、約2.8TB的DRAM的技術檔案收歸囊中。
除了技術文件，長鑫科技還同步吸納了奇夢達昔日的技術人才——其中就包括曾在西門子、英飛凌和奇夢達擔任技術與前期開發副總裁24年的Karl-Heinz Kuesters。
有了技術藍圖和人才，資金同樣不可或缺。在長鑫科技發展歷程中，合肥國資在資金環節扮演了重要的角色。
2016年，項目啟動時，合肥計畫總投資1500億元。第一期180億元投資中，合肥國資出資144億元，佔比80%。
此後近十年，長鑫累計虧損約366.5億元。但依託合肥國資持續的資本加持，長鑫科技陸續建成12英吋晶圓記憶體器等多條生產線，實現國內DRAM企業“從0到1”的突破。
迎來歷史性逆襲
長鑫的發展並非一帆風順。
2022年底至2023年，全球DRAM行業墜入深度下行周期，市場供給過剩疊加終端需求疲軟，現貨價格持續暴跌。
對於三星、海力士這樣有數百億美元營收規模的老牌巨頭，周期下行意味著利潤縮水但仍能維持運轉。但對於剛剛開始放量出貨、還遠未收回投資的長鑫來說，這是一場生存危機。
2023年，長鑫科技的財務資料尤其觸目驚心。全年營收僅91億元人民幣，而計提的存貨跌價損失高達115億元，歸母淨利潤虧損168億元。
然而，在三巨頭紛紛減產自保的時候，長鑫科技卻選擇逆勢擴產，降價促銷。
這也為長鑫科技之後搶佔市場份額埋下了伏筆。
2024年，AI大模型的爆發式增長創造了對高頻寬記憶體（HBM）的天量需求。三星、SK海力士、美光的高端產能被輝達、AMD的HBM訂單瘋狂搶佔，三大巨頭紛紛將最先進的製程和最優質的產能向HBM傾斜。 三巨頭轉向HBM後，傳統大宗DRAM的供給出現了前所未有的結構性緊缺。
這就是長鑫科技等待已久的發展窗口。
財務資料最能直觀印證這場逆襲。
2024年，公司營業收入高達242億元，營收開始回暖，歸母淨利潤虧損大幅縮小至71億元。
2025年，公司營收飆升至約618億元，歸母淨利潤19億元，成立以來首次全年盈利。
2026年第一季度，公司業績呈現爆發式增長，營業收入達到508 億元，同比增長719%；歸母淨利潤為248億元，同比增長1688%。
更令人瞠目的是利潤率資料。2026年第一季度，長鑫科技的營業利益率達到70%，同期SK海力士為73%，三星為81%，美光為84%。這意味著，長鑫科技的盈利能力已躋身全球DRAM頭部陣營。
據Omdia統計，按2025年第四季度銷售額計算，長鑫科技的全球DRAM市場份額已增至7.67%，成為中國第一、全球第四的DRAM廠商。
十年間，長鑫科技以德國奇夢達破產遺留的技術根基為起點，扛過2023年行業深度寒冬逆勢佈局，乘著AI產業浪潮完成業績跨越式增長，成為攪動全球記憶體晶片格局的核心破局者。
長鑫科技的故事，既是一家企業從零到一的突圍史詩，是一座城市押注硬科技未來的豪賭史，更是中國攻堅半導體核心產業鏈的時代縮影。
未來，無論資本市場股價如何震盪起伏，長鑫科技都註定在中國半導體史冊中留下濃墨重彩的一筆。(星火Ember)