編者按：
本周四（以下均為台北時間）美股暴力反彈，三大指數齊漲，記憶體全面大爆發，費城半導體指數上漲 8.19%，閃迪飆升 25.99%，美光科技大漲18.36%。
這帶動亞洲股市反彈，韓國綜合指數大漲 17.91%，創韓股歷史最大單日漲幅；SK海力士暴漲29.95%，三星電子暴漲26.8%；港股南方兩倍做多海力士暴漲67.68%。
社長在6月26日就發佈了音訊“社長說熱點75”《行情將修正，市場將回呼》，預測“三季度，記憶體晶片行情會出現比較明顯的回呼”。結果，7月份，全球記憶體晶片股票均大幅度回呼。
社長接著發佈音訊判斷“出現（納指）指數達到10%等級的回撤”。結果，截止7月29日，納斯達克綜合指數本輪最大回撤正好是10%。
社長在7月29日（反彈前一天）發表文章《泡沫的代價》，預測“這輪迴調後會有超跌反彈。機會就在大跌之際，但是，這輪機會並不好把握，反彈將像下跌一樣迅速。”結果，美股突然大反彈，而且反彈速度跟下跌一樣迅猛。如果不是冒險抄底，不易把握這次機會。
不過，本周五，儘管美國三大指數繼續上漲，但記憶體大跳水，美光科技下跌5.9%，閃迪下跌5.09%，SK海力士下跌3.54%。
問題來了，超跌反彈後，記憶體行情怎麼走？確認反彈趨勢？還是暴漲暴跌？風險在那裡？交易邏輯是否變化？這輪超級記憶體周期何時見頂？如何判斷？交易機會在那裡？
核心結論：股票先拐、漲幅已拐、利潤未拐
權益與風險偏好時鐘已在2026年6月轉向；一般型DRAM與NAND的合約價環比漲幅在3Q26驟降，確認價格動量拐點（二階導轉負）。絕對價格和行業利潤仍未見頂，基礎面綜合高點的基準窗口為4Q27-2Q28。
- 融資去槓桿：信用融資餘額由38.6328兆降至32.9950兆韓元，總額回落14.6%；以2025年末27.2865兆為本輪起點，新增融資已清除49.7%，仍殘留50.3%。結論是“過半但未完成”。[1-3]
- 記憶體價格：一般型DRAM合約價環比漲幅由1Q26的90%-95%、2Q26的58%-63%降至3Q26預測的13%-18%；NAND由55%-60%、70%-75%降至10%-15%。價格仍漲，但邊際定價權已明顯減弱，二階導轉負。[13-15]
- 供給分化：2026年NAND仍有4%-5%供給缺口，但2H27供給增速預計超過需求；HBM佔前三大廠DRAM晶圓投入將由2025年末18%升至2027年末30%，繼續擠出一般型DRAM。NAND放量早於DRAM/HBM，DRAM放量早於HBM。[16-19]
- 盈利與資產負債表：SK海力士2Q26營業利益率76%、淨現金69.4兆韓元；美光FY3Q26 GAAP營業利益率80.4%。企業端不是債務危機，風險來自強現金流推動資本開支與未來供給兌現。[10-11]
- 市場含義：短期超賣為反彈提供統計基礎，但創紀錄盈利不再推升股價，說明定價已從“絕對利潤”切換為“預期差、折現率與供給反應”；決定中期走勢不再是槓桿，而是價格拐點和利潤拐點。
- 周期預測：股票價格和風險偏好拐點在2Q26（6月已確認），合約價漲幅拐點在3Q26（二階導轉負已確認）；絕對價格和記憶體利潤拐點的基準窗口為4Q27-2Q28，3Q28起進入下行周期的風險上升。
明確結論
當前交易的核心是去槓桿、超跌反彈後的交易對象切換：從交易稀缺、交易去槓桿到交易周期——按照“股票先拐—漲幅已拐—利潤未拐”的時間線與市場預期交易；超跌反彈後短期高價格、高利潤、高波動與低估值並存；中期受絕對價格拐點和利潤周期拐點壓制。
(智本社)