記憶體漲價還能撐多久?海力士專家把底牌攤了

AI速讀
儲存記憶體市場正迎來關鍵轉折。分析顯示,伺服器端DRAM與NAND漲勢可撐至年底,但消費類手機需求悲觀,2026年預計下修15-20%。原廠雖瘋狂擴產,但受限於EUV光刻機2.5至3年的交貨期,新產能預計2028年下半年才釋放。未來成長點在於CXL與HBF技術,以及增速驚人的車規儲存市場。整體判斷2027年將是原廠與客戶的定價博弈年,而2028年產能大量釋放後,價格回呼將成為必然趨勢。

記憶體漲了整整一年半兒,所有人都在問同一個問題:到底還能漲多久啊?

我們跟海力士專家聊完後的判斷是:伺服器還能漲到年底, 消費類Q4就要熄火。但漲價結束後才是真正考驗--原廠瘋狂擴產,EUV光刻機交貨兩年半到三年,產能可能趕不上原廠的雄心!

伺服器還能漲,手機扛不住了。Q3伺服器DRAM漲15%-20%,NAND漲20%左右。Q4 DRAM漲5%-10%,NAND還能漲10%-15%。但消費類這邊完全是另一番景象--Q4可能漲不動!

手機廠商前期持續拉貨,庫存水位上來了,終端銷量卻往下走。2026全年手機需求同比下修15%-20%,蘋果還行,三星一般, 其他的更慘......

Q2已有廠商因無法接受三星報價大幅砍單。供需天平正在往買方傾斜!

伺服器這邊倒沒這個煩惱。CSP缺貨還沒解決,對漲價沒有強烈牴觸。但如果27年繼續漲,可能影響資本開支。27全年漲幅預計非常有限~

原廠正在瘋狂擴產,但產能要到28下半年才釋放。過去一個月擴產明顯加快,美國長協簽了,需求能見度更高。但新增產能最早28下半年。海力士大連二廠27H2量產,首年每月1-2萬片,爬到一廠(月產9萬片)至少到29年。

更刺激的是,DRAM擴產靠增加晶圓投片量,NAND不需要--堆疊層數從300層升到400層,產出就能顯著增長。NAND供給彈性比DRAM好得多。三星和海力士還在美國建HBM產線,覆蓋全環節,預計28-29年量產。

行業目標是2030年產能比2025年底翻一倍,年化約16%-17%!

28年之後的故事:CXL和HBF。除了AI驅動NAND替代HDD這條主線外,兩個更遠期的新增長點值得關注:

一個是CXL,主要拉動DRAM。它實現記憶體池化--NVLINK72里72個單元共用記憶體,後續甚至跨機房。各家已有樣品,大規模應用預計到28年,等輝達和Google採用後起量。市場對CXL需求還沒計入預期呢!

另一個是HBF,NAND新應用。預計量產27年底,起量等到28年,初期用量不大,類似HBM早期節奏。

另外必須得提一句哈:車規級記憶體需求極好,中國區年同比增長70%-80%。ADAS滲透和座艙容量提升是核心驅動。目前僅佔記憶體需求1-2%,但增速驚人啊,未來手機需求退出後有望填補部分缺口。

定價權還在原廠手裡,但HBM是個異類。伺服器DRAM/NAND走季度定價--季初定臨時價,季末敲定結算價。HBM走年度定價,26年價格基本沒動。HBM3E大客戶價約12-13美元/GB,比DDR5還便宜!

HBM4預計Q3後到貨,單價19美元,屆時也會被DDR5超過。HBM在27年有較大補漲需求!

長協也有新玩法~美國CSP簽三到五年長協,鎖定量、價格每年審議,甚至加入保證金和違約金條款--這在以前可沒有哦!國內大客戶(字節、阿里、騰訊)仍走季度定價。27年缺貨格局下,簽長協的CSP價格不會更低,鎖定供應本身就是保障。

價格回呼窗口預計在28年,產能開始釋放,29年進一步增加。

OK,總結下我們的判斷:27是分水嶺,28才是考驗!記憶體行業正處在一個微妙拐點。伺服器漲價還能撐半年,但消費類已開始鬆動。原廠拚命擴產,但EUV光刻機2.5-3年的交貨周期意味著今天簽的計畫,產能要到28下半年甚至更晚才能兌現。

手機需求下行15%-20%比很多人預期的要悲觀。車規級記憶體增速驚人,但基數太小(1-2%),短期補不了手機缺口。27年將考驗原廠與客戶的博弈--原廠堅持漲價,客戶需求疲軟,看誰先扛不住!

2028年產能釋放、29年進一步增加,價格回呼幾乎必然。但在此之前供給緊張不會根本改變。HBM補漲可能是27年最值得關注的變數--年度定價的滯後效應一旦釋放,彈性會很大的哦! (商業分析家)