SK海力士將投資約54.3兆韓元（約382.82億美元），在韓國龍仁和清州新建兩座晶圓廠，以擴大HBM、下一代DRAM及NAND產能。公司採取「基礎設施先行、設備按需投入」策略，預計2028年底至2029年陸續投產，並表示將根據客戶需求增加產能，以靈活應對AI時代持續增長的記憶體市場需求。
AI浪潮下，記憶體晶片龍頭正進一步加碼產能佈局。SK海力士宣佈，將投資約54.3兆韓元（約382.82億美元），在韓國龍仁和清州新建兩座晶圓廠，擴大DRAM和NAND生產基地，並根據客戶需求逐步增加產能，以滿足人工智慧帶動的HBM及先進記憶體需求增長。
8月7日，據韓聯社報導，公司董事會已批准向龍仁第二座晶圓廠（Y2）投資35.2兆韓元、向清州M17工廠投資19.1兆韓元。SK海力士表示，在AI時代，能夠在客戶需要時及時提供所需產能，本身就是核心競爭力。
按照規劃，兩座工廠均將在2031年前完成投資，首個潔淨室預計最早於2028年底至2029年陸續投產。這意味著SK海力士正提前鎖定未來數年的先進記憶體產能，以鞏固其在HBM及下一代DRAM市場的領先優勢。
龍仁Y2聚焦HBM與下一代DRAM
龍仁Y2是SK海力士龍仁半導體叢集規劃中的第二座晶圓廠，建築面積約34.1萬坪，預計明年7月開工，2029年6月啓用首個潔淨室，主要生產HBM及其他下一代DRAM產品。
本次投資除生產設施外，還涵蓋研發綜合中心、員工配套設施及其他輔助建築建設。與此同時，正在建設中的龍仁一期晶圓廠（Y1）進展順利，首個潔淨室預計將於明年2月投入使用。
值得關注的是，SK海力士已將龍仁半導體叢集四座晶圓廠的整體建設計劃由原定2045年提前至2033年，目前支撐Y2運營的一期電力、供水等基礎設施完工率已達99%。
清州M17進一步完善NAND產能
另一項投資將投向清州M17工廠，總投資19.1兆韓元，計劃明年2月開工，2028年12月開放首個潔淨室。
清州一直是SK海力士NAND閃存生產基地，目前已佈局M11、M12、M15等多座工廠。公司表示，新廠將充分利用當地現有土地、供電、供水等成熟配套及製造體系，加快建設進度，並通過生產協同進一步提升運營效率。
AI需求驅動擴產，但產能投放仍保持節奏
儘管此次投資規模創下新高，SK海力士並未選擇一次性釋放全部產能，而是繼續採取"基礎設施先行、設備按需投入"的策略。
公司計劃先按時間表完成廠房及配套設施建設，潔淨室擴建和生產設備投資則將根據客戶需求和市場變化逐步推進，在確保供應能力的同時控制資本開支效率。
此次決策也是SK海力士今年6月公佈中長期投資戰略的進一步落地。根據規劃，公司未來將向龍仁半導體叢集累計投資約600兆韓元，並向清州生產基地追加約100兆韓元，以支撐AI時代持續增長的全球記憶體晶片需求。 (華爾街見聞)