SK海力士將投資約54.3兆韓元(約382.82億美元),在韓國龍仁和清州新建兩座晶圓廠,以擴大HBM、下一代DRAM及NAND產能。公司採取「基礎設施先行、設備按需投入」策略,預計2028年底至2029年陸續投產,並表示將根據客戶需求增加產能,以靈活應對AI時代持續增長的記憶體市場需求。
AI浪潮下,記憶體晶片龍頭正進一步加碼產能佈局。SK海力士宣佈,將投資約54.3兆韓元(約382.82億美元),在韓國龍仁和清州新建兩座晶圓廠,擴大DRAM和NAND生產基地,並根據客戶需求逐步增加產能,以滿足人工智慧帶動的HBM及先進記憶體需求增長。
8月7日,據韓聯社報導,公司董事會已批准向龍仁第二座晶圓廠(Y2)投資35.2兆韓元、向清州M17工廠投資19.1兆韓元。SK海力士表示,在AI時代,能夠在客戶需要時及時提供所需產能,本身就是核心競爭力。
按照規劃,兩座工廠均將在2031年前完成投資,首個潔淨室預計最早於2028年底至2029年陸續投產。這意味著SK海力士正提前鎖定未來數年的先進記憶體產能,以鞏固其在HBM及下一代DRAM市場的領先優勢。