截至2026年8月17日14:26，上證科創板半導體材料裝置主題指數強勢上漲4.62%，成分股中科飛測（688361.SH）上漲11.69%，艾森股份（688720.SH）上漲8.79%，微導奈米（688147.SH）上漲8.12%，天岳先進（688234.SH），歐萊新材（688530.SH）等個股跟漲。科創半導體ETF華夏（588170）上漲4.51%，半導體裝置ETF華夏（562590）上漲4.19%，科創綜指ETF華夏（589000）上漲3.33%。
消息面上，日前，SK集團會長崔泰源在SK海力士（SKHY.US）韓國總部接受媒體採訪時，用這樣的措辭形容當前的記憶體晶片市場。“價格漲得太快了，對此我真的很抱歉。”崔泰源表示。
SK海力士關於“2027年將迎最嚴重記憶體荒”的警告，實質上確認了AI算力需求對全球記憶體產能的深度擠佔與長周期鎖定。當前半導體產業鏈正處於新一輪量價齊升超級周期的右側，A股相關公司將直接受益於全球記憶體價格飆升與國內自主可控提速的雙重紅利。當前位置建議重點超配記憶體模組、HBM產業鏈配套及半導體裝置環節。
以此為錨點，對A股半導體產業鏈的影響主要體現在以下三個維度：
一、供需缺口持續擴大，通用記憶體與HBM迎來全品類價格飆升。
AI算力需求爆發導致原廠將產能向HBM傾斜，進而大幅擠佔了通用DRAM的供給，全品類漲價趨勢已經確立。高盛在專家紀要中指出，“2027年DRAM供給偏緊格局將延續，價格不會下跌，全年ASP預計上漲20-30%”，同時“行業共識2027年HBM價格漲幅為130-150%”。
TrendForce分析認為，“基於DRAM供不應求市況、新舊世代HBM的高製造難度及高成本，三大原廠將於2027年大幅調高HBM的報價”。這種源自海外原廠的提價動作，將直接改善A股記憶體模組及利基型記憶體設計廠商的盈利模型，相關企業有望在未來1-2年內迎來利潤率的顯著修復與業績高增。
二、海外產能被長協鎖定，國內HBM及先進封裝配套環節加速放量。
在全球產能極度緊缺的背景下，海外大廠的產能已基本被頭部科技巨頭包攬，國內市場面臨巨大的供給真空。
野村東方國際指出，“大型資料中心客戶已通過預付款和LTA鎖定未來五年優先供應權和價格”。這種鎖定導致國內缺口急劇放大，據行業專家測算，“2027年國內HBM需求量預計11.5萬片/月（考慮H等激進指引背景下），僅靠國內產能無法覆蓋缺口”。海外供應鏈的斷層將倒逼國產替代全面提速，A股具備先進封裝（如CoWoS配套）能力的企業，以及HBM核心材料（如前驅體、電子級氫氟酸）和測試裝置的供應商，將迎來確定性的訂單外溢與國產化加速紅利。
三、原廠資本開支大幅上行，半導體裝置及材料端迎來長周期景氣共振。
為應對史無前例的記憶體短缺，全球頭部原廠正開啟新一輪激進的資本開支周期。萬聯證券指出，“為應對AI時代持續增長的記憶體器需求，SK海力士最新宣佈，將在韓國龍仁和清州新建兩座晶圓廠，合計投資規模約54兆韓元（約合380億美元）”。
東吳證券（601555.SH）表示，“看好FAB場資本開支上行受益的半導體裝置類股”。全球晶圓廠擴產潮疊加國記憶體儲基地的持續建設，將為A股半導體裝置（尤其是刻蝕、薄膜沉積、量測等核心環節）及零部件企業提供強勁的訂單支撐。當前市場願意為業績加速的確定性支付溢價，裝置類股有望迎來盈利上行與估值擴張的戴維斯連按兩下。
四、核心標的拆解
中微公司（688012.SH）是國內高端半導體裝置代表企業，產品覆蓋電漿體刻蝕裝置、MOCVD裝置及薄膜沉積裝置。刻蝕是晶圓製造中形成微觀結構的核心工藝，隨著邏輯晶片、記憶體晶片和先進封裝不斷提升工藝複雜度，刻蝕步驟及裝置需求有望相應增加。
拓荊科技（688072.SH）主要從事半導體專用裝置的研發、生產和銷售，產品覆蓋PECVD、ALD、Gap Fill及3D IC裝置，核心業務集中於薄膜沉積和三維整合環節。隨著先進製程對薄膜層數、均勻性和沉積精度提出更高要求，疊加記憶體擴產與先進封裝發展，公司產品的應用空間有望繼續擴大。
富創精密（688409.SH）主要為半導體裝置企業提供工藝零部件、結構零部件、氣體傳輸系統及模組產品，是連接上游精密製造與半導體整機裝置的重要環節。隨著國產裝置廠商產品驗證和出貨規模擴大，對高潔淨、高耐腐蝕及高精度零部件的需求也有望同步增長，公司受益邏輯主要來自裝置放量與核心零部件國產化。
有研矽（688432.SH）是國內重要的半導體矽材料企業，主要從事半導體矽片的研發、生產和銷售，產品包括重摻矽片、輕摻矽片和區熔矽片等，主要應用於積體電路、功率器件等領域。矽片是晶圓製造的基礎襯底材料，隨著國內晶圓廠產能擴張以及半導體材料國產化持續推進，公司產品的市場空間有望進一步打開。
歐萊新材主要從事高性能濺射靶材的研發、生產和銷售，產品包括銅靶、鋁靶、鉬及鉬合金靶、ITO靶等，可應用於半導體顯示、積體電路及封裝、太陽能太陽能等領域。濺射靶材是薄膜沉積環節的關鍵材料，隨著先進封裝、積體電路製造及新型顯示產業發展，對高純度、高性能靶材的需求有望持續增長。
有研新材（600206.SH）業務覆蓋高純金屬靶材、先進稀土材料、特種紅外光學及光電材料、生物醫用材料等多個新材料領域，其中積體電路用高純金屬靶材與半導體製造關聯度較高。公司近期進一步加碼半導體材料業務，擬投資4.86億元建設積體電路用高純濺射靶材二期擴建項目，提升高純銅及銅合金、高純鉭、高純鈦靶材產能，並面向先進製程推進技術突破，隨著國內晶圓製造擴產和高端靶材國產化推進，公司相關業務有望受益。
五、相關ETF
科創半導體ETF華夏（588170）及其聯接基金（A類：024417；C類：024418）：跟蹤指數是科創板唯一的半導體裝置主題指數，其中記憶體晶片含量超70%，長鑫記憶體概念含量55%，先進封裝含量超67%，聚焦於科技創新前沿的硬核裝置公司。
半導體裝置ETF華夏（562590）及其聯接基金（A類：020356；C類：020357）：跟蹤中證半導體材料裝置主題指數，其中半導體裝置的含量在全市場指數中最高（約66%），長鑫記憶體概念含量在全市場指數中最高（61%），直接受益於全球晶片漲價潮對“賣鏟人”（裝置商）的確定性需求。
如果擔心押注單行業波動太大，可以關注科創綜指ETF華夏（589000）一指佈局科創板全景，無需選擇行業/個股，低門檻參與20CM；硬科技含量足，半導體含量53%，寬基中僅次於科創50指數；靈活調倉機制，科創板上市以來日均市值前十個股，上市3個月以後即可納入，有望率先納入長鑫科技（688825.SH）。 (財聞)