01. 前沿導讀
據《觀察者網》指出，韓國《朝鮮日報》爆料稱中國長鑫存儲製造HBM3晶片的良品率只有25%，相當於造出4個晶片其中3個報廢，低於行業平均良率水平。
在說完中國企業之後，韓媒又開始表揚本土企業，稱讚SK海力士早在2022年就實現了HBM3的規模量產，其產品良品率超90%。
話裡話外，無不透露出韓媒抬高自身技術，拉踩中國企業的囂張行為。
02. 技術工藝
登錄《朝鮮日報》官網查詢相關資訊，韓媒發佈了兩篇比較關鍵的“小作文”。
一篇文章表示長鑫存儲的HBM3良率較低，在25%左右，沒有達到半導體產業穩定生產的80%良率門檻。
另一篇文章則表示長鑫存儲量產的LPDDR6記憶體，在製造工藝上落後韓國企業3年左右。三星和SK海力士已經在DRAM記憶體上採用10nm先進工藝製造，而中國企業還停留在16nm節點，雙方存在3年左右的工藝差距。
三星、SK海力士研發記憶體晶片的歷史長達幾十年，三星早在1983年就開始涉足記憶體晶片技術，SK海力士的前身是現代電子，現代電子在1986年通過代工模式引入64K記憶體晶片量產，開始涉足記憶體晶片的技術研發。
1999年，現代電子收購LG半導體，成為全球第二大DRAM記憶體廠商。
2012年，現代電子被SK集團收購，正式更名為SK海力士。
如今三星和SK海力士已經成為了全球記憶體晶片產業的巨頭，兩家公司在快閃記憶體晶片領域的市場份額合計達到了47%，記憶體晶片的市場份額更是達到了65%。
而中國的記憶體晶片企業，長江存儲、長鑫存儲、福建晉華這三家幾乎都創立於2016年，從創立到現在也不過10年時間。
讓中國企業用10年時間去追趕國外巨頭幾十年建立起來的技術優勢和市場地位，這很難，甚至可以說不現實。
長鑫存儲最新量產的LPDDR6、長江存儲開發晶棧架構和232層及以上堆疊的快閃記憶體晶片，這都是實打實的技術成果，也受到了許多中國品牌的訂單支援。
但是在ai產業所需的HBM記憶體、企業級SSD產品上，中國企業的規模並沒有達到韓國企業的水平。
這也是沒辦法的事情，製造HBM3E、HBM4等先進記憶體晶片需要引入EUV光刻機來製造部分的核心關鍵層，EUV光刻機又是美國對中國企業嚴防死守的製造裝置，這極大減緩了中國企業在HBM記憶體領域的發展速度。
不只是中國企業，那怕是SK海力士等韓國企業在中國大陸地區建設的合資工廠，也不被允許獲得EUV光刻機來升級製造工藝。
正在推進的match法案，又將長鑫存儲和長江存儲這倆規模最大的中國記憶體晶片製造商列入全面制裁清單，在封鎖EUV的基礎上繼續封鎖ASML DUV光刻機的對華出口，並且對此前已購裝置進行售後方面的限制。
這種外部限制讓本就處於追趕狀態的中國晶片產業“雪上加霜”，韓媒在這種情況下對中國記憶體企業發文進行點評，唱衰中國記憶體技術，字裡行間透露出對於中國記憶體晶片發展所產生的“緊迫心理”。
03. 緊迫感
HBM晶片並不是簡單的將多個DRAM晶片疊放在一起，為了提升記憶體效率，需要在DRAM上加工出數千個微孔，然後填入銅材料，形成貫穿矽片的垂直電氣連接，這也是所謂的矽通孔（TSV）技術。
韓國企業拿著全球頂級製造裝置發展晶片，這本身就佔據了供應鏈優勢。而中國企業無法獲得最前沿的裝置，只能繼續用此前購買的老裝置或者是採購國產裝置繼續製造產品。
在裝置落後的情況下，長鑫實現了LPDDR6的量產商用、長江存儲基於自主開發的Xtacking架構，實現了232層及以上層數的快閃記憶體堆疊，正在向300層以上的堆疊層數發展。
並且兩家記憶體企業依靠消費級產品所獲取的經濟收入，開始將產品逐步蔓延至ai產業。
據韓媒指出，長鑫存儲雖然在最前沿的技術上落後韓國企業，但是其消費級記憶體技術正在加快追趕。
中國擁有華為、小米、OPPO、VIVO這些手機品牌，對於長鑫存儲來說，國產手機品牌的支援可以為中國記憶體晶片提供市場化以及積累技術經驗的平台，這將決定中國記憶體晶片與國際水平在未來的差距。
有了市場和商業訂單，晶片製造技術才能越來越成熟。那怕是英特爾、三星、SK海力士、台積電這種老牌的晶片製造企業，也不是一上來就實現高水平的良品率，必須依靠上下游供應商提供的製造資料，反覆進行技術偵錯，逐步提升製造穩定性。
韓國產業通商資源部長官金正官在8月份接受採訪時指出，中國半導體在材料、部件、裝備領域都在有條不紊地向前發展。中國科技的發展速度令人寒毛直豎，因此我們應該更加奮發圖強。
美中韓的半導體競爭，其中中國晶片的發展速度遠超韓國想像，對於發展速度的競爭，我感到很緊迫和焦躁。
如今的中國半導體產業，無論是邏輯晶片還是記憶體晶片，又或者是被“卡脖子”嚴重的供應鏈領域，都已經實現了顯著的技術進步。
韓國半導體產業的起步，以及後續發家致富的核心產業就是記憶體晶片，中國記憶體企業在受到限制的背景下還可以通過建構自主供應鏈體系實現技術進步，這不得不讓韓國企業產生危機感。 (逍遙漠)