據《觀察者網》指出，韓國《朝鮮日報》爆料稱中國長鑫存儲製造HBM3晶片的良品率只有25%，相當於造出4個晶片其中3個報廢，低於行業平均良率水平。

在說完中國企業之後，韓媒又開始表揚本土企業，稱讚SK海力士早在2022年就實現了HBM3的規模量產，其產品良品率超90%。

話裡話外，無不透露出韓媒抬高自身技術，拉踩中國企業的囂張行為。

登錄《朝鮮日報》官網查詢相關資訊，韓媒發佈了兩篇比較關鍵的“小作文”。

一篇文章表示長鑫存儲的HBM3良率較低，在25%左右，沒有達到半導體產業穩定生產的80%良率門檻。

另一篇文章則表示長鑫存儲量產的LPDDR6記憶體，在製造工藝上落後韓國企業3年左右。三星和SK海力士已經在DRAM記憶體上採用10nm先進工藝製造，而中國企業還停留在16nm節點，雙方存在3年左右的工藝差距。

三星、SK海力士研發記憶體晶片的歷史長達幾十年，三星早在1983年就開始涉足記憶體晶片技術，SK海力士的前身是現代電子，現代電子在1986年通過代工模式引入64K記憶體晶片量產，開始涉足記憶體晶片的技術研發。

1999年，現代電子收購LG半導體，成為全球第二大DRAM記憶體廠商。

2012年，現代電子被SK集團收購，正式更名為SK海力士。

如今三星和SK海力士已經成為了全球記憶體晶片產業的巨頭，兩家公司在快閃記憶體晶片領域的市場份額合計達到了47%，記憶體晶片的市場份額更是達到了65%。

而中國的記憶體晶片企業，長江存儲、長鑫存儲、福建晉華這三家幾乎都創立於2016年，從創立到現在也不過10年時間。

讓中國企業用10年時間去追趕國外巨頭幾十年建立起來的技術優勢和市場地位，這很難，甚至可以說不現實。

長鑫存儲最新量產的LPDDR6、長江存儲開發晶棧架構和232層及以上堆疊的快閃記憶體晶片，這都是實打實的技術成果，也受到了許多中國品牌的訂單支援。

但是在ai產業所需的HBM記憶體、企業級SSD產品上，中國企業的規模並沒有達到韓國企業的水平。

這也是沒辦法的事情，製造HBM3E、HBM4等先進記憶體晶片需要引入EUV光刻機來製造部分的核心關鍵層，EUV光刻機又是美國對中國企業嚴防死守的製造裝置，這極大減緩了中國企業在HBM記憶體領域的發展速度。

不只是中國企業，那怕是SK海力士等韓國企業在中國大陸地區建設的合資工廠，也不被允許獲得EUV光刻機來升級製造工藝。

正在推進的match法案，又將長鑫存儲和長江存儲這倆規模最大的中國記憶體晶片製造商列入全面制裁清單，在封鎖EUV的基礎上繼續封鎖ASML DUV光刻機的對華出口，並且對此前已購裝置進行售後方面的限制。

這種外部限制讓本就處於追趕狀態的中國晶片產業“雪上加霜”，韓媒在這種情況下對中國記憶體企業發文進行點評，唱衰中國記憶體技術，字裡行間透露出對於中國記憶體晶片發展所產生的“緊迫心理”。

HBM晶片並不是簡單的將多個DRAM晶片疊放在一起，為了提升記憶體效率，需要在DRAM上加工出數千個微孔，然後填入銅材料，形成貫穿矽片的垂直電氣連接，這也是所謂的矽通孔（TSV）技術。

韓國企業拿著全球頂級製造裝置發展晶片，這本身就佔據了供應鏈優勢。而中國企業無法獲得最前沿的裝置，只能繼續用此前購買的老裝置或者是採購國產裝置繼續製造產品。

在裝置落後的情況下，長鑫實現了LPDDR6的量產商用、長江存儲基於自主開發的Xtacking架構，實現了232層及以上層數的快閃記憶體堆疊，正在向300層以上的堆疊層數發展。

並且兩家記憶體企業依靠消費級產品所獲取的經濟收入，開始將產品逐步蔓延至ai產業。

據韓媒指出，長鑫存儲雖然在最前沿的技術上落後韓國企業，但是其消費級記憶體技術正在加快追趕。

中國擁有華為、小米、OPPO、VIVO這些手機品牌，對於長鑫存儲來說，國產手機品牌的支援可以為中國記憶體晶片提供市場化以及積累技術經驗的平台，這將決定中國記憶體晶片與國際水平在未來的差距。

有了市場和商業訂單，晶片製造技術才能越來越成熟。那怕是英特爾、三星、SK海力士、台積電這種老牌的晶片製造企業，也不是一上來就實現高水平的良品率，必須依靠上下游供應商提供的製造資料，反覆進行技術偵錯，逐步提升製造穩定性。

韓國產業通商資源部長官金正官在8月份接受採訪時指出，中國半導體在材料、部件、裝備領域都在有條不紊地向前發展。中國科技的發展速度令人寒毛直豎，因此我們應該更加奮發圖強。

美中韓的半導體競爭，其中中國晶片的發展速度遠超韓國想像，對於發展速度的競爭，我感到很緊迫和焦躁。

如今的中國半導體產業，無論是邏輯晶片還是記憶體晶片，又或者是被“卡脖子”嚴重的供應鏈領域，都已經實現了顯著的技術進步。

韓國半導體產業的起步，以及後續發家致富的核心產業就是記憶體晶片，中國記憶體企業在受到限制的背景下還可以通過建構自主供應鏈體系實現技術進步，這不得不讓韓國企業產生危機感。 (逍遙漠)

國產記憶體的超車時刻：從DDR5到HBM3，長鑫走到哪了

微星前幾天發了個公告，說他們把長鑫顆粒在AMD平台上超到了DDR5-8200，還通過了MemTest百分之百覆蓋率的燒機測試。這事放在兩年前沒人信——那時候國產顆粒能穩定跑上6000就算燒高香了，6800以上基本看臉。

但更值得聊的不是頻率本身，而是整個行業正在發生的一個結構性變化。

三星、SK海力士、美光這三家，現在把七成以上的先進晶圓產能砸向了HBM。原因很簡單，HBM利潤率高，AI伺服器又吃掉了所有能產出來的HBM，根本不愁賣。結果就是，通用DDR5市場出現了供給真空，海外廠商順勢漲價，三季度消費級DDR5據說還要再漲20%。

長鑫就在這個節骨眼上，把DDR5從7600幹到了8200。

7600到8200，表面看是頻率數字漲了，底子是另一回事。

長鑫高端顆粒的良率，已經從不到70%幹到了90%以上。這個數字才是真正的分水嶺。一顆晶片你做得出來但良率只有六成，那只能做低端走量，利潤薄得跟紙一樣。良率一上90%，意味著可以大規模供貨高端模組，商務條款也敢跟客戶聊了——不是"你先試試"，是"要多少我有多少"。

產能增速更直觀。長鑫目前的月產能大約25萬片12吋晶圓，到年底預計擴到35萬片，這個體量已經逼近美光了。而且半年內新增的這8.5萬片，比三星和海力士的擴產增量加起來還多。

擴產的底氣從哪來？去年底長鑫啟動上市輔導，今年7月披露招股書申報稿，擬募資295億，其中130億直接砸向DDR5和LPDDR5X產線擴建，90億用於HBM等前沿技術研發——每一分錢都寫明了去處。保薦陣容是中金加中信建投，審計是普華永道，規格拉滿。

這才是"超車"的真正含義：不是單點性能突破，而是產能、資金、技術三條線同時在跑。從"價格替代"到"性能替代"的質變，就發生在這個階段。

通用DDR5站穩了，下一個問題就來了：HBM怎麼辦？

這三家巨頭把產能往HBM上堆，不是因為他們心善，是因為HBM的利潤確實香。一塊HBM3的毛利能比同面積的通用DDR5高出兩三倍。而且AI大模型對頻寬的需求幾乎是無底洞——HBM已經從第一代堆到了第四代，頻寬從128GB/s幹到了1.5TB/s以上，還在漲。

長鑫的HBM走到哪了？目前HBM2已經小規模量產，HBM3進入客戶驗證階段，封裝走的是MR-MUF路線。這個進度不算慢，但難度客觀存在——HBM對製程一致性、堆疊良率、散熱管理的要求，跟DDR5完全不是一個量級。HBM需要把多層DRAM die垂直堆疊，通過TSV硅通孔互聯，中間任何一層的良率問題都會拉低整顆晶片的良率。

但長鑫沒有選擇。不做HBM，就永遠只能吃三巨頭"剩下來的"通用市場。HBM是AI儲存的核心戰場，不進則退。

這一塊聊的人不多，但可能是長鑫最值得關注的技術動作。

據韓國媒體報導，長鑫已經秘密啟動了一條鍵合DRAM研發生產線。鍵合DRAM的思路很直接：傳統DRAM把儲存陣列和外圍電路做在同一片晶圓上，鍵合DRAM把它們分開做，最後通過晶圓對晶圓的混合鍵合工藝貼合。

好處有三層：連線距離縮短，傳輸速度更快，功耗下降。而且不增加晶片的橫向面積，對製程節點的依賴也降低了。

更關鍵的是，這項技術不需要EUV光刻機，用DUV加多重曝光就能搞定。在當前出口管制的背景下，這個戰略價值不需要多解釋。

外媒對這個方向的評價是：長鑫的進度可能領先韓廠。國產晶片在某個下一代技術上反超海外巨頭，這個敘事過去很少見，但這次不是畫餅，是已經拉起來的研發線。

當然，鍵合DRAM從研發線到量產線，中間還有漫長的良率爬坡要走。但這條路要是跑通了，等於給國產先進製程打開了一個"技術側翼"——不需要跟海外巨頭在EUV賽道上硬拚，而是換一條路走。

說一千道一萬，使用者關心的始終是三件事：性能行不行，價格貴不貴，省不省心。

性能這塊，多方實測已經證明，在主流遊戲場景裡，長鑫顆粒和海力士同級產品的影格率差距不到5%，運行全程無降頻無崩潰。海盜船這種國際一線品牌——以前根本不會碰國產顆粒——現在也開始在Vengeance系列裡用長鑫了。

價格方面，長鑫顆粒的採購價其實只比三巨頭低5%到10%，並沒有"白菜價"傾銷。但在下游整機市場，用長鑫顆粒的品牌記憶體套裝比外資品牌便宜15%到20%——這已經成了模組廠商壓價的籌碼。

真正拉開差距的是供應穩定性。三巨頭現在要求客戶預付全款鎖定產能，交不上錢不僅拿不到貨還要罰款。長鑫的商務條款靈活得多，在供應緊張的市場裡，這就是實打實的競爭力。

長鑫的故事走到今天，已經不是"能不能做出來"的問題，而是"能不能大規模穩定供貨"的問題。從DDR5到HBM3到鍵合DRAM，技術路線很清晰，產能爬坡也在加速。真正的不確定性，是EUV管制帶來的製程迭代天花板，以及DRAM行業週期下行時，能不能扛住價格戰的衝擊。

但不管怎麼說，國產記憶體不再是"便宜貨"的代名詞了。這個認知的轉變，比頻率數字本身值錢得多。

免責聲明： 本文僅供產業研討，不構成投資建議。資料來源自公開管道，不保證絕對準確。配圖為示意/資料圖，僅為幫助理解，與本文描述主體無關。投資有風險，入市須謹慎。

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6月4日，韓媒放出的行業動態，刷新了國產HBM記憶體的技術追趕進度。

長鑫存儲在HBM3技術層面，已經實現與三星、SK海力士的對等水準。

中韓儲存企業在高端記憶體領域的代際差距，被壓縮至三年區間。

過往國內高端儲存長期處於多代落後狀態，追趕難度極大。

行業知情人士確認，長鑫存儲已具備HBM3完整量產技術能力。

現階段僅良率水平有待最佳化，技術路徑與產品設計無任何代差短板。

HBM3是當前AI算力硬體的核心標配，適配主流高端GPU產品。

輝達H100、專供國內市場的H20，均搭載HBM3規格高頻寬記憶體。

H20配備96GB HBM3容量，硬體規格優於H100的80GB配置。

產能建設進度同步推進，長鑫已有明確的規模化量產時間表。

企業預計2026年底達成月產30萬片12英吋晶圓的HBM產能規模。

資本市場層面，長鑫存儲IPO申請已正式獲批。

本次上市計畫募資295億元，全部用於技術迭代與產線升級。

頭部韓企依舊手握前沿技術優勢，行業領先地位尚未動搖。

三星、SK海力士主力產品已迭代至HBM3e，適配新一代AI晶片。

兩大韓企計畫在今年底啟動HBM4訂單簽約，持續拉開技術迭代節奏。

長鑫能夠快速縮小差距，核心依託一套成熟的逆周期投資打法。

儲存行業低迷周期，海外巨頭普遍收縮產能、削減研發開支。

長鑫反行業常態，持續加碼建廠擴產、深耕核心技術研發。

行業低谷期的裝置、人才成本更低，為企業降本蓄力創造條件。

AI算力爆發帶來的儲存剛需，讓長鑫的前置佈局精準踩中風口。

2025年長鑫全系產品市場資料，直觀體現逆周期策略的成效。

DDR系列產品價格漲幅61%，銷量漲幅282%，營收漲幅515%。

LPDDR系列價格漲幅24%，銷量漲幅65%，營收漲幅106%。

量價齊升的表現，讓長鑫在行業上行周期吃到足額紅利。

穩定的產能持續釋放，直接打亂海外三巨頭的行業調控節奏。

三星、SK海力士、美光長期通過減產方式，維持全球儲存高價體系。

長鑫持續輸出的穩定產能，大幅削弱海外廠商減產保價的實際效果。

2026年一季度行業營收資料，凸顯長鑫的增長爆發力。

長鑫營收同比飆升719%，增速領跑全球儲存行業。

同期三星電子增速69%，SK海力士198%，美光科技190%。

長鑫擴產與營收增速，全面甩開傳統海外行業巨頭。

儲存行業存在固定循環規律，短缺漲價、擴產過剩、降價去庫存。

AI產業的持續爆發，正在重塑行業周期，拉長上行紅利窗口。

傳統消費級儲存波動減弱，算力儲存剛需成為行業核心支撐。

長鑫精準把握周期變革節點，完成技術追趕與產能佔位雙重突破。

從長期格局來看，國產儲存徹底擺脫被動跟隨的行業處境。

三年的技術差距屬於可控範圍，可通過持續迭代快速補齊。

隨著IPO資金落地、產能持續釋放，國產HBM話語權將持續提升。

逆周期佈局的底層邏輯，讓長鑫具備持續對抗行業周期的能力。

這套打法不僅成就企業自身，也為國產半導體突圍提供全新範式。

全球儲存行業的壟斷格局，正在被中國廠商的耐心與佈局逐步打破。  (1 ic芯網)

6月3日，韓國《首爾經濟日報》援引多位業內人士的消息稱，中國長鑫儲存已經搞定了HBM3，在製造技術上追平了三星電子和SK海力士。

這消息看著還是很振奮的。報導原話是，從純技術能力看，長鑫已經拿到了入場券，但良率上還有“約束”。

這個節點很微妙。美國對華出口管制層層加碼，先進AI晶片斷供已經好幾年，偏偏這個時候，中國的HBM露了一手。

韓國媒體反覆提到的“三年差距”，需要拆開看。他們講的不是長鑫三年內能取代三星，而是代際差在肉眼可見地縮短。

長鑫這次亮出來的HBM3，是第四代高頻寬記憶體。按照業界代際劃分，從第一代HBM算起，到HBM3要跨過三代技術門檻。三星和SK海力士在這條路上走了將近十年。有熟悉國產儲存進展的分析師透露，長鑫幾乎是直接從DDR4時代一步踩進HBM3的，中間沒有經歷HBM2e的小規模試水。這種跳級在儲存行業極為罕見。

當然，對手也沒閒著。三星和SK海力士的HBM3e（第五代）已經作為輝達B200等新一代GPU的標配，大規模出貨快一年了。更刺激的是，按照產業時間表，到2026年年底，AI GPU廠商就要為更兇猛的HBM4簽採購合同。HBM4的資料傳輸量相比HBM3近乎翻倍。

H20心裡苦：算力被閹，記憶體不能降

HBM到底有多重要？輝達的中國特供版晶片H20就能看出來。

因為管制，輝達只能把H20的算力砍掉。為了在頻寬上勉強維持，H20硬塞進96GB的HBM3記憶體，比無限製版H100的80GB還多。一個被閹割了算力的晶片，反而塞進更多高頻寬記憶體，這本身就說明——就算算力被鎖死，高頻寬記憶體依然是AI計算裡最繞不過去的物理基石。

現在長鑫有了HBM3，國內AI晶片廠商就多了一個國產彈藥庫的選擇。坊間早已傳開，幾家頭部國產AI晶片公司已經拿到了長鑫的HBM3樣品在做驗證。雖然眼下還進不了輝達最頂尖的Blackwell供應鏈，但至少能從“徹底斷糧”走到“雖然粗糙但能用”，這一步跨出去的意義，比紙面參數大得多。

《首爾經濟日報》的報導裡，“良率約束”這個詞份量不輕。

半導體行業有句話，實驗室裡的“能做到”和產線上的“能賺錢”，中間隔著不少距離。長鑫現在就卡在這條深溝上。

報導援引消息人士的話說，合肥的長鑫預計在2026年年底，把12英吋晶圓的月產能拉到30萬片等級。更關鍵的是，據半導體社區的消息，長鑫已重新調整生產配比，把約20%的DRAM產能轉向了HBM3。這個比例不算小，說明不是在試水，而是戰略轉向。

過去兩年，AI帶起來的HBM市場逆勢漲價。有市場研究資料顯示，2025年HBM3e的價格上漲了3%到8%，而這還算保守估計。長鑫把產能切到HBM，既是市場選擇，也是生存急迫。

還有一個被美國、日本、荷蘭聯手掐住脖子的東西——EUV光刻機。在邏輯晶片先進製程上，EUV鎖死了天花板。但在儲存領域，尤其是HBM的製造裡，拼的不光是前道的線寬，更是後道的3D堆疊和先進封裝。長鑫能做出HBM3，很大程度上就是靠這條路繞過去的。

長鑫HBM3的背後，站著一排國產裝置商。2026年3月底上海SEMICON China的展台上，這種勢頭已經看得見。

HBM難在那裡？要把多層DRAM晶片垂直穿透，靠的是矽通孔（TSV）技術。這玩意兒要求極高的刻蝕深寬比、無空隙的深孔電鍍，還有原子級的晶圓鍵合。這三樣，恰好是裝置商們盯住的突破口。

根據當時的展會資訊和廠商披露：

北方華創拿出一台在國內率先完成客戶端驗證的混合鍵合裝置（D2W），直接瞄準HBM和Chiplet的3D整合。同場還展出了一款高深寬比TSV電鍍裝置，業內人士說整合了AI演算法，專攻深孔填充。

拓荊科技直接展出了對準鍵合介面空洞的修復裝置，專門修3D IC裡那些肉眼看不見的缺陷。

晶盛機電搞了一套從圓形晶圓跨到矩形基板的全套減薄與鍵合方案，這在面板級封裝上是個新方向。

有位參展的裝置工程師私下聊過，當EUV在前道被封死，中國廠商的選擇很明確：在後道先進封裝上鑿開一扇窗。長鑫HBM3的出現，就是這扇窗透進來的第一縷光。

燒錢是必須的。長鑫的擴張需要天量資金，這筆錢要讓研發和製造裝置的無底洞撐到量產爬坡，但長鑫IPO已過會，錢不是問題，無底洞也能給它填滿。

全球先進封裝市場，有機構預測到2028年將飆升至786億美元，核心驅動力就是HBM與CoWoS。AI硬體投資被業內稱為“結構性機會”，不再是過去那個隨供需劇烈振盪的記憶體周期。投資人很清楚，短期內長鑫的HBM3可能面臨“投產即落後”的尷尬，但它仍然是中國AI產業鏈裡唯一能打破三星、SK海力士和美光三家壟斷的種子選手。

回過頭來看，“只差三年”這個形容，要聽一半信一半。它是舊秩序與新生力量激烈碰撞的一個切片，也是外部封鎖下，中國半導體硬生生踩出來的一條滿是荊棘的上行通道。當你手裡有了一張能上牌桌的入場券，剩下的就是和時間賽跑，和良率死磕。至於HBM4的擂台，只能邊打邊追。    (硅基LIFE)

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長鑫存儲追平韓國巨頭！

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