美國智庫“技術與中國國家安全中心”（CTS）最新報告披露，中國大陸晶片製造企業已通過利用美國出口管制漏洞，獲得總計343台浸沒式深紫外（DUV）光刻機，並將其投入半導體產業本土化處理程序。報告警告稱，這些裝置雖不及極紫外（EUV）光刻機先進，但足以生產人工智慧晶片，為中國提供了中端替代方案，對美國構成挑戰。
據香港《南華早報》4日報導，CTS報告顯示，截至今年年初，中國大陸擁有的浸沒式DUV光刻機中，約270台為ASML的Twinscan NXT:1980i型號。中國在2024年花費超過130億美元購買了90台NXT:1980i，2025年又增購89台。ASML在全球先進光刻系統市場佔據近乎壟斷地位。
光刻機是晶片製造的核心裝置，利用紫外光在晶圓上刻畫電路，波長越短，能刻畫的電路越精細。EUV光刻機波長更短，可實現超精細製程，但研發難度大、價格高昂。浸沒式DUV則通過在鏡頭與晶圓之間填充水來提升光折射率，從而提高刻畫精度。該技術雖仍落後於EUV，但可用於製造7奈米邏輯晶片和高端記憶體器。
荷蘭政府於2019年應美國要求，禁止ASML向中國出口最先進的EUV光刻機。但對於較老型號，荷蘭在國內反對聲中收回控制權，開始允許NXT:1980i以個案審批方式出口。CTS認為，這正是大量裝置得以進入中國的原因。中國利用這一管制缺口，在購入NXT:1980i後，採用多重曝光技術——通過重疊層次繪製電路——量產華為昇騰AI加速器和先進記憶體器。
報告警告，中國目前持有的光刻裝置可能使其AI晶片產能在長期內提升至“不可控水平”。研究人員預測，若中國每年引進90台NXT:1980i，到2035年可年產多達4.34億顆高性能AI晶片，相當於輝達H100圖形處理器的水平。
與此同時，中國也在推進國產光刻裝置研發。今年7月有報導稱，一家中國公司在政府支援下已開始自主生產DUV系統。此前2025年12月，有報導稱中國已開發出EUV原型機，曾導致全球晶片股下跌。投資者預期ASML的壟斷將被打破，晶片價格將下降。
中國正加速裝置本土化，以應對美國進一步收緊光刻出口管制的動向。今年4月，美國國會提出《MATCH法案》，要求荷蘭、日本等盟友在150天內加入美國對華晶片裝置出口限制。該兩黨法案不僅尋求管制EUV，還涵蓋DUV光刻機和低溫刻蝕裝置。
報告合著者、前美國商務部出口管制官員尼古拉斯·布朗和前白宮技術政策顧問賽義夫·汗認為，迫切需要對DUV實施全面封鎖。他們預測，若從2027年起切斷所有新進口，中國H100級晶片年產量將降至約1.53億顆，遠低於4.34億顆。 (晶片行業)