第一財經記者瞭解到，長鑫科技（688825.SH）的核心子公司長鑫記憶體總裁曹堪宇在10月10日的第四屆整合晶片和芯粒大會上透露了一項新的DRAM（動態隨機存取記憶體器）技術進展。曹堪宇介紹了名為4F²的DRAM架構，並表示長鑫記憶體預計年底將推出採用這項技術的新一代DDR5 RDIMM產品。
曹堪宇表示，該架構在DRAM記憶體陣列電晶體上進行了創新，VSG（Vertical Surrounded Gate）電晶體採用垂直包圍溝道結構，以實現更強柵控，解決漏電與短溝道效應痛點，豎立的電晶體有助於面積微縮，提升記憶體密度。
DRAM行業正朝著記憶體密度更大的方向發展。DRAM晶片設計中，一個記憶體單元通常由一個電晶體（1T）和一個電容器（1C）組成。F（最小特徵尺寸）代表晶圓製造工藝中光刻技術能實現的最小線寬或間距。4F²代表每個單元佔4倍最小特徵尺寸的平方。而目前DRAM行業內主流的架構是6F²。從6F²走向4F²，單位面積內電晶體數量增多，記憶體密度有所提升。
此外，4F²還針對傳統一體化製造中的工藝瓶頸給出瞭解決辦法。
據介紹，4F²技術早期聚焦2D維度電晶體設計，記憶體陣列區域與外圍邏輯電路區域的製造工藝被繫結在同一套光刻和摻雜條件中，性能不及6F²。而隨著6F²架構微縮難度增大，業內轉而推動4F²架構從二維轉向三維，實現方式包括讓DRAM與CMOS製造工藝解耦、用晶圓級混合鍵合技術實現高速互聯，以獨立最佳化邏輯性能和記憶體單元密度，一定程度上擺脫工藝瓶頸。曹堪宇表示，長鑫4F²架構相關的公開專利族超300件，數量行業領先。
推出這項新技術也是長鑫拓展伺服器記憶體市場的一個嘗試。在伺服器記憶體領域，海外記憶體廠商長期佔據優勢，長鑫下游此前則偏重消費電子。相比於追求“跑得快”的消費級記憶體，伺服器記憶體產品技術難度偏大，需要支援伺服器不間斷運行。
曹堪宇此次表示，長鑫記憶體將4F²架構的首代產品定為DDR5 RDIMM，準備用這一技術應對伺服器記憶體領域的技術與工程壁壘。
在伺服器領域，9月的業績說明會上，長鑫科技總經理趙綸針對第一財經記者提出的問題回應稱，上半年公司持續在伺服器領域拓展業務，應用於這一領域的產品貢獻已有所增加。
近期長鑫也頻繁更新技術進展。8月底，長鑫科技宣佈，最新一代低功耗記憶體LPDDR6量產。長鑫科技成為業內較早量產LPDDR6的廠商。9月，長鑫記憶體在世界製造業大會上宣佈第五代DRAM技術平台（G5）實現量產，該平台接近全球最頂尖的記憶體量產平台製程。
據市場研究機構Counterpoint資料，按全球DRAM廠商的收入計算，長鑫科技今年第二季度市場份額為7%，市佔率排名第四。(第一財經)