據Tim Culpan援引知情人士消息，埃隆·馬斯克的Terafab半導體項目將於2027年年中接收其首台ASML極紫外（EUV）光刻裝置。然而，SemiAnalysis指出，該公司的研發晶圓廠外殼要到2027年底才能完工，裝置搬遷更晚，這意味著這台昂貴的裝置將在相當長一段時間內處於閒置狀態。
特斯拉於今年4月在奧斯汀Giga Texas北校區動工建設其研究晶圓廠。SemiAnalysis預計該建築將在15個月內完工，之後特斯拉還需約6個月時間安裝裝置與生產工具，隨後才能開始處理晶圓——或者說，通過晶片生產實驗讓團隊為Terafab量產工廠一期完工做好準備。在當前ASML Twinscan NXE EUV光刻機一機難求的背景下，將裝置存放數月再投入使用，對傳統晶片製造商而言是沉重的財務負擔，但對Terafab來說並非重大財務問題。
首台傳統EUV光刻系統的交付也表明，儘管馬斯克曾公開稱讚用於光刻的自由電子雷射（FEL）光源，但其半導體生產公司的第一代努力仍將依賴更傳統的裝置。這並不特別令人意外，因為Terafab計畫使用英特爾的14A製造技術。14A不僅將使用現有的低數值孔徑（Low-NA）EUV，還將使用下一代高數值孔徑（High-NA）EUV機器。使用非常規且大多未經測試的光源，將需要對製造工藝進行大量修改、進行廣泛的裝置認證，並可能改變光掩模和光刻膠，這將使英特爾14A技術的轉移複雜化，並推遲Terafab的量產進度。
不過，使用標準光刻裝置並不意味著馬斯克的公司沒有計畫採用與英特爾不同的工具，只是目前猜測Terafab工程師可能對晶圓廠組態做出哪些改變還為時過早。SpaceX於2026年8月初宣佈選擇Grimes County作為Terafab所在地。目前已有證據表明，工作已推進到土地清理之後——9月中旬發佈的無人機畫面顯示，場址西北部正在進行地基挖掘和鋼筋籠安裝，表明承包商已在9月初開始結構施工，儘管該地基的確切用途尚不清楚。 (晶片行業)