10月15日，特斯拉首席執行長伊隆·馬斯克（Elon Musk）在X（原推特）上表示：“到2028年，中國將生產海量的記憶體晶片（RAM）。”這一言論引發了市場擔憂，人們擔心行業可能提前迎來“見頂”——即市場在達到巔峰後轉而進入下行周期。
市場正密切關注2028年可能出現的兩大因素疊加：中國的大規模產能擴張，以及全球人工智慧（AI）投資放緩。當前背景包括：旨在抑制通膨的高利率政策、歐洲等主要經濟體的停滯，以及圍繞AI盈利能力的持續爭論。
儘管有人認為，中國在技術上的追趕尚未對韓國企業的競爭力構成直接威脅，但多數專家一致認為，這種進步速度非常快。
據業內人士10月18日透露，馬斯克過去幾天就記憶體晶片發表了一系列言論，令半導體行業感到緊張。10月11日，他指出RAM短缺可能是AI市場的一個潛在瓶頸；10月12日，他又表示，一旦中國掌握了必要的製造技術，就有可能大幅擴大產能。
10月13日，他指出，雖然美光（Micron）設定的價格“合理”，但其競爭對手——推測是指三星電子（Samsung Electronics）和SK海力士（SK Hynix）——所要求的記憶體晶片價格卻“高得離譜”。
蘋果公司也給韓國巨頭——三星電子和SK海力士——施加了壓力，暗示可能採用中國製造的DRAM。在最近接受美國《時代》周刊（Time）採訪時，蘋果硬體工程高級副總裁約翰·特納斯（John Ternus）將記憶體晶片供應受限形容為一場“絕對的危機”，並表示公司正在“考慮所有方案”以應對這一局面。事實上，中國半導體企業正釋放出在2028年前大幅擴大產能的訊號。作為蘋果公司潛在的關鍵供應商，長鑫存儲（CXMT）已啟動其上海新晶圓廠（fab）的裝置招標工作。該公司計畫建設一系列新晶圓廠，首個項目將於今年第四季度在上海動工，隨後還將在合肥和北京增設生產設施。
長鑫存儲目前的DRAM月產能估計在20萬至25萬片晶圓之間，預計到今年年底將超過30萬片。如果這些擴產計畫按預定進度推進，從現在到2028年，該公司每年將新增7萬至8萬片晶圓的月產能。證券行業內有觀點預測，到2028年底，長鑫存儲的DRAM月產能有望達到50萬至60萬片，這一規模將使其躋身全球第三。作為對比，三星電子（Samsung Electronics）和SK海力士（SK Hynix）目前的月產能分別約為70萬片和60萬片晶圓。
中國在NAND快閃記憶體市場——記憶體行業的另一大支柱——的攻勢同樣不容小覷。據市場研究機構Counterpoint Research統計，長江存儲（YMTC）在今年第二季度佔據了全球NAND出貨量16.5%的市場份額，穩居行業第三，並正迅速縮小與三星電子（28%）和SK海力士（19%）之間的差距。專家估計，儘管在DRAM領域，韓國與中國之間仍存在3至5年的技術差距，但在NAND快閃記憶體領域，這一差距已縮短至約一年左右。鑑於中國在同質化記憶體器市場上的快速追趕，韓國記憶體半導體行業所預期的“超級周期”（此前預計將在2030年前後達到頂峰）極有可能提前終結。
據多家媒體報導，長鑫存儲（CXMT）今年第三季度的營收預計將同比增長589%至619%。在獲得額外資本（部分通過公開上市籌集）後，該公司近期宣佈計畫在今年年底前推出全球首款採用新一代4F²架構的伺服器級DRAM產品。
成均館大學化學工程系教授權錫俊（Kwon Seok-jun）表示：“到2030年，決定韓國記憶體半導體行業營收的最關鍵變數，未必是中國帶來的威脅，而是人工智慧（AI）領域的需求。”他補充道：“核心因素在於，美國各大雲服務巨頭能否維持其目前在AI基礎設施方面的投資節奏與規模。”權錫俊進一步指出：“韓國記憶體行業面臨的真正風險，並非未能投資新技術，而是在僅依賴現有傳統架構知識的同時，試圖去最佳化新架構。我們必須密切關注中國在半導體技術領域的投資與創新所帶來的影響，並制定相應的應對策略。” (晶片說 IC TIME)