IT之家 10 月 23 日消息，在接受 Dwarkesh 播客時，英特爾首席技術官（CTO）普什卡 · 拉納德（Pushkar Ranade）表示：即便資金充足，全球尖端晶圓產量也難以擴大十倍，更現實的增長上限約為兩倍。
在播客節目中，拉納德被問及“世界上是否有足夠工具，把前沿晶圓產量提高 10 倍”。對此他回應稱“不是 10 倍，但可能達到 2 倍，是的。”他認為這一限制源於整個半導體供應鏈協同擴產的能力，而非某個單一環節。
IT之家援引博文介紹，拉納德指出，AI計算能力過去十年大約以每年三倍的速度增長，但製造先進晶片所需的關鍵裝置、潔淨室和晶圓廠規模，正在成為新的產能天花板。
其中，ASML每年生產的 EUV 光刻機不足 100 台，且到本十年末也難以大幅擴產，而英特爾、台積電以及SK 海力士等記憶體廠商共同爭奪這些裝置。
他進一步解釋，今天下單的裝置通常約 18 個月後才能交付，意味著產能要到 2028 年前後才能落地。新建晶圓廠也無法自動帶來更多晶圓，重要原因是裝置供應跟不上。
拉納德解釋稱，若要整體提升產量，裝置供應商、其上游供應商以及更底層的子供應商都必須同步增加產能。換言之，光刻機、關鍵零部件、材料、檢測裝置與工廠建設等環節，只要有一處“卡脖子”，先進晶圓的最終產出就難以大幅躍升。(IT之家)