美光科技正在加速推進其 3D-NAND 技術路線圖，直接跨越一代，以更快地提供更大的晶片容量、更快的速度和更高的能源效率。
該公司目前正在出貨其第九代G9快閃記憶體，該快閃記憶體擁有276層。首款採用該技術的產品 ——2650客戶端固態硬碟——已於2024年7月發佈。10月21日，美光在其投資者關係網站上舉辦了一場技術和產品網路研討會。其總裁兼首席 技術和產品官斯科特·德博爾(Scott DeBoer)在會上探討了美光的 技術基礎、多代產品路線圖、客戶協同設計以及在DRAM、HBM和NAND領域的長期研發戰略。
德博爾在NAND快閃記憶體部分表示：“我們的第九代NAND快閃記憶體一直處於非常強勢的地位，而第十一代NAND快閃記憶體將進一步鞏固這一領先地位。這是一次意義重大的飛躍。我們對這種記憶體器進行了最佳化。事實上，我們特意回溯並最佳化了這種記憶體器，使其能夠更好地服務於未來的AI產品，這也是我們從第九代升級到第十一代的原因。與以往任何NAND快閃記憶體相比，這一工藝節點都帶來了顯著的改進。”
與 G9 相比，G11 的位元密度提高了一倍，I/O 速度提高了 1.5 倍，傳輸一個位元所需的能量減少了 25%。
德博爾表示：“這項G11技術是世界上最先進的NAND快閃記憶體技術。它將於明年下半年開始量產。此外，它基於晶圓對晶圓鍵合技術……我們將達到400層以上，明年臨近發佈日期時，我們會公佈更多細節。”
他還討論了未來可能採用G11 3D NAND技術的NAND產品。其中一項是 速度更快、塊尺寸更小的固態硬碟，可實現更高的IOPS。另一項是頻寬更高的固態硬碟，其堆疊層通過矽通孔（TSV）連接到基片，類似於高頻寬記憶體（HBM），並同樣放置在加速處理器（GPU）旁邊。
德博爾表示：“這裡主要有兩個重點領域。一是高IOPS的AI級NAND快閃記憶體，它採用基於SLC的設計，以小模組的形式實現，旨在打造超高速記憶體產品。這是滿足這裡提到的幾個新興應用場景的關鍵所在，也是美光未來幾年將這些產品推向市場的主要方向。另一方面，我們還在開發高頻寬的AI級NAND快閃記憶體，以滿足其他新興應用場景的需求。這些產品最終成本更高，需要與客戶合作開發，以確保它們能夠達到預期目標，並控製成本，從而提升產品的價值主張。”
高頻寬 NAND 不會像 HBM 那樣放置在加速器的海岸線上，“因為我們認為這樣做沒有意義，而是放置在更靠近計算本身的位置，以便利用這種高性能 NAND，並且這種路徑是可行的。”
他沒有提及閃迪和SK海力士正在推廣的非常相似的高頻寬快閃記憶體（HBF）技術。這兩種技術都在基礎邏輯晶片或控製器晶片上方堆疊了多層3D-NAND晶片，並通過可能/很可能使用中介層與附近的加速器連接。
高IOPS固態硬碟的IOPS值將在2500萬到1億之間，而下一代固態硬碟的容量可達512TB。與高頻寬AI級NAND快閃記憶體一樣，高IOPS NAND快閃記憶體也將靠近加速器放置。
DeBoer 還提到，未來美光 AI 級 NAND 快閃記憶體將應用於 AI PC 和工作站、汽車、機器人、移動和可穿戴產品。
法國巴黎銀行股票研究高級分析師卡爾·阿克曼(Karl Ackerman)告訴訂閱使用者，美光的HBM路線圖涵蓋HBM6，vHBM和vEIM將於2028年開始量產：“美光指出，HBM4 36GB 12層高位快閃記憶體已於2026年3月進入量產階段，HBM4E目前正在向主要客戶提供樣品。該公司計畫在2027年實現HBM4E的量產，2028年實現HBM5的量產，2029年實現HBM5E的量產， 2030年實現HBM6的量產。”
此外，美光還發佈了垂直堆疊式HBM（vHBM）技術，該技術將DRAM堆疊直接置於處理器上方而非其旁邊，從而提供比傳統HBM更高的頻寬。但缺點是這會阻礙處理器的散熱， 因此我們預計vHBM將與傳統HBM配合使用。同時，垂直邊緣推理記憶體器（vEIM）將相同的堆疊結構應用於邊緣器件，將低功耗LPDDR置於邏輯晶片上方。美光的第一代 vEIM目標是在低於1 pJ/bit的功耗下實現2TB/s的頻寬（這種方法與d-Matrix的開創性技術類似）。這兩條新產品線均計畫於2028年實現量產，並在2030年前推出三代產品。
此外：“美光最初採用自主研發的CMOS工藝製造HBM4基礎晶片，而競爭對手則轉向代工廠生產的晶片。然而，HBM4E的速度和功耗目標需要更先進的CMOS工藝，因此美光現在也開始轉向代工廠生產的晶片。HBM4E也是美光首次在提供符合JEDEC標準的產品的同時，也提供定製HBM產品，我們認為輝達的NVHBM也包含在內。對於定製產品，美光與客戶共同設計基礎晶片，將客戶的邏輯IP與美光的記憶體IP整合在一起。”
美光似乎開始養成跳過幾代3D NAND快閃記憶體的習慣：
第一代 - 32層
第二代 - 64 層
第三代 - 96層
第四代 - 128 層
第五代 - 176 層
第六代晶片——2022年底將達到232層——2024年11月正式命名為G8。
第七代 - 276層 - 外部品牌為G9
第八代——計畫採用300多層結構，外部品牌為G10，但於2026年10月放棄。
第 9 代 - 計畫 400 多層，外部品牌為 G11，2026 年 10 月。
我們認為這是市場行銷策略，是對三星推出 V9、10 和 11 代產品，SK 海力士推出 V9、10 和 11 代產品，以及閃迪/鎧俠推出 BiCS 9、10 和 11 代產品的回應。
根據Imec的說法， 晶圓對晶圓 (WoW 或 W2W) 鍵合 是一種半導體 3D 整合技術，其中兩個（或多個）完全加工的矽晶圓對齊並鍵合在一起，形成完整的晶圓，之後將鍵合後的堆疊切割成單個多晶片。(半導體行業觀察)