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AI需要的1 萬倍能效從那來?應用材料看好3D 架構與"連接"戰略

RexAA
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AI速讀
面對 AI 資料中心電力需求的爆發式增長,應用材料公司在 2025 SEMICON West 報告中提出能效提升 1 萬倍的戰略目標。公司主推 3D 架構轉型,包括導入 GAA 電晶體與背面供電以降低功耗,並透過先進封裝提升頻寬。針對極高複雜度的晶片製造,應用材料採取「連接」戰略,整合材料方案與夥伴生態(如與 BESI 合作),旨在大幅縮短技術量產週期,解決 AI 算力擴張的能源瓶頸。

AI 的能耗帳

到 2030 年,AI 資料中心可能吃掉全球 10% 以上的電力;而要讓 AI 繼續擴張,未來 15 年需要把能效性能提升 1 萬倍。後一個判斷引自 Mark Liu 與 H.-S. Philip Wong 在《IEEE Spectrum》2024 年的文章。由此得出的結論很直接:行業必須同時交付更多算力、更大頻寬和更低能耗。

三個架構拐點

應用材料把希望押在 3D 架構上。環柵電晶體(GAA)可降低功耗 30%、提升性能 15%;背面供電帶來約 15% 的能效增益;先進封裝能帶來 1000% 的頻寬提升、1000 倍的每平方毫米 IO 密度和 10 倍的單位位元能耗下降;垂直電晶體與 3D DRAM 則帶來 30% 的密度提升。支撐這些拐點的,是新材料、選擇性沉積與去除,以及工序之間的相互影響。

複雜度有多大

前道一側,一顆 GAA 器件要走過 2000 道以上工序、用到 500 多種材料;一顆 AI GPU 內部有超過 750 英里的布線、20 層以上堆疊銅互連和 800 億個電晶體。封裝一側以 AMD MI300X 為例:一個封裝裡塞進 117 顆晶片,包含 1000 萬個以上 3D 互連、140 萬個以上混合鍵合、290 萬個以上矽通孔。公司用"封裝複雜度因子"對比,從 2000 年代伺服器處理器的 1,漲到當前 AI GPU 的約 3.2 萬,未來系統級封裝將超過 60 萬。

能效的四個抓手

順著動態功耗公式,稿件拆成電壓、電阻、電容、散熱四項。GAA 可把供電電壓降低約 150 毫伏,動態功耗隨之下降 30%;電阻被拆成前道、中道、後道三段分別處理,整合材料方案能把接觸電阻降低約 50%;電容依賴低 k 介質與配套工藝壓低;散熱則寄望於金剛石這類高導熱但絕緣的新材料。

把技術連起來

這是全篇的核心主張,分三層。連接產品,指把材料、裝置、工藝與器件系統打通,形成整合材料方案。連接夥伴,典型是與 BESI 合作的 Kinex 混合鍵合系統,把清洗、活化、鍵合、量測六步整合到一台裝置,已在多家邏輯、記憶體與封測客戶處完成量產驗證。連接生態,指 2026 年啟用的 EPIC 研發中心,公司稱可把從概唸到量產的周期提速一倍,傳統模式需要 10 到 15 年。

報告頁面摘選(共90頁)

(銳芯聞)