HBM4將成為第四季度主流產品。
芯東西10月28日報導，今日，SK海力士發佈2026年第三季度財報。該公司第三季度實現營收約104.62兆韓元（約合人民幣5206.5億元），首次單季營收突破100兆韓元，環比增長32%，同比增長328%。
此外，其營業利潤為83.33兆韓元（約合人民幣4147.0億元），環比增長38%，同比增長632%；淨利潤為39.78兆韓元（約合人民幣1979.7億元），淨利率38%，同比增長216%。
其第三季度毛利達89.65兆韓元（約合人民幣4461.5億元），毛利率為86%，環比提升3個百分點、較去年同期的57%大幅走高。
SK海力士稱，本季度營收與營業利潤創歷史新高，受益於AI記憶體需求拉動產品漲價及高附加值產品出貨。
該公司總裁兼CEO郭魯正提到，基於已經敲定的長期供貨協議（LTA）訂單加當前和客戶正在磋商的需求，未來三年直至2029年，DRAM以及HBM產能實際上已經近乎售罄。
SK海力士判斷受先進製程技術難度大、新建產線周期長制約，記憶體器需求超過供給的格局將持續到2030年；第四季度HBM4在出貨量與收入上預計將超過HBM3E，成為主流產品；2027年資本開支將較2026年顯著增加，龍仁一期產線將進入全面營運。
截至昨日收盤，SK海力士股價為145.36美元/股（約合人民幣969.3元/股），較昨收價142.62美元/股（約合人民幣951.1元/股）上漲1.92%，總市值約為1.03兆美元（約合人民幣6.9兆元）。
01. DRAM佔收入超70% 年內股東回報約100兆韓元
SK海力士核心業務為DRAM與NAND快閃記憶體兩大類。
按產品劃分，該公司第三季度DRAM業務帶來約78.5兆韓元（約合人民幣3904.9億元）收入，貢獻總營收的75%；NAND業務收入為25.1兆韓元（約合人民幣1249.6億元），佔收入的24%；其他佔1%。
按應用端劃分，SK海力士DRAM收入中伺服器與含HBM的圖形業務佔比逐季提升；PC、消費與移動業務佔比相應縮小，反映AI伺服器需求對DRAM收入結構的持續拉動。
NAND端，其SSD收入佔比從2025年三季度至2026年三季度逐年上升，移動與USB 隨身碟、記憶體卡類業務佔比下降，企業級SSD成為NAND收入的主要來源。
SK海力士的業績指引顯示，其第四季度DRAM業務量環比有望增長20%左右，主要由1c製程擴張與M15X爬坡推動；NAND業務量環比增長中個位數（含Solidigm），由321層eSSD銷售帶動。該公司預計2027年DRAM可實現需求同比增長20%左右、NAND增長高十幾個百分點。
截至第三季度末，SK海力士財務結構也趨於穩定，其現金及現金等價物114.46兆韓元（約合人民幣5696.2億元），債務降至15.80兆韓元（約合人民幣786.3億元），淨負債權益比由一年前的24%降至5%。
股東回報方面，該公司2026財年股東回報總額約100兆韓元（約合人民幣4976.6億元），其中現金分紅30兆韓元（約合人民幣1493.0億元）以上、回購併註銷60兆韓元（約合人民幣2986.0億元）以上，承諾返還50%以上自由現金流。
02. 記憶體短缺持續到2030年 預計HBM4將成為主流產品
在電話會議上，SK海力士預計，AI使用普及與基礎設施投資擴張已形成正向循環，全球AI資料中心基礎設施市場到2030年將以40%的復合增速擴張，2027年全球頭部雲服務商資本開支同比增長60%以上。短期增長由企業級與個人AI驅動，中長期由自動駕駛、機器人等物理AI拓寬需求邊界。
對此，該公司評估，目前其供應增長速度跟不上市場增長速度，鑑於尖端工藝的技術難度以及新建生產設施所需的時間較長，預計供不應求的局面將持續到2030年。
關於AI需求能否持續，郭魯正給出兩點判斷：頭部雲廠商AI業務已兌現營收，雲業務同比增速達30%-80%，未交付訂單同比增長2-5倍；同時投資主體正從少數科技巨頭擴展至傳統企業自建、主權AI和本地部署需求，單一客戶調整投資節奏可被其他領域避險。
為進一步提高其產品競爭力，SK海力士計畫加快擴大產能，以保持目前的增長勢頭，並在明年進一步擴大收入和利潤。
首先，該公司計畫迅速提高其10nm級第六代（1c）工藝技術的份額，並擴大面向AI伺服器的DDR5和LPDDR5 SOCAMM的銷售，從而進一步加強其以高附加值產品為中心的DRAM產品組合。
為應對HBM需求的激增，SK海力士計畫在年底前將M15X生產線產能提升至滿負荷，以提高HBM4的產量。因此，該公司預計HBM4在第四季度的出貨量和收入都將超過HBM3E，並確立其主流產品的地位。
針對HBM4供貨方面，在財報電話會議上HBM行銷負責人金基泰披露， HBM4良率超原定目標，已上調良率目標，HBM3E也超出成熟良率目標。HBM4E樣品已於今年第二季度交付，開發驗證緊跟客戶時間表。針對客戶系統和工作負載做定製最佳化的定製HBM重要性持續提升，他們已與核心客戶開展相關項目。
談及下一代DRAM技術4F²，郭魯正稱，現階段該公司充分挖掘6F²架構潛力，依託EUV光刻延長6F²平台生命周期。其同步研發4F²和3D DRAM，但需良率、可靠性和成本驗證完成後才商業化。目前，該公司已準備分階段技術路線，涵蓋現有DRAM深度微縮、4F²和3D DRAM，待各項技術在性能和經濟性上成熟後再落地。
在NAND快閃記憶體領域，該公司計畫在第四季度將其321層工藝的產能佔比提升至國內產能的一半以上，從而增加高性能、大容量eSSD的供應。中長期來看，該公司計畫基於HBF和系統最佳化技術，將NAND快閃記憶體發展成為提升AI服務吞吐量和經濟效益的核心解決方案。
針對KV cache帶來的NAND新需求，SK海力士NAND行銷負責人宋昌錫介紹，智能Agent和超長上下文場景使KV cache體量快速膨脹，HBM和DRAM面臨容量和成本瓶頸，分層記憶體架構成為關鍵。
該公司正在開發SALT-KV軟體和基於CXL的CMM-Hybrid混合記憶體技術。中長期計畫推出HBF產品，兼顧高頻寬與NAND大容量低成本優勢，填補HBM與SSD之間的新記憶體層級。
被問及產能擴大是否會有過剩風險，SK海力士CFO金宇鉉稱，新建工廠不等於供給同比例擴張，HBM等高端產品工藝複雜度上升，製程微縮帶來的位元增量存在約束。
龍仁產業叢集等新工廠將加快廠房外殼建設，但潔淨車間分多期逐步投用，保留靈活調節餘地。投資決策同時核查客戶財務健康度和融資能力，該公司保留淨現金安全墊，需求不及預期時可靈活調整投資進度。
需求鎖定方面，SK海力士披露，其已與14家關鍵客戶（含全球頭部雲服務商）簽訂長期供貨協議（LTA），標準合同期五年，並在與部分客戶協商延期；合同價格在雙方約定區間內反映市場行情，並設定定金等履約保障條款，鎖定量對應2027至2028年總產能的50%以上。
同時該公司2027年資本開支將較2026年顯著增加，投向先進製程組合、龍仁一期（Y1）產線爬坡，以及韓國本土與海外的基礎設施投資；擴產規模與時點將在客戶需求、產品競爭力、盈利性與投資效率之間靈活權衡。
對於此前SK海力士終止旗下企業級SSD子公司Solidigm IPO審查，郭魯正回應，“此次IPO旨在為Solidigm的生產設施擴建籌集外部資金，從而減輕我們自身的投資負擔，並擴大股東回報能力，然而，在仔細考慮了近期金融市場狀況和其他因素後，我們認為此時推進IPO並非實現原先預期目標的最佳途徑。因此，我們已終止IPO計畫。”
03. 結語：長期協議避險周期 HBF切入AI記憶體架構
記憶體行業長期受困於“擴產即過剩”的周期波動。SK海力士當前的策略是通過長期協議（LTA）來避險這一風險：用五年長約鎖定2027至2028年超50%的產能並收取定金，同時將建廠進度與客戶的財務健康度掛鉤，加上極低的負債率，有效降低了重資產擴張在弱周期下的隱患。
在技術演進上，隨著大模型長上下文的普及，AI伺服器完全依靠HBM成本過高，而傳統SSD速度不足。SK海力士正推進HBF與CXL混合記憶體技術，想要填補HBM與SSD之間的記憶體層級空白。通過提供這種高低搭配的記憶體方案，SK海力士正打破單純出售標準記憶體硬體的邊界，進一步深入到AI資料中心底層架構的設計與定義中。 (芯東西)