長鑫記憶體的 HBM3E 已經送到客戶手中。路透社 10 月 28 日的報導給出了三個數字：良率 20% 到 30%；對手 SK 海力士約 70%；兩個月內進入小批次生產。可以看出，中國 AI 記憶體眼下的真實位置：進度比外界預期快，代價也比外界預期高。
兩個月的時間窗口
按路透社援引的消息人士說法，長鑫已經向多家國內 AI 晶片設計公司交付 HBM3E 樣品，計畫在未來兩個月內啟動有限度的量產。也就是說，如果一切按計畫推進，2026 年底之前，中國大陸會有第一款進入商業環節的 HBM3E。
長鑫沒有公開確認這個時間表。它給出的資訊只有一句，會按既有路線圖繼續推進產品和工藝開發。
良率的重要性
良率是這輪報導裡最扎眼的數字。20% 到 30% 意味著每投下一百顆晶片，只有二三十顆能通過最終測試，其餘要麼報廢，要麼返工重來。SK 海力士的 HBM3E 良率約為 70%，兩相對照，長鑫的成本結構幾乎註定要吃虧。
路透社的判斷是，低良率會讓長鑫的 HBM3E 單位生產成本高於海外同類產品，因為相當一部分產出必須被丟棄或重新處理。這也意味著，即便產品順利出廠，它在價格上也很難複製國產 DRAM 在通用記憶體市場的那套打法。
長鑫並非不清楚這一點。據路透社，公司向客戶提供了兩個版本的晶片：一個是標準設計，另一個是為改善良率做過修改的版本。把工程上的妥協攤在客戶面前選擇，在 HBM 這個品類裡並不常見，它更像是產能壓力下的務實安排。
離真正的產品還有半步之差
即便良率追上，性能上還有一段距離要補。測試結果顯示，長鑫 HBM3E 的實際表現更接近 SK 海力士上一代的 HBM3，與真正的 HBM3E 尚有差距。
這個結果並不意外。HBM3E 是 HBM3 的擴展版本，靠更高的引腳速率和更大的單堆疊容量把頻寬繼續往上推，對堆疊精度、散熱和封裝工藝的要求都更苛刻。長鑫的 HBM 研發起步於 2024 年，而 SK 海力士、三星電子和美光在這個方向上已經迭代數代，技術積累的差距很難靠一兩輪送樣抹平。
為什麼長鑫著急推進HBM3E？
按商業常理，良率兩成多的產品不該急著量產。長鑫還是選擇往前推，原因在供需的另一側。
中國 AI 晶片公司眼下是買不到，也買不起。路透社 9 月的報導提到，受記憶體成本上漲拖累，華為、寒武紀、沐曦、天數智芯把當前和下一代 AI 晶片的價格上調了 20% 到 50%。在美國出口限制進一步收緊之後，一些廠商轉而從灰色市場拿 HBM，付出的溢價更高。這是長鑫敢於帶著 20% 到 30% 的良率往前推的現實理由，也是它必須兩年內把良率拉上去的壓力來源。
潛在客戶的名字此前已經浮出水面。據首爾經濟日報 9 月援引 The Information 的報導，阿里巴巴旗下平頭哥半導體和寒武紀正在測試長鑫的 HBM3E，用於自家處理器。如果研發按計畫推進，搭載長鑫 HBM3E 的產品最早可能在 2027 年面世。這意味著國產 HBM 從送樣到裝機，中間還有一年多的時間要靠良率爬坡來填滿。
送樣是一個動作，量產是一個能力，兩者之間的距離，往往比外界想像的更長，期待長鑫能夠突破常規。(銳芯聞)