#HBM3E
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加倉加倉：消息透露長鑫記憶體開始試產 HBM3E 記憶體，有望數周內大規模量產

據《The Information》報導，長鑫記憶體已啟動 HBM3E 記憶體的風險試產工作。 據報導，長鑫記憶體當前計畫擴大產能。預計到今年年底，該公司的 DRAM 製造能力將達到每月 35 萬片晶圓，未來幾年的產能還將繼續提高。目前長鑫的 HBM3E 生產規模依然十分有限，這意味著他們剛剛進入風險試產階段。 雖然還不清楚長鑫記憶體 HBM3E 的具體規格，但根據 JEDEC（固態技術協會）規範，HBM3E 應採用 1024-bit 位寬，單引腳速率介於 9.2Gbps 至 12.4Gbps 之間，大多數標準配置的目標速率為 9.6Gbps。 在 9.6Gbps 的典型配置下，HBM3E 的總頻寬可達 1.2TB/s。在採用 8 層堆疊（8-Hi）、單層 24Gb DRAM 晶片的情況下，其單個堆疊容量為 24GB；採用 12 層堆疊時，容量可達 36GB。
加倉加倉：消息透露長鑫記憶體開始試產 HBM3E 記憶體，有望數周內大規模量產
科技#HBM3E#長鑫記憶體#CXMT
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美光「記憶體牆」是需求到頂，還是 AI 速度太快？震為雷的三段承接法 美光出現「記憶體牆」的市場說法，市場很容易把它直接翻譯成「AI 需求到頂」。但從產業結構來看，記憶體牆也可能代表另一件事：AI 運算速度提升後，資料供應在容量、頻寬、延遲、功耗、封裝與交付上，開始需要同步升級。 需求增加與股價下跌並不矛盾。當市場原本已經把高成長預期反映在估值裡，任何供給擴張、產品轉換、交付瓶頸或獲利預期調整，都可能先造成價格修正。因此，今天不把美光單日跌幅直接等同於 AI 趨勢結束，也不把產業需求存在直接等同於股價必然上漲。 8 月 25 日的市場輸入顯示，加權指數下跌 461 點並跌破季線；美光下跌約 6%；外資賣超約 157.4 億元，投信逆勢買超約 30.5 億元；成交量縮至近四個月低位，VIX 約 15.85。這些數字是當日觀察值，不能延伸成後市預測，也不能只用單日法人方向替市場下結論。
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AI記憶體需求的三段驗證法：看懂美光「記憶體牆」背後的承接力 Podcast Platforms - Flink by Firstory
震為雷的市場觀察：需求變速度，速度再變成交付，才算真正落地 美光股價下跌、記憶體市場出現「記憶體牆」的說法，很多人第一時間會問：AI 需求是不是要降溫了？ 這一集，我們用震為雷的六個圖像，拆解市場聲量與真正承接之間的距離：岩上人提醒高期待需要基本面支撐；開花樹提醒單一好消息不等於長期成果；一文書對應消息、規格與交付條件；推車與車上文字，則提醒需求要經過技術、產能與執行，最後才會變成出貨與現金流。 節目中也整理一套可以反覆使用的「需求、速度、交付」三段驗證法：先確認 AI 工作負載是否持續帶動需求，再看 HBM、頻寬、封裝與新技術是否跟得上，最後回到訂單、營收、毛利與現金流，確認需求是否真的完成交付。 這套方法也能用在工作與家庭：遇到突發消息時，先確認事情本身，再辨識急迫程度與負責人，最後留下可驗收的結果與安全 buffer。 想把每日市場資訊整理成自己的觀察紀律，可從這裡了解 MK 陪跑學苑： https://school.happy2brich.com/join-v2?utm_source=podcast&utm_medium=shownotes&utm_campaign=daily_podcast_20260825&utm_content=join_v2_cta [https://school.happy2brich.com/join-v2?utm_source=podcast&utm_medium=shownotes&utm_campaign=daily_podcast_20260825&utm_content=join_v2_cta] Podcast powered by Firstory.
美股#震為雷#AI#人工智慧
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儲存三巨頭，打響HBM4爭霸戰

在HBM3E價格依舊節節攀升之際，儲存龍頭們已圍繞HBM4展開了新一輪的市場份額之爭。據TheElec報導，SK海力士將其位於清州的M15X工廠的量產計畫提前了四個月，將於明年2月開始量產用於HBM4的1b DRAM晶圓。產能方面，該工廠初期規劃約為1萬片，預計到明年底將提升至數萬片。相關人士透露：“裝置投入和安裝工作正在進行，計畫已進行調整，以實現更快、更大規模的量產。”值得一提的是，M15X又被稱作“HBM4專用工廠”，業內人士認為，此次加速生產表明了SK海力士對HBM4供應的信心。截至目前，SK海力士已完成M15X早期投產的技術準備工作，其中就包括完成1b HBM4工藝的認證，其採用改進型電路的HBM4晶圓將於本月底完成晶圓製造，並於明年1月初向輝達交付其下一代12層HBM4記憶體的最終樣品。與此同時，輝達搭載HBM4的Vera Rubin 200平台出貨預期愈發明確。市場預測顯示，偉達GB300 AI伺服器機櫃明年出貨量有望達到5.5萬台，同比增長129%。Vera Rubin 200平台預計將於明年第四季度開始出貨，部分廠商訂單能見度已遠至2027年。▌三巨頭競逐HBM4份額時至今日，SK海力士在全球HBM市場仍佔據龍頭地位。市場調研機構Counterpoint Research資料顯示，今年第三季度，SK海力士全球HBM營收市佔率達57%，雖有下滑但仍好於去年同期。與之相比，三星與美光的市佔率則分別為22%和21%。然而，未來上述格局或將被撼動。據韓國《每日經濟新聞》日前消息，輝達相關團隊訪問了三星，通報了 HBM4 系統級封裝（SiP）的測試進展。會議透露，在運行速度與功耗效率兩項核心指標上，三星的產品在所有記憶體廠商中取得了最佳表現。基於其優異表現，輝達也為三星HBM4的供應亮起了綠燈。據悉，輝達要求的明年三星HBM4供應量大大超過了其內部預測值。 預計這將對三星業績的改善起到顯著作用。三星內部人士表示：“與上次的HBM3E不同,我們在HBM4開發上處於領先地位。”據報導，三星考慮到其平澤P4生產線的增設速度和生產能力等,將於明年第一季度正式簽訂供應合同。 預計將從第二季度開始正式供應。除此之外，美光也參與到HBM4的競爭之中。最新財報顯示，其HBM4將在2026年第二財季按計畫量產並實現高良率產能爬坡。HBM4在基礎邏輯晶片和DRAM核心晶片上採用先進的CMOS和先進金屬化工藝技術，這些晶片均由美光自主設計與製造。華泰證券指出，2026年全球三大儲存企業的資本開支或將集中在HBM/DRAM上。根據TrendForce預測，2026年DRAM位增長率或將達到26%。儲存超級周期有望成為2026年半導體行業重要主線，但呈現結構性分化特徵，Batch ALD裝置、測試裝置及封裝加工裝置的市場需求有望明顯增長。 (科創板日報)
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GPU狂潮：內存巨頭爭奪HBM3e

HBM3e受追捧，輝達GPU訂單爆滿。 人工智慧浪潮持續推動對人工智慧晶片的需求激增。繼HBM 售罄和製造商加大產量以滿足需求的報導之後，最近有消息稱輝達的Blackwell 架構GPU 也供不應求。 輝達的Blackwell GPU 未來12 個月內已售罄 Blackwell GPU 採用客製化的雙光罩極限4NP TSMC 製程製造，GPU 晶片透過10TBps 晶片到晶片鏈路連接到單一統一的GPU，擁有2080 億個電晶體。這比Hopper 系列的800 億個有所增加，並包括第二代變壓器引擎和新的4 位元浮點AI 推理功能。
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三星HBM3E開供輝達

三星電子第五代高頻寬儲存器HBM3E的輝達認證備受關注，有主張稱，三星電子在完成HBM3E 8層產品的質量測試後開始供應。 3日，台灣市場調查機構TrendForce表示：“三星（與SK海力士、美國美光相比）雖然投入得有點晚，但最近完成了HBM3E認證，開始出貨H200用HBM3E 8段產品。對Blackwell系列的認證也在順利進行中。” H200是輝達最新的圖形處理器（GPU），搭載HBM3E（8層）。TrendForce上月初預測，由於H200的出貨，今年HBM3E的消費佔有率將提高到60%以上。 TrendForce解釋說：“今年輝達的產品陣容將成為H200首款搭載HBM3E8層儲存器堆疊的GPU，掀起軒然大波。即將上市的Blackwell也計畫完全採用HBM3E。” (大話晶片)
三星HBM3E開供輝達
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