11月7日消息，據Tom's hardware報導，特斯拉近日披露了其調整後的AI加速器路線圖，較為清晰地展示了該公司未來AI晶片研發的走向。
這家由埃隆·馬斯克領導的公司預計，其第六代推理加速器將帶來比現有第四代晶片高出80倍的計算性能；而第三代Dojo訓練加速器（D3）將放棄以SRAM為中心的架構，轉向採用堆疊HBM的多芯粒（chiplet）設計。
按照特斯拉過往對其AI晶片的命名規則，最近幾代的晶片應該是“AI4、AI5、AI6”。但在最新演示中，它們被更名為SI4、SI5、SI6。
而這與美國總統川普總統希望用“超級智能”（Super Intelligence，SI）取代“人工智慧”（AI）有關。看來，特斯拉已用“超級智能”（Super Intelligence）取代“人工智慧”來命名其AI加速器，統一改用“SI”前綴。馬斯克近期也確認，SpaceXAI將出於同樣原因更名為SpaceXSI。
Dojo D3將採用Chiplet設計
特斯拉AI硬體路線圖中最引人注目的進展，或許是自研Dojo訓練加速器的重新回歸。此前，馬斯克於2025年8月取消了整個Dojo項目，又在2026年8月表示SpaceX和xAI將在地面和太空資料中心獨家使用輝達硬體。然而，Dojo 3將與前兩代Dojo 1和Dojo 2有顯著不同。
特斯拉將下一代Dojo 3（D3）訓練加速器描述為一種基於Chiplet的設計，結合2.5D和3D封裝技術並採用堆疊HBM。這與最初的Dojo D1系統級晶圓（system-on-wafer）架構相比是一次重大轉變——D1依賴分佈式片上SRAM，通過晶圓級封裝技術將25顆D1處理器與11 GB SRAM互連。採用HBM表明特斯拉打算大幅提升記憶體容量，因為現代AI模型需要消耗極大量記憶體來記憶體參數、啟動值和中間資料，從容量角度看SRAM已不再有吸引力。使用HBM簡化了記憶體擴展，但也帶來了延遲、頻寬、封裝和功耗方面不同的權衡。不過，該公司是否已完全放棄晶圓級整合，目前仍不清楚。
一方面，可以將定製HBM模組堆疊在通過晶圓級封裝技術互連的邏輯晶粒之上。另一方面，晶圓級整合成本高昂，只對特定用例最具意義，其中包括以SRAM為中心的架構。將HBM堆疊在晶圓級互連的邏輯晶粒之上，會進一步增加設計複雜性、散熱挑戰、製造複雜度（即可能降低良率）、長期可靠性問題，並最終推高成本。雖然其中大部分挑戰可以通過增加冗餘和改進工藝技術來解決，但這一切都有代價，使得D3採用晶圓級方案的可能性降低。
特斯拉尚未披露D3的計算性能、記憶體容量、製造工藝或開發時間表。與此同時，該公司聲稱Dojo D3將針對“太空、訓練和擴展”進行最佳化，這意味著該單元將提供不錯的性能且易於擴展（這再次指向更常規的加速器架構，而非晶圓級封裝）。更耐人尋味的是，D3還將針對地外部署進行最佳化，這很可能意味著至少部分SKU會做抗輻射加固。
SI6：性能達SI4的80倍
在AI晶片路線圖中另一個有趣的細節是，特斯拉披露了第六代推理加速器（SI6）的大致計算性能：計算性能比目前用於其汽車的第四代推理處理器（最初叫HW4，後更名為AI4，再更名為SI4）提升80倍，記憶體比SI4提升9倍。
但是這取決於SI4性能的衡量方式，這意味著17,280至46,080 TOPS（每秒兆次運算），即17.28至46.08 POPS（每秒千兆次運算），不過我們尚不清楚SI6支援的資料格式。當然，這些只是估算，僅供參考。
作為參照，輝達Rubin GPU提供50 NVFP4 PFLOPS的推理性能、35 NVFP4 PFLOPS的訓練性能，以及17.5 FP8/FP6 PFLOPS。與此同時，Rubin目前已在向客戶出貨，而SI6要到2029至2030年才推出。
特斯拉SI4由三星代工採用7nm級工藝製造，採用傳統倒裝晶片球柵陣列（FCBGA）封裝（注意：據稱的特斯拉幻燈片存在一處錯誤，稱該單元採用5nm級節點製造），並推測配備16 GB GDDR6記憶體。
特斯拉將該處理器描述為其全自動駕駛（FSD）技術當前的基準，這使其成為衡量未來各代性能的基線。與此同時，特斯拉並未官方披露該晶片的絕對計算性能數字、記憶體容量或功耗，這使得比較變得困難。馬斯克曾表示HW4比HW3強大3至8倍，而HW3的官方額定值為72 TOPS，據此HW4約為216至576 TOPS的專用積體電路（注意這些均為估算）。
此外，幻燈片再次確認，即將推出的第五代推理加速器SI5（又稱HW5、AI5）將分別由台積電和三星代工採用3nm級和2nm級工藝製造，並將採用多晶片模組（MCM）設計，這與SI4所用的傳統封裝方式不同。
特斯拉預計SI5將比SI4帶來40倍的性能提升。據馬斯克稱，這來自計算能力8倍的提升（由更密集的工藝技術和更多執行單元驅動）以及矽片最佳化帶來的5倍增益，據此約為8,640至23,040 TOPS（估算數字），具體取決於如何計算SI4的性能。與此同時，SI5預計功耗在250W至800W之間，視應用而定，因此在現階段做性能估算並非易事。此外，SI5的記憶體將比前代多6倍（即96 GB）。頻寬取決於所用記憶體類型（GDDR6或GDDR7），SI5的記憶體頻寬可在768 GB/s至1,536 GB/s之間。
再看特斯拉第六代推理加速器（SI6），其計算性能將進一步提升至SI4的80倍，記憶體為當前代處理器的8倍。這可能意味著17.28至46.08 POPS（每秒千兆次運算），取決於如何計算SI4性能，以及144 GB記憶體——對於AI加速器而言，這是相當可觀的性能和記憶體容量。
特斯拉已與三星代工簽署協議，由其在2033年前製造第六代推理加速器，而新幻燈片顯示該單元將採用2nm級工藝製造。鑑於該晶片預計2029至2030年推出，以及三星近期更新的代工路線圖，我們談論的可能是有汽車級SF2A、性能增強型SF2P，甚至帶背面供電的SF2Z。與此同時，SI6引人注目的一點是，特斯拉並不設想該晶片在2030年代於Terafab採用英特爾14A製程生產。
SI6將保留AI5/SI5/HW5引入的多晶片模組（MCM）方案，這似乎合理，因為它能夠利用第五代推理加速器積累的經驗，並保持相對合理的封裝成本。許多汽車製造商正在考慮為其下一代系統級封裝（SiP）採用多芯粒設計和HBM記憶體，這將推高其成本。特斯拉何時在推理加速器上採用HBM仍有待觀察，但很可能不會在SI6上。(芯智訊)