據報導，三星電子和SK海力士正在競相訂購極紫外（EUV）光刻裝置，雙方的投資額均在10兆至20兆韓元之間。由於ASML已正式宣佈2027-2028年EUV裝置供應將出現缺口，因此確保裝置交付已成為擴大先進DRAM規模的關鍵。
據業內人士8日透露，SK海力士和SK海力士計畫從明年開始分階段接收ASML的EUV光刻裝置。SK海力士在3月份宣佈將採購價值約11.95兆韓元的EUV裝置，交付期限為2027年12月31日。由於供應短缺，關鍵裝置的交付周期已延長至此前最長的兩倍，兩家公司正在考慮提前下單。根據實際情況，兩家公司還計畫追加訂單，這增加了資本支出進一步增加的可能性。
三星電子正隨著其在平澤的投資項目不斷增加訂單。去年11月，三星電子宣佈了一項為期五年、總額達450兆韓元的韓國國內投資計畫，其中包括平澤園區第五條生產線（P5），並設定了2028年投產的目標。據悉，P5每座晶圓廠的投資額超過60兆韓元。業內人士預計，P5一期潔淨室工程將於明年上半年完工，屆時將開始裝置搬遷。三星電子已為該生產線訂購了光刻裝置。
EUV光刻裝置使用波長為13.5奈米（nm）的光刻蝕電路，減少了以往需要多次曝光才能完成圖案的多重曝光步驟，從而提高了精度和良率。對於10奈米級的第六代（1c）DRAM等先進DRAM，隨著電路間距的縮小，採用EUV光刻技術的工藝層數也在增加。市場研究公司TrendForce表示，SK海力士計畫在1c DRAM中應用EUV光刻技術超過五層，比上一代產品多兩層。
此前，ASML在今年第三季度財報中表示，其目前計畫的2027-2028年產能供應將無法滿足客戶需求。儘管今年EUV光刻機的出貨量約為65台，較去年的44台增長近50%，但該公司表示，即使2027年產能增長30%，以及正在考慮的2028年再增長30%，仍然不足以滿足需求。關鍵產品價格上漲的影響將於明年開始顯現，預計將在2028年全面顯現。今年第三季度，記憶體器銷售額佔系統總銷售額的46%。
基於EUV光刻機的下一代DRAM生產也已趨於穩定。2020年3月，三星電子出貨了業界首批採用EUV光刻技術的DRAM模組，積累了相關技術，並擁有記憶體器領域最多的EUV光刻機。SK海力士於2021年2月在位於利川的M16晶圓廠安裝了其首台EUV光刻機，並於去年9月引進了業界首台高數值孔徑（高NA）EUV光刻機量產。9月8日，三星電子宣佈擴大與ASML的合作，並表示將在2028年前推出用於DRAM量產的高NA EUV光刻機。
與此同時，後端裝置製造商也面臨著兩到三年的訂單積壓。據業內人士透露，韓美半導體和安靠半導體已基本完成訂單量鎖定。他們正在提升人工智慧資料中心關鍵工藝裝置的產能，包括熱壓鍵合機。一位半導體行業人士表示：“對於人工智慧資料中心安裝的晶片而言，後端工藝的重要性日益凸顯，後端工藝通過多種方式將單個晶片捆綁連接，以實現高容量和高性能，而前端工藝的重要性則更加凸顯。”他補充道：“隨著這一生態系統的形成，韓美半導體和安靠半導體也與前端企業的蓬勃發展密不可分。”(半導體行業觀察)