長江儲存在美控告美光侵犯8項3D NAND美國專利，欲以戰止戰？

長江儲存在美國控告美系存儲大廠美光Micron侵犯其8項3D NAND相關的美國專利。業界人士指出，長江存儲發起這次的專利戰真正目的，是為了在美國的出口管制封鎖下，為公司爭取公平談判的機會，是為公司的生存而戰。

長江儲存指控美光侵犯了美國專利號為“ 10,950,623” 、“ 11,501,822” 、“ 10,658,378” 、“ 10,937,806 ” 、 “ 10,861,872” 101, 10,501, 505, 105, 105, 105, 105, 105, 105, 105, 105, 5095 , 105 ,“ 305 ” 868,031 "。美光被長江儲存控告侵權的產品包括96層、128層、176層、232層的3D NAND 。

長江儲存在起訴書中指出，長江儲存已是全球3D NAND領域的重要參與者，去年11月市調公司TechInsights公司追蹤市場技術發展後得出結論：長江儲存是3D NAND領域的領導者，技術已經超越美光。

事實上，2022年10月美國針對長江儲存祭出出口管制之前，長江儲存的128層3D NAND晶片產品已經打入蘋果供應鏈，獲得蘋果的技術和品質認可，會使用在中國市場銷售的iPhone智能手機內。當時蘋果也希望採用長江儲存的3D NAND晶片，主要原因是不希望快閃記憶體晶片都被三星、SK海力士、美光箝制，二來也是基於成本考量。但受到美國突如其來的出口管制影響，蘋果只能轉向其他3D NAND供應商拿貨。

長江儲存在3D NAND技術上確實具有優勢有兩個原因。第一，長江儲存選擇加入3D NAND技術開發的時間點，剛好是傳統平面式NAND Flash技術發展到盡頭，所有的主流國際大廠都要轉向3D NAND技術，這也是NAND Flash技術發展的重要轉折點，長江儲存加入快閃記憶體研發的時間，等同是與國際大廠站在同一個起跑線上競爭。

第二的優勢是長江儲存獨家的「晶棧」Xtacking技術的研發成功，不但獲得專利的保護，更讓3D NAND技術技術可以快速追上國際大廠，目前Xtacking技術已經發展到Xtacking 3.0架構。當時傳出不少儲存國際大廠包括韓系業者，都對於長江儲存的「晶棧」Xtacking技術非常感興趣，甚至傳出不排除以技術交叉授權的方式來彼此合作，足見Xtacking技術已經讓長江儲存在3D NAND的發展，獲得護城河的保護作用。

縱觀歷史，專利大戰的目的往往是醉翁之意不在酒，在許多案例上，並不是真的要靠手上專利權告倒對方，或是藉此拿走一大筆錢。引戰，往往是要「止戰」，這才是許多專利大戰背後真正的目的。

長江儲存在美國出口管制之下遭受很多不公平對待，這次在美國對美光提起專利訴訟，目的應該是想獲得公平談判的機會，長江存儲也深知“解鈴還須系鈴人” ，這才是告上美光真正的原因。（問芯Voice）