•
晶片大廠，開始新一輪擴產
半導體產業正逐步走出本輪低谷。隨著行情回暖，晶片大廠開始為下一輪上行週期做準備，推進擴產。
同時，全球半導體產業鏈的重建正在進行中，在各國政府的大手筆補貼下，晶片大廠紛紛開啟新一輪建廠，加大佈局搶佔市場。
本文為大家盤點近期大廠的擴產、建廠計劃，並總結這些擴建主要集中在哪些地方、針對哪些需求。
01 儲存廠商，恢復產能
在需求緩慢恢復以及價格觸及反彈的推動下，三大存儲原廠最新一季的財報都傳來喜訊。
其中，4月5日，三星電子公佈的獲利指引顯示，第一季營收升至約71兆韓元，年增11%；營業利潤約6.6兆韓元，年比暴增931%，為三星電子自2022年第三季以來的最高營業利潤。
美光結束了連續五個季度的虧損。美光截止2024年2月29日的第二季財報顯示，受惠於DRAM及NAND Flash需求及物價同步上升，該季營收58.2億美元，年比大漲58%，季增23%；淨利為7.93億美元，實現轉虧為盈。
SK海力士則在更早的2023年第四季率先實現業績回升。財報顯示，SK海力士2023年第四季營收年增47.4%，至11.3兆韓元，超過了分析師的最高預期；營業利潤為3,460億韓元，結束了自2022年第四季以來持續的營業虧損。
業績回升之際，儲存原廠也逐漸恢復產能供給。此外，在AI浪潮的推動下，積極推動HBM擴產。
三星電子
據報道，三星電子今年第一季在韓國平澤和中國西安NAND Flash快閃記憶體生產線的晶圓投片量，相較上一季將提升約30%。不過，三星方面對進一步的增產仍保持謹慎態度，希望避免影響NAND Flash的價格漲勢。
在DRAM方面，根據市場研究機構Omdia的報告，三星電子已將今年第二季度的平均每月DRAM晶圓投入量調升至60萬片，環比增長13%；預計下半年將DRAM晶圓投入量增加至66萬片，DRAM產量恢復到削減前的水準。
HBM擴產超於預期。三星電子高層在「Memcon 2024」全球半導體大會上表示，預計三星今年的HBM晶片產量將比去年增加2.9倍，高於年初預測的2.4倍。
SK海力士
SK海力士的DRAM投片量也逐漸恢復。 Omdia表示，SK海力士將把每月平均DRAM晶圓投入量從第一季的39萬片增加到第二季的41萬片；下半年預計該公司的DRAM晶圓投入量將增加至45萬片。
在AI浪潮的帶動下，高效能記憶體需求猛漲。作為HBM技術的領先者，SK海力士也在加碼高效能記憶體的投資。 4月4日，SK海力士宣布，計畫投資38.7億美元在美國印第安納州西拉法葉建造記憶體先進封裝生產基地，該基地預計在2028年下半年開始量產新一代HBM等適於AI的記憶體產品。
鎧俠/西部數據
根據TrendForce集邦諮詢研究，今年三月起鎧俠/西部數據率先將產能利用率恢復至近九成。此舉可望帶動2024年NAND Flash產業供給位元年增率達10.9%。
半導體產業是典型的週期性產業，大概每3~5年經歷一次相對大的起伏和下滑。多家產業協會和市場分析機構認為，2024年全球半導體市場將迎週期性回升。
其中，SIA預測稱，2024年全球半導體產業銷售額將成長13.1%。市場機構IDC則預計，半導體市場將在2024年回歸成長趨勢，年增率將在20%以上，市場規模達6,302億美元，其中儲存市場成長將最為強勁。
因此，儲存原廠目前的增產舉動，可以理解是為即將到來的上行週期做準備。除了記憶體，其他半導體細分領域也陸續擴產的消息傳來。例如，近日瑞薩電子正式重啟富士山附近一家已休眠九年多的工廠，以滿足電動車和資料中心所用功率半導體不斷增長的需求，預計該廠從明年開始將使瑞薩電子的功率半導體產量翻一番。
02 晶片大廠，在美國瘋狂建廠
除了產業回暖，這一輪擴產潮/建廠潮的另一個有力推手是政府補貼。受地緣政治影響，半導體產業的「逆全球化」加劇。
在地化生產成為各國政府半導體政策的重要方向。目前，美國、日本、歐洲、印度等國家和地區都在釋放優惠政策吸引晶片巨頭投資。
其中，在美國《晶片法案》527億美元補貼的推動下，晶片大廠紛紛擴大在美國的佈局。
格芯
2月19日，美國商務部宣布，將提供約15億美元的資金用以支持格芯新建最先進的設施、大幅產能擴張以及對工廠進行現代化改造，以增強美國在當前一代和成熟節點半導體生產方面的競爭力。
格芯將使用這15億美元來支援三個半導體項目，分別是：在紐約州馬耳他新建最先進的12吋晶圓廠，該廠預計將生產美國目前尚不具備的高價值技術；擴建紐約馬耳他現有製造工廠；振興佛蒙特州伯靈頓的現有製造工廠，使其成為成為美國第一家能夠大量生產下一代GaN矽晶片的工廠，該晶片廣泛應用於電動車、電網和智慧型手機。
英特爾
根據美國商務部3月20日的新聞稿，英特爾獲得的85億美元資金補助將用於支持其在美國四個州的多個半導體項目建設。此外，未來五年，英特爾預計在這四個州的投資將超過1000億美元。
一系列建廠或改造計畫包括：在亞利桑那州錢德勒市建造兩座新的尖端邏輯工廠並對一座現有工廠進行現代化改造以顯著提高尖端邏輯產能；在新墨西哥州里奧蘭喬市將兩家工廠改造成先進封裝廠；在俄亥俄州新奧爾巴尼市建造兩座領先的邏輯工廠等。
英式積電
美國商務部4月8日宣布，66億美元資金補貼將用於支持台積電在亞利桑那州三座晶圓廠的建設，其中一座為新廠。而台積電在亞利桑那州的投資將增加到650億美元。
三座工廠中，晶圓一廠預計於2025年上半年開始採用4nm FinFET製程生產；晶圓二廠除了先前宣布的3nm技術外，還將採用2nm製程技術。規劃新建設的晶圓三廠將根據客戶需求生產2nm或更先進的製程技術的晶片。三座工廠將滿足5G/6G 智慧型手機、自動駕駛汽車和人工智慧資料中心伺服器等領域的產品需求。
三星電子
根據美國商務部4月15日發布的聲明，64億美元資助將以擴大三星在德州的晶片生產。
在這個基礎上，三星也將追加超過400億美元的投資用以擴大現有的德州奧斯汀工廠，擴大FD-SOI（全耗盡型絕緣體上矽）製程產能。此外，三星還將在德州泰勒市建造全面的先進製造生態系統，包括將建造兩家4nm和2nm晶圓代工廠、一座研發基地，以及一家生產3D HBM記憶體和進行2.5D封裝的先進封裝工廠。
美國商務部表示，得益於三星電子、台積電亞利桑那州等投資，到2030年，美國可望生產全球約20%的尖端晶片。
數據顯示，美國在全球半導體製造能力中所佔的份額從1990年的37%下降到2020年的12%。因此，2022年《晶片法案》推出以來，美國就一直在積極推進先進晶片製造回流到美國。
從527億美元的補貼方向來看，美國希望加強兩方面的晶片生產能力，一方面是用於人工智慧領域的先進邏輯晶片、高頻寬儲存晶片及對應的先進封裝製程；另一方面是成熟的晶圓代工能力，其主要支援汽車和國防工業的晶片生產。
不過，要注意的是，上述晶片大廠與美國商務部簽署的是不具約束力的初步條款備忘錄(PMT)。最終條款可能與PMT的不同。(芯師爺)