7月25日，高盛發佈最新研報認為，中國記憶體產業已經進入新一輪擴產周期，本土DRAM廠商未來幾年將持續擴建產能，而AI帶來的記憶體需求仍然遠遠超過供給，未來不僅記憶體價格仍有上漲空間，整個半導體裝置產業鏈也將迎來長期受益機會。 因此，高盛繼續堅定看好中國半導體生產裝置類股，並維持對北方華創、中微公司、ACM Research、珂瑪科技等公司的買入評級。 為什麼高盛如此樂觀？這次高盛專門邀請了中國記憶體產業專家進行了電話會議，重點討論了三個問題：中國DRAM到底還能擴產多少、國產記憶體技術進步到什麼程度，以及AI時代記憶體價格還能漲多久？ 一、中國DRAM進入擴產時代，2030年產能有望翻倍

7月17日晚間，磷酸鐵鋰龍頭湖南裕能（301358.SZ)公告稱，公司擬在貴州省甕安縣投資建設貴州裕能（甕安）礦化一體新能源電池材料循環產業項目，項目總投資約240億元。資金來源為自有資金及自籌資金。 湖南裕能表示，本次投資旨在深入推進一體化戰略。該項目的預計建設周期長達5年，最終以實際建設情況為準。建設內容包括80萬噸磷酸鐵鋰、100萬噸磷酸鐵及其上游產業鏈項目，涉及磷酸鐵鋰、磷酸鐵、磷源(磷礦開採、選礦、磷化工及生產磷酸所需的硫酸)、鐵源(硫鐵礦等)、碳酸鋰加工及鋰電池回收等。 公告稱，將結合市場情況等因素分步實施建設，其中計畫在項目正式開始建設後的18個月內投資50億元~80億元，後續將根據未來市場需求等情況調整實施節奏。 同日，湖南裕能還公告稱，公司終止在貴州省福泉市雙龍園區投資建設的50萬噸/年銅冶煉及配套項目，並終止原計畫基於該項目的關聯方共同投資安排。原因是受銅精礦資源條件約束，項目已不具備可行性。截至2026年5月31日，項目已發生投資5億元，其中大部分資產可繼續用於公司現有或未來業務發展，項目終止對當期財務狀況和經營成果影響較小。

隨著下游儲存產能擴容、海外設備交付緊缺疊加技術持續突破，FT測試設備與量檢測設備國產替代空間廣闊。 智通財經APP獲悉，國金證券發佈研報稱，全球AI算力與HBM儲存產能擴張帶動半導體設備需求高景氣，後道測試與前道量檢測雙賽道成長確定性突出。產業鏈維度，測試是中游封測核心質控環節，測試機在後道測試設備中價值佔比約63%;韜定律重構產業價值分配，後道FT測試設備受3D堆疊、Chiplet技術驅動，測試複雜度與單機價值大幅提升，預計2026E-2030E年全球市場CAGR達7.5%。而前道量檢測設備貫穿晶圓全製程質控，在全球半導體設備市場價值佔比13%，預計2026E-2030E年全球市場CAGR為10.8%。目前兩大賽道均被海外龍頭高度壟斷，儲存測試機雙巨頭合計全球市佔率達99%，而國內量檢測設備國產化率僅1%-10%，替代進度墊底。隨著下游儲存產能擴容、海外設備交付緊缺疊加技術持續突破，FT測試設備與量檢測設備國產替代空間廣闊。 國金證券主要觀點如下： 儲存擴產周期開啓，半導體設備需求上行

6月3日消息，據外媒報導，SK海力士計畫在未來五年內將其記憶體晶片晶圓產能翻番，這一重大擴產舉措應助力緩解這一人工智慧(AI)關鍵元件的全球短缺局面！ 據報導，到2026年底，其第六代10奈米DRAM（1c DRAM）月產量將從約2萬片提高到16 - 19萬片，增幅8 - 9倍，擴產佔DRAM總產能超三分之一，支援GDDR7和SOCAMM2等產品生產。 戰略包括升級現有設施和建設新生產線，2027年將M16工廠1a和1b DRAM生產線轉換為1c DRAM生產，2027年初目標月產量達17 - 20萬片，較之前目標翻倍。 擴產是150億美元下一代記憶體技術投資計畫一部分，支援AI加速器和資料中心GPU，還包括提升先進封裝能力滿足GPU供應商需求。分析人士預計，因供應受限和需求強勁，全球記憶體短缺和價格壓力將持續到2026年。

4月17日消息，據業內報導，因為龐大儲存晶片訂單湧入，中國國產儲存正以最快速度擴充產能！業內人士指出，某國產儲存為了保證產能，在今年建成一座新廠的基礎上，將再建兩座工廠。當這三座工廠全速生產時，其總產能將從目前的每月20萬片晶圓翻倍至40萬片晶圓。“可以說是史詩級擴產”。據悉，此次三期工廠採購的國產裝置，覆蓋了3D NAND垂直堆疊等核心生產環節。目前國內晶圓廠的國產裝置整體佔比僅15%至30%，三期工廠的落地，也將成為國產半導體裝置在規模化量產場景下的一次關鍵驗證，考驗國產裝置能否支撐3D NAND的規模化量產良率，目前這一目標的實現仍存在不確定性。後續兩座新廠的建設規劃，將直接取決於三期工廠的量產驗證結果。為推動半導體裝置國產化，相關部門已投入並將持續投入數百億資金，扶持本土技術追趕國際領先水平。除了NAND快閃記憶體的核心主業，此國產儲存商也在儲存品類上實現新突破。消息顯示，該公司已向客戶送樣低功耗DRAM產品，預計今年年底獲得客戶反饋。有市場分析機構指出，隨著產能的提升，預計2027年初的NAND快閃記憶體市場份額將突破14%，也就是說進一步貼近前三名，分別是三星的30.4%、SK海力士的16%、以及鎧俠（Kioxia）的15.9%。 (國芯網)

紅色三倍速！據路透社獨家報導，長江存儲計畫在現有兩座工廠的基礎上，再新建三座現代化晶圓廠，旨在實現產能的成倍增長。知情人士透露，長江存儲位於武漢的第三工廠已完成主體建設，目前正在密集安裝裝置，預計將於今年年底前正式投產。屆時，該工廠的月產能將逐步爬坡至 50,000 片。而後續規劃中的兩座新工廠，將使長江存儲的總月產能在未來幾年內突破 50 萬片大關，徹底改變全球 NAND 快閃記憶體的市場格局。最令人振奮的是，長江存儲在自主化道路上邁出了堅實一步。消息稱，其第三工廠的裝置國產化率已突破 50%，包括用於晶片垂直堆疊的關鍵工具在內，大量採購了中微公司（AMEC）等本土領軍企業的裝置。自 2022 年被列入“實體清單”以來，長江存儲與國內供應商的協作深度已不可同日而語。在技術層面，分析師認為長江存儲最新的 Xtacking 4.0 架構已經足以與三星、SK 海力士等國際巨頭掰手腕。瑞銀（UBS）報告顯示，去年長江存儲在全球 NAND 快閃記憶體市場的份額已達 11.8%，與閃迪（Sandisk）平起平坐，並預計在 2027 年初突破 14%。不僅如此，長江存儲的野心正在從 NAND 快閃記憶體延伸至 DRAM 記憶體領域。新規劃的三座工廠均預留了 DRAM 產能。目前，長江存儲已向客戶傳送了低功耗記憶體（LPDDR）樣品，預計年底前將收到反饋。一旦通過驗證，國產儲存將迎來又一個“雙核驅動”的巨頭。如今世界儲存格局大變，原本數家原廠都去轉移產能生產 HBM 高頻寬記憶體，這就導致 OEM 廠、移動等等很多原本需求大量儲存的消費行業出現了供應真空。而這種市場情況，恰好為國產廠商提供了機會，巨大的供應缺口急需有實力的廠商填補。此前宏碁董事長陳俊聖直言不諱地表示：“如果中國企業開放產能，市場供需結構只需幾個月就能發生逆轉。” (AMP實驗室)

什麼是CoWoS？CoWoS是台積電獨創的一種先進封裝技術，全稱為 Chip-on-Wafer-on-Substrate（晶片-晶圓-基板）。簡單來說，它不是一種晶片製造技術（比如5奈米、3奈米），而是一種將不同晶片“組裝”在一起的高級方法。你可以把它想像成：傳統方法是把晶片像獨立的零件一樣焊在主機板上，而CoWoS則是在一個微型的“高科技托盤”上，把多個高性能晶片緊密地封裝在一起，形成一個功能強大的“超級晶片”。它屬於2.5D封裝技術。2D封裝傳統的，一個晶片封裝在一個基板上。3D封裝將多個晶片直接垂直堆疊起來（例如快閃記憶體晶片）。2.5D封裝 (CoWoS就是)將多個晶片水平放置在一個 közbenső層（Interposer）上，然後再整體封裝到基板上。這個 közbenső層是關鍵。CoWoS 的核心結構與工作原理CoWoS這個名字本身就揭示了它的三層結構：Chip (晶片)：頂層的核心部件。通常包括一個或多個邏輯晶片（如GPU、CPU、ASIC）和多個高頻寬記憶體（HBM，High-Bandwidth Memory）。例如，NVIDIA的H100 GPU就是將一個大的GPU邏輯晶片和幾顆HBM記憶體放在一起。Wafer (矽中介層 - Silicon Interposer)：這是CoWoS技術的靈魂。它是一塊非常薄的矽片，上面刻有極其精密的線路。它的作用像一個“超高速立交橋”，讓頂層的邏輯晶片和HBM記憶體之間可以進行超高密度、超高頻寬的資料交換。為什麼需要它？如果直接把GPU和HBM放在傳統的PCB基板上，它們之間的距離會很遠，線路也很粗，資料傳輸速度慢、延遲高、功耗大。而矽中介層上的線路間距可以做到微米級，比基板小幾個數量級，從而實現了極短、極快的連接。Substrate (基板)：最底層的載體。矽中介層的尺寸非常精密，無法直接銲接到電腦主機板上。基板的作用就是扮演一個“轉換器”，將中介層上微小的引腳（Micro-bumps）連接轉換成尺寸更大的焊球（BGA Balls），以便最終能安裝在普通的PCB電路板上。整個流程就像：將高性能的晶片（Chip），通過微小的焊點安裝在佈滿高速公路的矽中介層（Wafer）上，再將這個整體封裝到一個基板（Substrate）上，最終形成一個可以被使用的完整晶片產品。CoWoS 的主要優勢極高的頻寬和極低的延遲這是CoWoS最核心的價值。通過矽中介層，GPU等計算核心可以和HBM記憶體實現數TB/s的超高頻寬，這是AI訓練和推理所必需的，能有效解決“記憶體牆”問題。異構整合 (Heterogeneous Integration)CoWoS允許將不同工藝、不同功能、甚至不同廠商的晶片（Chiplets）整合在一個封裝內。例如，邏輯晶片可以用最先進的3nm工藝來追求性能，而I/O晶片可以用較成熟的工藝來控製成本。這打破了“所有功能必須整合在單一晶片上”的限制，延續了摩爾定律的精神。功耗更低因為晶片間的連接距離被縮短到微米級，訊號傳輸所需的能量大大減少，從而降低了整體功耗。尺寸更小相比於在主機板上分散佈置多個晶片，CoWoS將它們整合在一起，大大縮小了最終產品的尺寸和主機板面積。CoWoS 的技術演進和不同版本為了應對不同的成本和性能需求，台積電發展出了一個CoWoS家族：CoWoS-S (Silicon Interposer)：最經典、性能最高的版本，使用完整的矽中介層。NVIDIA的A100/H100/H200/B100等頂級AI晶片都採用這種技術。缺點是成本非常高昂，因為需要一大塊高精度的矽片。CoWoS-R (RDL Interposer)：這是一個更具成本效益的方案。它使用有機材料和重布線層（RDL, Re-Distribution Layer）來代替昂貴的矽中介層。性能略低於CoWoS-S，但成本優勢明顯，適用於對成本更敏感的應用。CoWoS-L (LSI & RDL Interposer)：這是最新的混合型方案。它結合了CoWoS-S和-R的優點，在一個有機基板中嵌入了多個小塊的本地矽橋（LSI, Local Silicon Interconnect）。這些矽橋只在需要超高密度互連的關鍵區域使用（例如連接邏輯晶片和HBM），其他區域則使用成本較低的RDL。這在性能和成本之間取得了很好的平衡，被認為是未來的一個重要方向。主要應用領域與市場影響AI 加速器 / 資料中心GPU這是CoWoS的“殺手級應用”。沒有CoWoS，就沒有今天NVIDIA A100/H100等AI算力霸主。AMD的Instinct系列AI加速器也同樣依賴此技術。高性能計算 (HPC)用於超級電腦和科學計算的處理器。高端網路晶片用於資料中心的高速交換機和路由器。高端FPGA可程式設計邏輯晶片也用它來整合HBM和高速收發器。由於AI需求的爆炸式增長，對CoWoS產能的需求也急劇飆升，導致台積電的CoWoS產能一度成為全球AI供應鏈最關鍵的瓶頸之一。台積電也為此投入巨資，在全球範圍內（尤其是在台灣）瘋狂擴建CoWoS封測廠。台積電的CoWoS技術是後摩爾定律時代，通過系統級創新延續晶片性能增長的關鍵使能者。它通過2.5D封裝的形式，實現了晶片間的超高頻寬互聯，完美滿足了AI、HPC等應用對海量資料搬運的需求。可以說，CoWoS不僅是台積電領先全球的護城河之一，更是整個AI產業發展的基石。 (葉檸風Mireille)

“我不知道”如果你身邊有朋友問你，“記憶體什麼時候能降價”，那麼你可以把這個文章甩給他，直接告訴ta，你不知道。全球主要 DRAM 供應商之一 SK 海力士近日就當前記憶體市場供應短缺及擴產計畫發表了看法。由於 AI 產業需求的爆炸性增長，記憶體供應持續緊張，製造商們面臨著激進的價格上漲壓力。有行業預測顯示，記憶體短缺的局面可能將持續到 2027 年甚至更久。WCCFTech向海力士談論了如今的“記憶體超級周期”以及公司的對策，海力士表示目前下結論還為時尚早。海力士表示，公司已提前完成 M15X 晶圓廠兩年的建設工作並已啟用。該工廠將專注於HBM的生產，計畫在明年啟動全面量產。M15X是SK海力士投入約36億美元的重大項目，預計將為公司整體晶圓產能貢獻重要份額。公司還提及正在建設中的龍仁（Yongin）晶圓廠，該廠預計在 2027 年上半年投產。公司表示，鑑於記憶體需求增長速度超過預期，公司正通過建設 M15X 和龍仁工廠等先進生產基礎設施，主動確保“晶圓廠空間”和“生產能力”，以高效響應不斷增長的 AI 記憶體需求和客戶的演變要求。而問及記憶體短缺何時結束時，海力士認為，由於 AI 領域潛在需求的不確定性，供應鏈仍在適應新的市場格局，無法精準預測短缺的持續時間。目前，公司計畫在HBM 市場保持高份額，不僅繼續供應主要的 GPU 客戶，還將覆蓋包括 ASIC 領域在內的多元化客戶群體。有意思的是，海力士明確知道，當下的消費級通用記憶體市場（用於PC、手機的普通記憶體）供應處於緊迫局勢，其表示這是由於大型雲服務提供商（CSP）和科技巨頭傾向於鎖定長期 DRAM 採購合同，而供給側產量不足導致。公司估計，2027年上半年將大幅增加DRAM生產能力，以滿足市場需求，但考慮到從工廠擴建到生產線重新分配需要數月時間，消費級產品，包括 DDR5 記憶體等，價格短期內恐將持續承壓。顯然，儲存巨頭正在將產能重心從傳統的通用記憶體轉向高利潤、高技術壁壘的 AI 記憶體。而對於普通消費者和終端銷售商，可能不得不繼續承受這一輪 AI 軍備競賽帶來的成本外溢效應。 (AMP實驗室)