三巨頭爭相擴產 近期，三星電子、SK海力士、美光科技集中公佈大規模擴產計畫，投資重點集中在HBM、伺服器DRAM與企業級NAND快閃記憶體。 三巨頭一再強調新增產能大多鎖定雲廠商長期訂單，而且產能建設周期較長，晶圓廠從土建、裝置搬入偵錯到良率爬坡，需要兩三年甚至四五年時間，同時AI記憶體需求激增，所以短期內供不應求的局面不會改變。 8月13日，SK集團會長崔泰源接受CNBC專訪時更是提出了“記憶體荒”的概念。他預測，2027年缺口最為突出，緊張局面或將延續至2030年。他對記憶體價格的暴漲表示抱歉，但也表示無奈，供應短缺實在太嚴重了。

真是此地無銀三百兩。 世間很多事，越是高聲否認，越坐實心中有鬼。 我們看到，一方面，美國仍喋喋不休宣稱，美軍彈藥充足，打仗管夠。 川普公開就說：“美國擁有大量'彈藥'，尤其是某些類型的……此外，大量庫存，正在根據需要生產並運往美國。國防公司正在建設中國歷史上最多的工廠和設施。”

7月25日，高盛發佈最新研報認為，中國記憶體產業已經進入新一輪擴產周期，本土DRAM廠商未來幾年將持續擴建產能，而AI帶來的記憶體需求仍然遠遠超過供給，未來不僅記憶體價格仍有上漲空間，整個半導體裝置產業鏈也將迎來長期受益機會。 因此，高盛繼續堅定看好中國半導體生產裝置類股，並維持對北方華創、中微公司、ACM Research、珂瑪科技等公司的買入評級。 為什麼高盛如此樂觀？這次高盛專門邀請了中國記憶體產業專家進行了電話會議，重點討論了三個問題：中國DRAM到底還能擴產多少、國產記憶體技術進步到什麼程度，以及AI時代記憶體價格還能漲多久？ 一、中國DRAM進入擴產時代，2030年產能有望翻倍

7月17日晚間，磷酸鐵鋰龍頭湖南裕能（301358.SZ)公告稱，公司擬在貴州省甕安縣投資建設貴州裕能（甕安）礦化一體新能源電池材料循環產業項目，項目總投資約240億元。資金來源為自有資金及自籌資金。 湖南裕能表示，本次投資旨在深入推進一體化戰略。該項目的預計建設周期長達5年，最終以實際建設情況為準。建設內容包括80萬噸磷酸鐵鋰、100萬噸磷酸鐵及其上游產業鏈項目，涉及磷酸鐵鋰、磷酸鐵、磷源(磷礦開採、選礦、磷化工及生產磷酸所需的硫酸)、鐵源(硫鐵礦等)、碳酸鋰加工及鋰電池回收等。 公告稱，將結合市場情況等因素分步實施建設，其中計畫在項目正式開始建設後的18個月內投資50億元~80億元，後續將根據未來市場需求等情況調整實施節奏。 同日，湖南裕能還公告稱，公司終止在貴州省福泉市雙龍園區投資建設的50萬噸/年銅冶煉及配套項目，並終止原計畫基於該項目的關聯方共同投資安排。原因是受銅精礦資源條件約束，項目已不具備可行性。截至2026年5月31日，項目已發生投資5億元，其中大部分資產可繼續用於公司現有或未來業務發展，項目終止對當期財務狀況和經營成果影響較小。

隨著下游儲存產能擴容、海外設備交付緊缺疊加技術持續突破，FT測試設備與量檢測設備國產替代空間廣闊。 智通財經APP獲悉，國金證券發佈研報稱，全球AI算力與HBM儲存產能擴張帶動半導體設備需求高景氣，後道測試與前道量檢測雙賽道成長確定性突出。產業鏈維度，測試是中游封測核心質控環節，測試機在後道測試設備中價值佔比約63%;韜定律重構產業價值分配，後道FT測試設備受3D堆疊、Chiplet技術驅動，測試複雜度與單機價值大幅提升，預計2026E-2030E年全球市場CAGR達7.5%。而前道量檢測設備貫穿晶圓全製程質控，在全球半導體設備市場價值佔比13%，預計2026E-2030E年全球市場CAGR為10.8%。目前兩大賽道均被海外龍頭高度壟斷，儲存測試機雙巨頭合計全球市佔率達99%，而國內量檢測設備國產化率僅1%-10%，替代進度墊底。隨著下游儲存產能擴容、海外設備交付緊缺疊加技術持續突破，FT測試設備與量檢測設備國產替代空間廣闊。 國金證券主要觀點如下： 儲存擴產周期開啓，半導體設備需求上行

6月3日消息，據外媒報導，SK海力士計畫在未來五年內將其記憶體晶片晶圓產能翻番，這一重大擴產舉措應助力緩解這一人工智慧(AI)關鍵元件的全球短缺局面！ 據報導，到2026年底，其第六代10奈米DRAM（1c DRAM）月產量將從約2萬片提高到16 - 19萬片，增幅8 - 9倍，擴產佔DRAM總產能超三分之一，支援GDDR7和SOCAMM2等產品生產。 戰略包括升級現有設施和建設新生產線，2027年將M16工廠1a和1b DRAM生產線轉換為1c DRAM生產，2027年初目標月產量達17 - 20萬片，較之前目標翻倍。 擴產是150億美元下一代記憶體技術投資計畫一部分，支援AI加速器和資料中心GPU，還包括提升先進封裝能力滿足GPU供應商需求。分析人士預計，因供應受限和需求強勁，全球記憶體短缺和價格壓力將持續到2026年。

4月17日消息，據業內報導，因為龐大儲存晶片訂單湧入，中國國產儲存正以最快速度擴充產能！業內人士指出，某國產儲存為了保證產能，在今年建成一座新廠的基礎上，將再建兩座工廠。當這三座工廠全速生產時，其總產能將從目前的每月20萬片晶圓翻倍至40萬片晶圓。“可以說是史詩級擴產”。據悉，此次三期工廠採購的國產裝置，覆蓋了3D NAND垂直堆疊等核心生產環節。目前國內晶圓廠的國產裝置整體佔比僅15%至30%，三期工廠的落地，也將成為國產半導體裝置在規模化量產場景下的一次關鍵驗證，考驗國產裝置能否支撐3D NAND的規模化量產良率，目前這一目標的實現仍存在不確定性。後續兩座新廠的建設規劃，將直接取決於三期工廠的量產驗證結果。為推動半導體裝置國產化，相關部門已投入並將持續投入數百億資金，扶持本土技術追趕國際領先水平。除了NAND快閃記憶體的核心主業，此國產儲存商也在儲存品類上實現新突破。消息顯示，該公司已向客戶送樣低功耗DRAM產品，預計今年年底獲得客戶反饋。有市場分析機構指出，隨著產能的提升，預計2027年初的NAND快閃記憶體市場份額將突破14%，也就是說進一步貼近前三名，分別是三星的30.4%、SK海力士的16%、以及鎧俠（Kioxia）的15.9%。 (國芯網)

紅色三倍速！據路透社獨家報導，長江存儲計畫在現有兩座工廠的基礎上，再新建三座現代化晶圓廠，旨在實現產能的成倍增長。知情人士透露，長江存儲位於武漢的第三工廠已完成主體建設，目前正在密集安裝裝置，預計將於今年年底前正式投產。屆時，該工廠的月產能將逐步爬坡至 50,000 片。而後續規劃中的兩座新工廠，將使長江存儲的總月產能在未來幾年內突破 50 萬片大關，徹底改變全球 NAND 快閃記憶體的市場格局。最令人振奮的是，長江存儲在自主化道路上邁出了堅實一步。消息稱，其第三工廠的裝置國產化率已突破 50%，包括用於晶片垂直堆疊的關鍵工具在內，大量採購了中微公司（AMEC）等本土領軍企業的裝置。自 2022 年被列入“實體清單”以來，長江存儲與國內供應商的協作深度已不可同日而語。在技術層面，分析師認為長江存儲最新的 Xtacking 4.0 架構已經足以與三星、SK 海力士等國際巨頭掰手腕。瑞銀（UBS）報告顯示，去年長江存儲在全球 NAND 快閃記憶體市場的份額已達 11.8%，與閃迪（Sandisk）平起平坐，並預計在 2027 年初突破 14%。不僅如此，長江存儲的野心正在從 NAND 快閃記憶體延伸至 DRAM 記憶體領域。新規劃的三座工廠均預留了 DRAM 產能。目前，長江存儲已向客戶傳送了低功耗記憶體（LPDDR）樣品，預計年底前將收到反饋。一旦通過驗證，國產儲存將迎來又一個“雙核驅動”的巨頭。如今世界儲存格局大變，原本數家原廠都去轉移產能生產 HBM 高頻寬記憶體，這就導致 OEM 廠、移動等等很多原本需求大量儲存的消費行業出現了供應真空。而這種市場情況，恰好為國產廠商提供了機會，巨大的供應缺口急需有實力的廠商填補。此前宏碁董事長陳俊聖直言不諱地表示：“如果中國企業開放產能，市場供需結構只需幾個月就能發生逆轉。” (AMP實驗室)