小於1納米電晶體問世！

亞納米級半導體技術突破

韓國IBS團隊開發出亞納米級半導體邏輯電路技術，實現寬度小於1nm的一維金屬材料在二維電路中應用，作為超小型二維電晶體的柵極電極。該成果標誌著下一代半導體及基礎材料科學的重大突破，已發表於《Nature Nanotechnology》。

標題：“Integrated 1D epitaxial mirror twin boundaries for ultrascaled 2D MoS2 field-effect transistors”

震撼彈，小於1nm，重塑摩爾定律邊界

1965年戈登·摩爾提出“摩爾定律”，預測積體電路電晶體數量增長。隨著技術進步，硅電晶體尺寸不斷縮小至納米級，但面臨短溝道效應等挑戰，影響進一步縮小。同時，光刻機解析度成為限制整合度提升的關鍵。為克服這些障礙，科學家正探索新結構和新材料。

今天消息，韓國基礎科學研究所（IBS）的一項突破性成果無疑為全球科技界投下了一枚震撼彈。

該研究團隊成功開發出寬度小於1nm的一維金屬材料，並將其創新性地應用於二維電路的開發中，這一壯舉不僅是對傳統半導體技術的巨大挑戰，更是對摩爾定律未來走向的重新定義。

長久以來，摩爾定律作為半導體行業發展的金科玉律，指引著電晶體尺寸的不斷縮小和性能的持續提升。然而，隨著電晶體柵極尺寸逼近物理極限，短溝道效應等難題接踵而至，傳統矽基材料和技術路徑遭遇了前所未有的瓶頸。IBS的研究團隊正是在這一背景下，另闢蹊徑，利用二維半導體二硫化鉬（MoS2）的鏡像雙邊界（MTB）作為柵極電極，實現了寬度僅為0.4nm的柵極，徹底打破了光刻工藝的限制，為半導體超小型化開闢了新的道路。

這一技術突破的核心在於對材料特性的精準掌控和納米級製造工藝的革新。研究團隊通過精確控制MoS2晶體的旋轉角度和外延生長，成功建構了具有一維金屬特性的MTB柵極，其獨特的結構和優異的電學性能為電晶體性能的飛躍提供了可能。這一成果不僅展示了科學家們在材料科學和納米技術領域的深厚功底，更為半導體行業的未來發展注入了新的活力。

半導體，開啟新篇章

IBS的這一研究成果不僅是對當前半導體技術瓶頸的突破，更是對未來半導體行業發展趨勢的深刻洞察。隨著電子裝置的日益普及和功能的不斷擴展，對低功耗、高性能電子器件的需求日益增長。而基於MTB的亞納米電晶體正是滿足這一需求的理想選擇。

首先，MTB柵極的極窄寬度和優異的控制效率使得電晶體能夠在更低的柵極電壓下工作，從而顯著降低能耗，提高裝置的續航能力。其次，MTB柵極的簡單結構和低寄生電容特性有助於提升電晶體的穩定性和可靠性，為複雜電子系統的設計和應用提供了有力支援。

更重要的是，這一技術的成功應用將為半導體行業帶來深遠的影響。它不僅有望推動摩爾定律的進一步延伸，使電晶體尺寸繼續縮小，性能持續提升；還將促進新型電子器件和系統的研發和應用，為人工智慧、物聯網、可穿戴裝置等前沿領域的發展提供強大的技術支撐。

隨著研究的深入和技術的成熟，基於MTB的亞納米電晶體有望成為半導體行業的主流技術之一，引領全球科技產業邁向新的高度。我們有理由相信，在科學家們的共同努力下，半導體技術的未來將更加光明和輝煌。 (芯榜+)