蘋果公司今天發佈了搭載於全新 Mac mini 中的 M6 處理器和搭載於全新 Mac Studio 中的 M5 Ultra 處理器，在性能和人工智慧方面實現了顯著飛躍。 當中，M6 是蘋果首款採用 2 奈米製程工藝的尖端晶片，全面提升了每個計算模組的性能，實現了全方位性能的飛躍。該晶片配備了更大的 12 核 CPU 複合體（包含全球速度最快的 CPU 核心）、更大的 12 核 GPU（配備神經加速器）、雙 16 核神經網路引擎，以及高達 170GB/s 的統一記憶體頻寬。 M5Ultra 則是一款專業和人工智慧工作負載的終極強勁處理器，它採用新一代 UltraFusion 技術，首次在 M 系列系統級晶片 (SoC) 中實現了四晶片架構。該晶片包含高達 36 核的 CPU 和高達 80 核的 GPU，以及高達 1.2TB/s 的統一記憶體頻寬，比 M3 Ultra 提升了 50%。憑藉其先進的技術，這些 SoC 提供卓越的計算能力和業界領先的能效，使使用者能夠在桌上型電腦上完成更多工作。 “今天，我們隆重推出蘋果晶片在性能和人工智慧計算方面實現的又一次巨大飛躍：性能極其先進的 M6 晶片和迄今為止最強大的 M 系列晶片 M5 Ultra，”蘋果公司矽工程集團副總裁 Sri Santhanam 表示。

在AI大模型對海量吞吐與超大容量記憶體需求爆炸式增長的當下，半導體記憶體晶片正面臨數十年來最嚴峻的微縮瓶頸。傳統的平面微縮紅利幾乎耗盡，平面 DRAM 的 6F² 單元架構逼近物理極限，而 3D NAND 單晶圓堆疊也撞上了薄膜應力與電流衰減的硬牆。在剛剛落幕的半導體頂級盛會“2026 VLSI Symposium”上，記憶體巨頭們給出了清晰的破局方案：SK海力士用垂直通道 4F² 架構硬核接棒，三星電子率先堆出 16 層 3D DRAM，鎧俠（Kioxia）則聯合閃迪（Sandisk）拋出晶圓鍵合新方案，直奔 1000 層 3D NAND 大關而去。記憶體晶片的競爭維座，已徹底從“二維平面微雕”全面轉向“三維立體攻堅”。 1. DRAM突破二維物理極限：SK海力士亮出4F²，三星攻下16層VS-DRAM 在易失性高速記憶體（DRAM）賽道，微縮的難度遠高於邏輯晶片。為了在極小面積內維持電容電荷與電晶體性能，韓系雙雄各自展示了通往下一代 DRAM 的終極路線。 SK海力士：垂直通道 4F² 架構壓榨平面極限傳統的 6F²（F為特徵尺寸）DRAM 單元在繼續下探時面臨嚴重的電磁干擾與漏電問題。SK海力士在論文中披露了其最新的 4F² 單元 DRAM 技術。該方案將電晶體通道改為了垂直方向，使電晶體與電容垂直相連，並在字線與位線的交叉點直接配置記憶體單元。

AI硬體的調整，已經很難再用"回呼"來概括。 截至7月28日美東收盤，費城半導體指數（SOX）當天再跌4.49%，較6月末高點回撤約24.5%，技術性熊市進一步確認。但這輪拋售並不均勻：輝達當日逆勢上漲0.25%，納指僅跌0.22%。 美股盤後，亞洲市場接力殺跌——7月29日韓國KOSPI、KOSDAQ雙雙觸發熔斷，SK海力士兩日蒸發約五分之一市值，台股、日經跟隨下挫。這到底是前期籌碼過度擁擠之後的去槓桿，還是市場在提前交易AI資本開支和產業基本面的拐點？如此猛烈連續的熔斷式去槓桿，會成為“最後一跌”麼？ 七成仍是去槓桿，但資本結構風險正在成為新變數

小摩將近期半導體調整拆成技術面、倉位、盈利修正、周期持續時間和雲資本開支預期五個維度。過去15年出現過17次約20%的回撤，表明這類波動並不罕見。當前盈利預測仍在上修，但倉位尚未出現全面出清，市場分歧集中在2027—2028年AI資本開支和盈利增長能否繼續覆蓋已較高的預期。 過去17次約20%的回撤後，指數未來5/20/60個交易日平均回報分別為 2%/8%/11%；但其中5次最終跌幅超過30%。下一輪財報對2027年投入節奏的提示將影響半導體周期持續時間判斷。 一、SOX從歷史高點回撤近20%，逼近技術性熊市 摩根大通這份報告發佈於2026年7月17日，正值費城半導體指數（SOX）經歷劇烈動盪之際。SOX自6月22日創下歷史高點以來，已累計下跌約19%，逼近20%的熊市門檻。納斯達克指數當日下跌1.5%至25,881.95點。 報告由摩根大通全球市場策略師Nikolaos Panigirtzoglou領銜的團隊撰寫，核心判斷是：當前半導體類股的回撤並非基本面惡化，而是由技術面、倉位結構和去槓桿處理程序驅動的結構性調整。

在經歷由記憶體晶片行情推動的暴漲後，美國半導體類股迎來大幅回調 智通財經APP獲悉，在經歷由記憶體晶片行情推動的暴漲後，美國半導體類股迎來大幅回調。費城半導體指數周五盤中一度大跌5.7%，雖跌幅在收盤時縮小至1.6%，較6月底創下的歷史高點累計回撤達到20%，正式跌入技術性熊市。 此前，該指數自今年3月低點至6月底高點累計上漲105%，短短三個月實現翻倍。然而，近期多隻明星晶片股持續回落，美光科技(MU.US)、Arm Holdings(ARM.US)及英特爾(INTC.US)較各自高點均已下跌逾30%。 Horizon Investments基本面策略主管James Abate表示，儘管行業基本面依然向好，股價上漲速度明顯快於基本面改善，半導體指數此前幾乎呈現「拋物線式上漲」，如今出現調整並不意外。

Chip Stocks' Worst Month Ever Versus Software: Is the AI Trade Cracking? 晶片股遭遇有史以來最糟糕的一個月，表現遠遜於軟件股：人工智能交易是否正在破裂？ For the past year, one trade defined Wall Street's artificial intelligence rally: own the chipmakers, avoid the software companies. This month that trade is unwinding faster than it ever has before. 在過去一年裡，有一筆交易定義了華爾街的人工智慧行情：買入晶片製造商，避開軟件公司。本月，這筆交易正以前所未有的速度迅速逆轉。

英特爾的 18A 工藝技術已成為業內最受關注的半導體製造節點之一。它代表了英特爾推出的兩項重大創新：帶狀場效應電晶體 (RibbonFET) 的環柵 (GAA) 電晶體和 PowerVia 背面供電 (BSPD) 技術。這些技術旨在提升電晶體性能、能效和晶片整體密度，同時幫助英特爾重奪工藝領先地位。然而，英特爾的路線圖並未止步於 18A。該公司還推出了 Intel 18A-P，這是 18A 平台的增強版本，在性能、功耗、散熱和設計靈活性方面均有顯著提升。 乍看之下，Intel 18A-P 似乎只是 Intel 18A 的一個小版本改進。但實際上，它是一項具有戰略意義的工藝改進，使 Intel 及其代工廠客戶無需等待下一個主要製程節點 Intel 14A，即可獲得更佳的產品性能。正如台積電開發了 N5P 和 N3P 等工藝技術的最佳化版本一樣，Intel 18AP 在保持與現有設計相容性的同時，從 18A 技術平台中挖掘了更多價值。 英特爾 18A 和 18A-P 都採用了 RibbonFET 電晶體和 PowerVia 背面供電技術。RibbonFET 以堆疊的奈米片取代了傳統的 FinFET 結構，從而改善了電晶體溝道的靜電控制。PowerVia 將電源布線移至晶圓背面，減少了訊號布線層的擁塞，提高了整體性能。這些創新是兩個節點共有的基礎技術。 主要區別在於，Intel 18A-P 融合了多項最佳化技術，從而提升了功耗、性能和散熱性能。Intel 表示，與標準 18A 相比，18A-P 在相同功耗下可提供約 9% 的性能提升，或在相同性能水平下降低約 18% 的功耗。這些改進意義重大，尤其是在那些對能效和每瓦性能要求極高的市場中。

TGV玻璃通孔：AI晶片封裝的透明暗線 輝達把算力推到台前，台積電把先進封裝推到台前，而玻璃基板和TGV玻璃通孔，正在被推到更深的幕後。它不像GPU那樣耀眼，也不像HBM那樣被反覆討論，但它可能是下一代AI硬體裡最容易被低估的一條暗線。 AI晶片越來越大。 功耗越來越高。