AI硬體的調整，已經很難再用"回呼"來概括。 截至7月28日美東收盤，費城半導體指數（SOX）當天再跌4.49%，較6月末高點回撤約24.5%，技術性熊市進一步確認。但這輪拋售並不均勻：輝達當日逆勢上漲0.25%，納指僅跌0.22%。 美股盤後，亞洲市場接力殺跌——7月29日韓國KOSPI、KOSDAQ雙雙觸發熔斷，SK海力士兩日蒸發約五分之一市值，台股、日經跟隨下挫。這到底是前期籌碼過度擁擠之後的去槓桿，還是市場在提前交易AI資本開支和產業基本面的拐點？如此猛烈連續的熔斷式去槓桿，會成為“最後一跌”麼？ 七成仍是去槓桿，但資本結構風險正在成為新變數

小摩將近期半導體調整拆成技術面、倉位、盈利修正、周期持續時間和雲資本開支預期五個維度。過去15年出現過17次約20%的回撤，表明這類波動並不罕見。當前盈利預測仍在上修，但倉位尚未出現全面出清，市場分歧集中在2027—2028年AI資本開支和盈利增長能否繼續覆蓋已較高的預期。 過去17次約20%的回撤後，指數未來5/20/60個交易日平均回報分別為 2%/8%/11%；但其中5次最終跌幅超過30%。下一輪財報對2027年投入節奏的提示將影響半導體周期持續時間判斷。 一、SOX從歷史高點回撤近20%，逼近技術性熊市 摩根大通這份報告發佈於2026年7月17日，正值費城半導體指數（SOX）經歷劇烈動盪之際。SOX自6月22日創下歷史高點以來，已累計下跌約19%，逼近20%的熊市門檻。納斯達克指數當日下跌1.5%至25,881.95點。 報告由摩根大通全球市場策略師Nikolaos Panigirtzoglou領銜的團隊撰寫，核心判斷是：當前半導體類股的回撤並非基本面惡化，而是由技術面、倉位結構和去槓桿處理程序驅動的結構性調整。

在經歷由記憶體晶片行情推動的暴漲後，美國半導體類股迎來大幅回調 智通財經APP獲悉，在經歷由記憶體晶片行情推動的暴漲後，美國半導體類股迎來大幅回調。費城半導體指數周五盤中一度大跌5.7%，雖跌幅在收盤時縮小至1.6%，較6月底創下的歷史高點累計回撤達到20%，正式跌入技術性熊市。 此前，該指數自今年3月低點至6月底高點累計上漲105%，短短三個月實現翻倍。然而，近期多隻明星晶片股持續回落，美光科技(MU.US)、Arm Holdings(ARM.US)及英特爾(INTC.US)較各自高點均已下跌逾30%。 Horizon Investments基本面策略主管James Abate表示，儘管行業基本面依然向好，股價上漲速度明顯快於基本面改善，半導體指數此前幾乎呈現「拋物線式上漲」，如今出現調整並不意外。

Chip Stocks' Worst Month Ever Versus Software: Is the AI Trade Cracking? 晶片股遭遇有史以來最糟糕的一個月，表現遠遜於軟件股：人工智能交易是否正在破裂？ For the past year, one trade defined Wall Street's artificial intelligence rally: own the chipmakers, avoid the software companies. This month that trade is unwinding faster than it ever has before. 在過去一年裡，有一筆交易定義了華爾街的人工智慧行情：買入晶片製造商，避開軟件公司。本月，這筆交易正以前所未有的速度迅速逆轉。

英特爾的 18A 工藝技術已成為業內最受關注的半導體製造節點之一。它代表了英特爾推出的兩項重大創新：帶狀場效應電晶體 (RibbonFET) 的環柵 (GAA) 電晶體和 PowerVia 背面供電 (BSPD) 技術。這些技術旨在提升電晶體性能、能效和晶片整體密度，同時幫助英特爾重奪工藝領先地位。然而，英特爾的路線圖並未止步於 18A。該公司還推出了 Intel 18A-P，這是 18A 平台的增強版本，在性能、功耗、散熱和設計靈活性方面均有顯著提升。 乍看之下，Intel 18A-P 似乎只是 Intel 18A 的一個小版本改進。但實際上，它是一項具有戰略意義的工藝改進，使 Intel 及其代工廠客戶無需等待下一個主要製程節點 Intel 14A，即可獲得更佳的產品性能。正如台積電開發了 N5P 和 N3P 等工藝技術的最佳化版本一樣，Intel 18AP 在保持與現有設計相容性的同時，從 18A 技術平台中挖掘了更多價值。 英特爾 18A 和 18A-P 都採用了 RibbonFET 電晶體和 PowerVia 背面供電技術。RibbonFET 以堆疊的奈米片取代了傳統的 FinFET 結構，從而改善了電晶體溝道的靜電控制。PowerVia 將電源布線移至晶圓背面，減少了訊號布線層的擁塞，提高了整體性能。這些創新是兩個節點共有的基礎技術。 主要區別在於，Intel 18A-P 融合了多項最佳化技術，從而提升了功耗、性能和散熱性能。Intel 表示，與標準 18A 相比，18A-P 在相同功耗下可提供約 9% 的性能提升，或在相同性能水平下降低約 18% 的功耗。這些改進意義重大，尤其是在那些對能效和每瓦性能要求極高的市場中。

TGV玻璃通孔：AI晶片封裝的透明暗線 輝達把算力推到台前，台積電把先進封裝推到台前，而玻璃基板和TGV玻璃通孔，正在被推到更深的幕後。它不像GPU那樣耀眼，也不像HBM那樣被反覆討論，但它可能是下一代AI硬體裡最容易被低估的一條暗線。 AI晶片越來越大。 功耗越來越高。

分享一份面向工程師的《Chiplet Fundamentals》報告，系統梳理了芯粒（Chiplet）技術的底層邏輯、技術體系與工程落地的內容。 報告詳細拆解了芯粒互連技術體系，封裝載體包含基板、矽 / 有機中介層、嵌入式矽橋等方案，連接工藝覆蓋微凸點、柱凸點與下一代混合鍵合；互連協議形成兩大主流標準 ——OCP 的 BoW 僅定義物理層，輕量化靈活；UCIe 建構了完整協議棧，適配標準封裝、先進封裝與 3D 堆疊場景，原生支援 PCIe、CXL 等上層協議。 針對工程落地，報告從設計、測試、可靠性、安全四大維度展開：設計需跨晶片、封裝團隊協同，完成功能、熱、訊號完整性的多物理場聯合驗證；測試以 “已知合格裸片（KGD）” 為核心，實現封裝級與 3D 堆疊測試；可靠性需管控共面性、電遷移、熱膨脹失配三大風險；安全需應對封裝內互連探測、側通道攻擊等新型威脅，內層布線與流量加密是核心防護路徑。 報告也指出，當前芯粒應用仍以大廠自研為主，開放芯粒市場尚需介面標準化、晶片描述規範、商業模型等配套體系完善，產業在設計自動化、3D 整合、熱最佳化等方向的研究仍在快速推進。

6月4日，韓媒放出的行業動態，刷新了國產HBM記憶體的技術追趕進度。 長鑫存儲在HBM3技術層面，已經實現與三星、SK海力士的對等水準。 中韓儲存企業在高端記憶體領域的代際差距，被壓縮至三年區間。 過往國內高端儲存長期處於多代落後狀態，追趕難度極大。