近日，韓國SK海力士宣佈，計畫到2028年投資高達103兆韓元（約合748億美元），其中80%（約為600億美元）將用於HBM晶片的研發和生產。隨後，三星、美光也表示將加大對HBM晶片的投資，尤其是三星其計畫在2026 年HBM出貨量達到2023年產量的13.8 倍，到 2028 年HBM年產量將進一步上升至 2023年產量的 23.1 倍。

在三巨頭Sk海力士、三星、美光打得不可開交之際，中國國產HBM也正集中火力尋求突破，預計在2026年中國國產HBM將實現量產。具體情況如何呢？

一、強強聯合，2026年中國國產HBM量產

隨著人工智慧熱潮的到來，對於高頻寬記憶體（HBM）的需求與日俱增；目前市場基本被三星、SK海力士和美光是HBM市場的三大巨頭壟斷。據市場研究公司TrendForce資料，2023年SK海力士佔據53%的市場份額，緊隨其後的就是，三星電子佔據38%和美光佔據9%。

近日，國產儲存晶片大廠長鑫儲存與武漢新芯宣佈正在建設HBM先進製造工廠，建成後預計每月可生產3,000片12英吋晶圓。

同時，長鑫儲存與封裝和測試大廠通富微電已合作開發了HBM樣品，並向潛在客戶展示樣品。

據瞭解，此次國記憶體儲廠商的重點放在了HBM2，主要是為了規避HBM3中含有美國技術部分。

此次集合國產儲存晶片上下游廠商，意在集中技術和資源突破國產HBM量產，根據內部消息，其目標是於2026年量產HBM2.

但HBM的研發、製造涉及複雜的工藝和技術難題，包括晶圓級封裝、測試技術、設計相容性等。CoWoS為目前主流的AI處理器封裝方案，包括其中整合的HBM也採用了該封裝技術。目前國產CoWoS進展情況如何呢？

二、171億建封裝廠，加快國產HBM量產

目前AI晶片的主流解決方案是採用CoWoS封裝，CoWos是一種先進的封裝工藝，稱為“基板上晶圓晶片”技術。其是一種高精度技術，將圖形處理單元(GPU)和HBM晶片堆疊在單板上，以提高處理能力，同時節省空間並降低功耗。

為加快國產HBM的突破，近日睿力整合（長鑫儲存母公司）在上海投資24億美元（約為171億人民幣）建造一座先進封裝廠。

據瞭解，此先進封裝廠將主要專注於各種先進封裝技術，如用硅穿孔（TSV）互聯實現記憶體堆疊，預計將具備每月3萬件的封裝能力。新廠預計2026年中投產。

一旦先進封裝廠建成，長鑫儲存將負責生產HBM DRAM晶片，而睿力整合則將其進行堆疊；快速實現產能的擴充。

三、國產HBM產業鏈突圍

從AI算力角度，我們知道AI晶片能力三個基礎部件分別為：GPU、先進製程（含CoWoS先進封裝），以及HBM。相比其他兩大部件，目前國產HBM是“人有我無”的狀態，但整個國產HBM產業鏈處於蓄力的過程之中。目前參與全球HBM產業鏈的主要為材料和封測廠商們。

具體情況如下表：

當前國產廠商在全球HBM產業鏈處於相對邊緣的角色；而我們知道HBM項目的研究和製造涉及複雜的工藝和技術挑戰，包括晶圓級封裝、測試技術、設計相容性等。單依靠一家儲存晶片廠商主導突破HBM顯然難度巨大。

因此，為保證2026年HBM具備量產的能力，就需要產業鏈上下游通力合作，將儲存廠商、晶圓代工廠、封測廠商等整合一起以實現更快速的突破。而且突破HBM不僅市場國產儲存晶片產業的發展，也是國產人工智慧產業能否突圍的重要支點之一！ (飆叔科技洞察)