擬241億元、108億元分別投建技術研發項目、記憶體器晶圓後道測試基地二期項目。

9月28日晚，長鑫科技發佈《關於使用部分超募資金投資建設新項目的公告》稱，擬使用超募資金人民幣130.00億元投資新建技術研發項目，同時，公司擬通過增資和借款方式向全資子公司長鑫記憶體產品（合肥）有限公司提供超募資金人民幣50.00億元，由其投資新建“長鑫記憶體產品（合肥）有限公司記憶體器晶圓後道測試基地二期項目”。

據瞭解，長鑫科技首次公開發行人民幣普通股（A股）7,691,301,608股（含超額配售選擇權全額行使），募集資金總額為人民幣6,660,667.19萬元，扣除發行費用（不含增值稅，含印花稅）人民幣29,627.82萬元，募集資金淨額為人民幣6,631,039.38萬元。公司對募集資金採取了專戶記憶體制度，設立了相關募集資金專項帳戶。募集資金到帳後，已全部存放於經公司董事會批准開設的募集資金專項帳戶內，公司與保薦機構、存放募集資金的商業銀行簽署了募集資金監管協議。

加速迭代，滿足下游需求與技術範式轉變

技術研發項目計畫投資總額為241億元，其中擬使用超募資金投入金額130.00億元。據瞭解，項目投資建設期為30個月，擬利用公司已有的產業化成果、技術優勢和成熟經驗，促進本項目的高效實施。本項目為研發項目，不單獨進行投資回報測算，本項目最終產生的經濟利益，是通過技術賦能公司主營產品，促進公司主營業務增長表現出來的。項目建成後將推動技術創新突破，加速科技成果轉化，帶動產業升級。本項目的實施，有利於公司進一步保持和增強技術研發實力，有助於增強公司的市場地位，提升公司整體核心競爭力。

關於技術研發項目的必要性，長鑫科技稱，構築並維持核心競爭力與長遠發展的根本，在於堅定不移地推進產品與製程工藝的迭代升級。面對如此複雜的產業格局和技術路徑，公司必須依託持續的研發投入，驅動工藝技術的代際演進，確保新產品在記憶體密度、功耗控制及讀寫性能上不斷實現質的飛躍。這不僅是滿足市場需求的關鍵，更是構築企業深厚護城河、提升抗風險能力的必由之路。因此，公司擬通過實施超募項目，開展技術研發工作，在保持公司技術領先性的同時，也有利於公司更快的推出滿足市場需求、性能更好、競爭力更強的產品，以增強公司的核心競爭力及抗風險能力。

保障後道測試產能，完善IDM模式

長鑫記憶體產品（合肥）有限公司記憶體器晶圓後道測試基地二期項目計畫投資總額為108億元，其中公司將通過向長鑫產品合肥增資和提供借款方式投入超募資金金額50.00億元。據瞭解，項目投資建設期為37個月，擬利用公司已有的產業化成果、技術優勢和成熟經驗，促進本項目的高效實施。經測算，項目內部殖利率及總投資殖利率均處於合理區間，經濟效益良好。有利於促進公司進一步完善IDM營運模式，實現從前道至後道的產業鏈整合，有利於解決公司新增測試產能不足問題，保障後道產能供應鏈安全，有效降低測試成本，提升公司整體營運能力，從而提升公司整體核心競爭力。

關於記憶體器晶圓後道測試基地二期項目的必要性，長鑫科技稱，測試是DRAM生產中不可或缺的關鍵環節，但因其測試的專用裝置特性，隨著公司產能不斷提升、產品種類增多，可能面臨外部封測廠測試產能不足和新增投資配套不足的問題。為了保障測試產能不成為公司產能制約瓶頸並保障供應鏈安全，公司急需增加自建測試產能的投入。同時，通過自建記憶體器晶圓後道測試和模組項目，能夠更靈活協調測試產能利用，降低公司DRAM晶片測試成本，提升公司營運效率和測試技術，有利於公司進一步完善IDM模式、增強公司的整體競爭力。

作為中國DRAM產業鏈的鏈主企業，基於自身強大的產業影響力，長鑫科技已與上游供應商和下遊客戶建立了緊密的戰略合作關係，共同建構了相互依存的產業生態，為業務持續發展並積極參與全球競爭奠定了堅實的基礎。

經過長期發展，長鑫科技與上游EDA廠商、材料廠商、裝置及零部件廠商等供應商建立了穩固的合作關係，並通過深化產業鏈合作，增強了供應鏈的安全保障能力，為本次超募項目的順利實施提供了充分保障，並為產能持續擴充和技術工藝升級提供了有力支撐。 (半導體產業縱橫)

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長鑫科技：擬斥資349億元投建兩項目