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BJT、CMOS、DMOS等半導體製程技術

隨著半導體製程製程不斷突破，業界流傳著一個被稱為「摩爾定律」的著名論點。它是英特爾創始人之一戈登·摩爾在1965年提出的，其核心內容為：集成電路上可以容納的晶體管數目在大約每經過18個月到24個月便會增加一倍。這項定律不僅是對產業發展趨勢的一種分析預測，同時也成了半導體製程發展的動力——一切都是為了做出更小尺寸且性能穩定的電晶體。從五十年代至今約70年的時間，總共發展了BJT、MOSFET、CMOS、DMOS以及混合型的BiCMOS和BCD等製程製程技術。 1. BJT 雙極性結型電晶體（bipolar junction transistor, BJT），俗稱三極管。電晶體中的電荷流動主要是由於載子在PN結處的擴散作用和漂移運動，由於同時涉及電子和電洞兩種載子的流動，因此它被稱為雙極性元件。 回溯它所誕生的歷史。由於存在著用固體放大器代替真空三極管這一想法，1945年夏，Shockley提出開展半導體基礎研究的建議，1945年下半年，貝爾實驗室成立了以Shockley為組長的固體物理學研究小組。在這小組裡，不僅有物理學家，也有電路工程師和化學家，包括作為理論物理學家的Bardeen和實驗物理學家B rattain。1947年12月，一件被後世認為是里程碑式的事件璀璨地發生了－Bardeen和Brattain成功發明了世界上第一個具有電流放大作用的鍺點接觸晶體管。
BJT、CMOS、DMOS等半導體製程技術
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