國產晶片先進製程的希望在那兒呢？——光刻機，還是另闢蹊徑？尤其是隨著全球人工智慧產業的集中爆發，以及自動駕駛的進一步普及；國產晶片對於高性能晶片的需求日益迫切！在光刻機短期內無法突破的情況下，Chiplet技術和先進封裝技術就成為面對先進製程挑戰的重要路徑。同時，面對半導體工藝逐步逼近2nm物理極限，“超越摩爾定律”已成全球半導體產業界的共識，為此先進封裝成為最重要的“超越路徑”；其中混合鍵合（Hybrid Bonding）憑藉高密度互連與低功耗特性，成為突破的不二之選。但對於國產半導體產業而言，高端鍵合裝置幾乎被國外廠商所壟斷，成為了國產先進封裝突破的“達摩克利斯之劍”。這一現狀，隨著3月12日青禾晶元正式發佈全球首台獨立研發的C2W&W2W雙模式混合鍵合裝置而成為歷史；同時也意味著國產半導體先進封裝正式打破國際巨頭技術壟斷。據瞭解，此次青禾晶元發佈的C2W&W2W雙模式混合鍵合裝置SAB 82CWW系列，通過一體化架構設計，首次實現C2W（晶片-晶圓）與W2W（晶圓-晶圓）雙模式協同。我們知道，傳統封裝廠商進行混合鍵合製程時，往往面臨一個關鍵抉擇：選擇晶片對晶圓（C2W）還是晶圓對晶圓（W2W）技術路線。這種選擇意味著良率和產能的只能取其一；如選擇C2W則意味著每顆晶片都需要精準定位，產能受限；而選擇W2W則適合小晶片的批次鍵合，但在大晶片良率波動大。而此次青禾晶元的SAB 82CWW系列裝置最大的創新在於，先進封裝廠商不需要選擇非此即彼了；其裝置實現了同時支援C2W和W2W雙模式混合鍵合，實現兩種技術路線的“協同進化”。因而，這此次青禾晶元的突破不僅有效提升了封裝廠商的研發效率，同時還可以極大的降級裝置營運的效率和成本；也標誌著國產高端鍵合裝置正式成為全球主流，甚至某些技術上實現了超越。另外，值得特別一提的事，青禾晶元的裝置還支援8英吋和12英吋晶圓的相容切換，能夠處理厚度最薄至35微米的超薄晶片，並通過自動更換夾具，相容0.5×0.5mm至50×50mm的晶片。同時，通過獨創的晶片邊緣夾持技術，避免了晶片正面的顆粒污染，顯著提升了生產良率和可靠性。同時，由於全球市場對於先進封裝的需求正在快速放大，預計未來鍵合裝置的市場也將持續高速增長；目前鍵合裝置市場主要包括引線鍵合、混合鍵合（Hybrid Bonding）、晶圓鍵合（Wafer Bonding）及臨時鍵合/解鍵合四大技術領域，應用日益廣泛，包括半導體封裝、儲存晶片（如3D NAND、HBM）、消費電子、汽車電子等應用場景。其中，混合鍵合是後摩爾時代的關鍵技術，通過實現高密度互聯密度提升10倍以上，預計2030年市場規模預計達200億人民幣，主要應用於HBM和3D NAND。目前混合鍵合裝置市場主要海外企業EVG、SUSS、BESI主導，佔據整個市場的90%以上份額，國產化率不足5%。國內廠商中拓荊科技、邁為股份已推出相關裝置並進入驗證階段；而青禾晶元新一代混合鍵合裝置SAB 82CWW系列的發佈，不僅打破了EVG等國際龍頭在高端混合鍵合等關鍵工藝的獨家供應，同時為國產3D封裝技術和產能的發展提供了可靠的保障；另外，混合鍵合裝置的突破，也進一步加速了國產Chiplet、存算一體等新技術和新架構的落地。 (飆叔科技洞察)