#EMIB-T
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AI晶片，逼近掩模極限

先進封裝正在逼近掩模尺寸極限，CoWoS-L與EMIB也由此展開新一輪競爭。 伴隨AI晶片的不斷發展，先進封裝已經成為老生常談的概念。TrendForce近日發佈報告，對AI晶片先進封裝競爭格局給出判斷。報告指出，儘管英特爾EMIB-T等方案正在爭取AI晶片客戶，但台積電CoWoS-L憑藉技術成熟度和良率優勢，預計到2028年仍將是AI晶片主流先進封裝方案。這一判斷意味著，未來幾年AI晶片的封裝路線競爭將圍繞CoWoS-L展開，其他方案想要切入這一市場，還需要在成熟度和良率上拿出更有說服力的表現。 01. AI晶片的封裝為什麼越來越“大”？ AI晶片正在變得越來越大。但這裡的大，首先指向封裝，而不是單顆計算晶片本身。隨著大模型參數規模和推理任務複雜度持續提升，AI加速器需要更高算力和更大記憶體頻寬。單顆晶片很難獨立承擔所有需求，Chiplet和HBM因此成為提升系統性能的重要手段。晶片內部需要連接的計算資源和記憶體資源越來越多，壓力直接傳導到封裝環節。
AI晶片，逼近掩模極限
科技#AI晶片#先進封裝#掩模極限
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EMIB熱度之下，先進封裝進入內卷期

近期英特爾的EMIB與台積電的類EMIB相關討論佔據行業輿論焦點，局部矽橋架構帶來的成本與良率優勢，讓市場將目光集中在兩條2.5D細分路線的對壘之上。但放在整個先進封裝大盤來看，EMIB僅僅是眾多技術分支中的一環。 當前先進封裝已經演化成多技術、多商業模式、多應用市場交織的複雜生態，算力需求分化、製造模式重構、上游材料設備約束共同塑造著產業走向。AI訓練晶片的極致性能訴求、邊緣與車載市場的規模化需求、消費電子對輕薄低成本的持續追求，共同拉動市場持續擴容，不同技術路線之間更多是互補而非簡單替代，晶圓廠、IDM、獨立封測廠三方力量重新劃分產業價值鏈，才是當下更值得深究的行業現實。 算力驅動市場分層，不同應用塑造多元技術需求 從市場結構來看，先進封裝早已不是AI單一賽道的附庸。HPC與AI算力佔據先進封裝需求接近四成份額，是拉動高端2.5D、3D封裝增長的核心引擎，消費電子、汽車電子、通訊記憶體合計佔據超過半數市場空間，構成行業的基本盤。不同下游場景，對互連密度、成本、可靠性、量產規模有著完全不同的約束條件，直接決定各類技術的生存土壤。
科技#EMIB#英特爾#台積電
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EMIB熱度之下，先進封裝進入內卷期

先進封裝的關注度提升，源於整個市場對於”算力降本”的強烈訴求。 近期英特爾的EMIB與台積電的類EMIB相關討論佔據行業輿論焦點，局部矽橋架構帶來的成本與良率優勢，讓市場將目光集中在兩條2.5D細分路線的對壘之上。但放在整個先進封裝大盤來看，EMIB僅僅是眾多技術分支中的一環。 當前先進封裝已經演化成多技術、多商業模式、多應用市場交織的複雜生態，算力需求分化、製造模式重構、上游材料裝置約束共同塑造著產業走向。AI訓練晶片的極致性能訴求、邊緣與車載市場的規模化需求、消費電子對輕薄低成本的持續追求，共同拉動市場持續擴容，不同技術路線之間更多是互補而非簡單替代，晶圓廠、IDM、獨立封測廠三方力量重新劃分產業價值鏈，才是當下更值得深究的行業現實。 01. 算力驅動市場分層，不同應用塑造多元技術需求
EMIB熱度之下，先進封裝進入內卷期
科技#先進封裝#EMIB#英特爾
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ECTC2026：EMIB篇：intelEMIB-T先進封裝擴展技術&玻璃基板下一代先進封裝平台

EMIB封裝平台已實現大規模生產（HVM），提供一種可擴展的成熟可靠2.5D封裝解決方案,已被應用於intel CPU和AI產品中。採用面板級製造工藝（510 mm × 515 mm），EMIB技術不受光罩限制，可支援最大尺寸為240 mm × 240 mm封裝，將計算單元、儲存器和專用加速器解耦為最佳化的芯粒。其底層架構在標準有機封裝基板的頂層介電層中嵌入多個超薄（約50 μm厚）矽橋，以實現局部高密度器件間互連（圖a）。 2024年，intel將帶有TSV矽橋接結構整合到基板腔體內，將EMIB技術升級為EMIB-T。能夠實現電源和高速I/O訊號在橋接區域的垂直穿通，顯著提升性能，適用於HBM4整合，使I/O物理層（PHY）設計可與2.5D互連器技術相容（圖b）。 優點是：(1) 相比矽互連器，整體封裝成本更低；(2) 同時支援將封裝尺寸擴展至300mm晶圓互連器技術所能實現的範圍。 EMIB-T-T 技術的間距擴展
ECTC2026：EMIB篇：intelEMIB-T先進封裝擴展技術&玻璃基板下一代先進封裝平台
科技#EMIB#玻璃基板#封裝成本
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英特爾12篇論文，圍攻CoWoS

過去十年，AI 晶片的故事主線是製程：5nm、3nm、2nm。但當電晶體微縮的收益越來越薄，真正決定一顆 AI 加速器上限的，正在變成另一件事—— 封裝。 今年的 ECTC 2026（IEEE 電子元件與技術會議，封裝領域最頂級的年會）把這個轉折講得很清楚。據 SemiAnalysis 的會議綜述，今年的技術披露與即將量產的商業產品高度吻合，不再是實驗室裡的遠景，而是未來兩三年 AI 加速器的直接路線圖。 三個訊號最值得記住：
英特爾12篇論文，圍攻CoWoS
科技#CoWoS#EMIB-T#AI晶片
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台積電核心機密：將玻璃中介層作為未來十年重大決策，與英特爾EMIB一搏生死

是的，台積電將匯入玻璃中介層，而可能不是玻璃芯基板。 台積電將在2029年開始由硅中介層轉向加碼量產CoPoS 大玻璃中介層，在之前的文章中我也反覆強調。 知名半導體分析師陸行之表示，台積電對於幫助大晶片客戶採用玻璃中介層取得矽中介層，2029年由圓轉方加速擴張CoPoS產能是未來10年不得不為的重大決定，CoWoS 擴產將於2029年趨緩，一些技術問題克服後，2029年加速CoPoS擴產，CoPoS量產後，英特爾EMIB 就沒有優勢。昨晚喝酒我也在朋友圈逼逼。“台積電CoPoS商標已經註冊：暗黑風格的面板級封裝取代紅色標誌的CoWoS，指出，CopOS將成為一個公共概念，你們誰用勞資不管了，但是用TSMC COPOS，所有的專利都在我這：由於英特爾玻璃芯上的專利都被鎖死，台積電不大可能走玻璃芯堆疊20+ABF的路線（中國大陸所有走這條路線的廠商可能將面臨英特爾的專利追責或者其授權使用），所以，台積電最終走的是玻璃中介層的路線，不管是基板還是PCB是不是始終玻璃基板（都可能將面臨中國大陸的追責和授權）”。 要知道，美國所有的AI設計公司都在預研發玻璃基板，通過全球合作的供應鏈模式自上而下研發對接每一道具體的工序。中國大陸明顯處於落後的狀態，從大晶片製程到先進封裝明確將中國所有的供應鏈排除在外，尤其是日本和台灣的2nm以下的製造公司不採納大陸的任何成分。玻璃基板量產從2026到2030年開始。第一代玻璃基大晶片從2027年年底開始小部分供貨，2028需要整個供應鏈的所有細分工藝必須穩定適合量產的節奏，2030年全面取代有機基板。台積電面板級中介層從2029年匯入量產。競爭對手都在玻璃芯基板上內卷時，台積電就深刻瞭解到玻璃中介層的高密度性功能的附加值。
科技#台積電#玻璃中介層#英特爾
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英特爾EMIB封裝良率飆90％ / 科技業資本支出 上看1兆美元 / 矽品買廠 擴產CoW製程

英特爾EMIB封裝良率飆90％台積電先進封裝CoWoS產能供不應求，市場開始尋找替代方案，外媒指出，英特爾推出EMIB（嵌入式多晶片互連橋接）封裝技術近期取得突破，良率已高達90%，Google、輝達、Meta等均為潛在客戶。科技媒體《Wccftech》①　英特爾EMIB技術被視為台積電CoWoS的替代選項之一，已吸引多家大廠採用，包括Google將用於下一代TPU晶片，輝達也計畫於新一代Feynman晶片中匯入。②　廣發證券科技研究部分析師Jeff Pu：a）英特爾EMIB項目進展順利，初步觀察結果正面。b）EMIB良率已達90%，對英特爾晶圓代工業務形成重要支撐，也強化代工佈局的信心。c）Meta也為EMIB客戶之一，合作聚焦於預計2028年底推出的CPU產品，仍待進一步資訊釋出。③　英特爾持續強化EMIB技術優勢，主打提升良率、降低功耗與成本，並支援更大規模的「混合節點」系統設計。④　EMIB主要分為EMIB-M與EMIB-T兩種架構：a）EMIB-M透過匯入MIM電容設計的矽橋接電路，有效降低噪聲，提升電力傳輸效率與訊號完整性。b）儘管MIM電容成本略高於傳統MOM電容，但具備更高穩定性與更低漏電特性⑤　製程架構：a）EMIB-M透過晶片組打造高密度3D結構，藉由橋接器提供高頻寬互連，電源則繞過橋接器傳輸，提升整體效能與效率。 科技業資本支出上看1兆美元華爾街預估全球大型科技公司資本支出有望在2027年突破1兆美元，雲端與AI基礎設施建設已進入加速期，帶動整體科技產業進入新一輪「資本支出超級循環」。①　大手筆的投入雖引發投資人的質疑，但隨著估值和市值的飆升，也看到了投資轉化為收入的正面影響。②　投行Evercore和美國銀行皆認為，全球大型科技資本支出2027年將突破1兆美元，預測2026年支出8,000~9,000億美元。a）Evercore：AI基礎設施不只需要GPU，也需要CPU，CPU需求在未來幾年完全復甦。③　美國銀行預測大型科技資本支出：a）Google母公司Alphabet上修至1,850億美元。b）亞馬遜提高至2,000億美元。c）Meta上調8％至1,350億美元。d）微軟飆漲24％至1,900億美元，微軟的2026財年到6月底為止，7月開始將邁入2027財年。④　亞馬遜CEOAndy Jassy：對正在進行的長期資本支出投資充滿信心。⑤　Alphabet財務長Anat Ashkenazi：第一季雲端運算營收年增63％，推動股價上漲約10％，因此增加資本支出計畫以滿足強勁的需求。⑥　傑富瑞（Jefferies）分析師：a）資本支出持續攀升，但投資報酬率已從約2兆美元的積壓訂單以及加速成長的雲端業務中顯現。b）儘管投資AI基建，企業仍能維持穩定的毛利率，顯示營運支出紀律。c）Alphabet的獲利前景最佳，訂單積壓量較上季近翻倍、達到4,620億美元。d）Meta自由現金流一直在減少，從去年同期的260億美元降至第一季的12億美元。矽品買廠 擴產CoW製程①　日月光投控旗下矽品繼先前買下聯合再生、群創廠房之後，30日又分別以43.2億元和64.8億元，再買下彩晶和精金位於南科的廠房，總計已砸下近200億元買下竹南和南科共計四座廠房，以因應未來先進封裝強勁需求。②　矽品接下CoWoS 產能中CoW製程訂單，以中科廠及虎尾廠為生產重心，今年也持續全力擴產。 (匠芯耕耘 鉅淮讀報)
英特爾EMIB封裝良率飆90％ / 科技業資本支出 上看1兆美元 / 矽品買廠 擴產CoW製程
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台積電要小心？ 傳英特爾先進封裝良率衝到90%了

台積電先進封裝CoWoS 產能供不應求，英特爾提供的 EMIB封裝技術正受到關注。 外媒指出，英特爾的關鍵EMIB技術實現驚人的良率，良率達90%，顯示其已準備好在即將到來的AI資料中心晶片中得到應用。科技媒體《Wccftech》報導，英特爾EMIB封裝技術被視為台積電CoWoS的替代方案。 英特爾的先進封裝技術將被Google用於其下一代TPU晶片，輝達也將其用於其下一代Feynman晶片。 GF證券科技研究部的分析師Jeff Pu分享他對EMIB項目進展的一些見解，初步印象非常好。Jeff Pu透露，英特爾的EMIB良率已達到90%，這對該公司的晶圓代工業務來說無疑是個好消息，也解釋了為何目前外界對英特爾晶圓代工充滿信心。 Meta也是EMIB的客戶之一，不過雙方的合作計畫是圍繞著2028年底推出的CPU展開，還需要一段時間才能獲得更多相關資訊。同時，英特爾並未停止宣傳其EMIB技術的優勢，強調EMIB的許多優點，包括：提高良率、降低功耗、降低成本，以及使更大規模的「混合節點」系統成為現實。報導說，目前EMIB技術主要有兩種：EMIB-M和EMIB-T。 EMIB-M橋接電路的設計旨在提高效率，其矽橋接電路中採用MIM電容，通過最大程度地降低噪聲來增強功率傳輸和電路完整性。 雖然MIM電容的成本略高於金屬-氧化物-金屬（MOM）電容，但它具有更高的穩定性和更低的漏電。 (大話晶片)
台積電要小心？ 傳英特爾先進封裝良率衝到90%了
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