在 AI 風靡的當下，資料規模呈爆炸式增長，而儲存晶片作為資料的關鍵承載者，其價值不斷攀升。

眾所周知，儲存晶片涵蓋諸多產品品類，每一類產品都在其特定的應用場景中發揮著至關重要的作用。那麼，各產品路線的盈利情況究竟如何？這無疑是業界內外共同關注的焦點。

在此之前，我們有必要對儲存晶片的產品品類進行細緻的細分。

儲存晶片依據功能、讀取資料方式以及資料儲存原理，大致可區分為易失性儲存晶片（RAM）和非易失性儲存晶片（ROM）。

RAM 在斷電後會丟失所儲存的資料，通常用於臨時儲存資料，如運行中的程序和處理器的快取。其代表性產品有 DRAM 和 SRAM。

ROM 在沒有電源的情況下也能長期保存資料，適用於儲存程式碼和使用者資料。代表性產品為 NAND Flash 和 NOR Flash。

從全球視角來看，儲存晶片市場以 DRAM 和 NAND Flash 為核心，二者市場份額合計超過 90%。NOR Flash 在市場上的規模佔比約為 3%，其他類型的儲存產品僅佔據了約 2% 的市場份額。

DRAM即動態隨機存取儲存器，是最為常見的系統記憶體。DRAM 只能將資料保持很短的時間，為了保持資料，DRAM 使用電容儲存，所以必須隔一段時間刷新一次，如果儲存單元沒有被刷新，儲存的資訊就會丟失。

按照產品分類，DRAM 主要分為 DDR、LPDDR、GDDR及新型儲存HBM。

DDR（Double Data Rate）即雙倍速率同步動態隨機存取記憶體，適用於電腦、伺服器和其他高性能計算裝置等領域，目前應用廣泛的是 DDR3、DDR4 和 DDR5。

LPDDR（Low Power Double Data Rate）即低功耗雙倍資料速率記憶體，適合移動裝置和嵌入式系統等需要長時間使用的場景，比如手機、平板電腦，目前應用廣泛的是 LPDDR4、LPDDR5。

GDDR（Graphics Double Data Rate）是在 DDR 的基礎上多了 G（Graphics）前綴，專為需要極高吞吐量的資料密集型應用程式設計的高性能儲存器，主要應用在顯示卡領域。

HBM（High Bandwidth Memory）也屬於 DRAM 的一種。HBM 在頻寬、功耗、封裝體積方面具備明顯優勢，特別適用於高性能計算、圖形處理和資料中心等領域，以滿足對記憶體頻寬和容量的高需求。相比傳統的 GDDR 記憶體，HBM 記憶體具有更高的頻寬和更低的能耗，能夠提供更快的資料傳輸速度和更高的性能。

從市場角度劃分，DRAM 又可分為主流 DRAM 和利基型 DRAM。主流 DRAM 市場的玩家為三星、美光和海力士，而中國大陸的頭部 DRAM 公司也在不斷取得新進展。利基型 DRAM 市場的玩家相對更為分散，除了三星、美光之外，還包含中國大陸的兆易創新、北京君正等公司。

Flash 是常見的用於儲存資料的半導體器件，又稱快閃記憶體，主要分為兩種：NOR Flash 和 NAND Flash。

NAND Flash 儲存器是一種非揮發性儲存技術，相比傳統儲存解決方案，它提供更快的讀寫速度、更高的儲存容量和更好的能源效率。NAND Flash 單元將資料儲存在一個儲存單元中，每個單元能夠儲存多個的資訊。

根據技術類型劃分，不同類型的 NAND Flash，如 SLC、MLC、TLC 和 QLC，根據其資料密度、耐久性和成本效益的不同而有所不同。

SLC NAND Flash 是成本最高但也是最耐用的 NAND Flash 儲存器類型，通常用於需要高性能和資料完整性的企業級應用，如工業自動化、醫療裝置和航空系統。然而，SLC NAND 的儲存密度較低，導致每 GB 的成本比其他類型的 NAND Flash 更高。

MLC NAND Flash 每個儲存單元儲存多個的資訊，通常是兩個位元。這增加儲存密度並降低了與 SLC NAND 相比的成本，適用於消費級 SSD、數位相機和可攜式媒體播放器等產品。

TLC NAND Flash 進一步增加儲存密度，每個儲存單元儲存三位資訊。TLC NAND 的成本甚至低於 MLC NAND，使其成為消費電子產品和主流 SSD 的有吸引力選擇。

QLC NAND Flash 是 NAND Flash 技術的最新進展，提供了最高的儲存密度和成本效益。通常用於入門級消費者固態硬碟和大容量儲存應用中。

根據產品應用劃分，NAND Flash 顆粒廣泛應用於固態硬碟、嵌入式儲存產品（eMMC）、儲存卡（SD 卡）、U 盤中。

固態硬碟（Solid State Disk 或 Solid State Drive，簡稱 SSD），又稱固態驅動器，是一種使用快閃記憶體作為儲存介質的電腦儲存裝置。其核心功能就是儲存資料，具有讀寫速度快、抗震動、能耗低、體積小、噪音小等優點，但也存在價格高、容量限制、壽命短、資料丟失等缺點。根據不同的介面標準，固態硬碟可以分為 SATA、PCIe、U.2 等多種類型，其中 SATA 介面的固態硬碟佔據市場份額最大。

eMMC（嵌入式多媒體卡）是一種嵌入式儲存解決方案，常見於手機、平板電腦等移動裝置。它整合了 NAND Flash 和控製器，提供高速讀寫性能，簡化了系統設計，降低了開發複雜性。

U 盤（USB Flash disk），全稱 USB 快閃記憶體驅動器。它是一種使用 USB 介面的無須物理驅動器的微型高容量移動儲存產品，通過 USB 介面與電腦連接實現即插即用。

全球 NAND Flash 廠商主要有三星電子、鎧俠、SK 海力士、西部資料、美光科技等，行業集中度較高，競爭格局較為穩定。

NOR Flash 以其快速讀取速度、隨機訪問能力、單字節程式設計和高可靠性等特徵，在嵌入式系統、單晶片和需要直接執行程式碼的應用場景中佔據重要地位。然而，與主流的 NAND Flash 相比，NOR Flash 的缺點也比較明顯，包括：容量密度小、寫入速度慢、擦除速度慢、價格高等。

儘管如此，NOR Flash 依舊難以被市場淘汰，因為 NOR Flash 由於其地址線和資料線分開的特性，不必再把程式碼讀到系統 RAM 中，應用程式可以直接在 NOR 上運行，且 NOR Flash 還具備更快的讀取速度、更強的可靠性和更長的使用壽命。

小容量 NOR Flash 主要應用領域包括電腦攝影機及電腦周邊配件，如 USB 外接硬碟、Type-C 介面擴展器等；顯示面板模組、WiFi 模組等領域也有應用。中大容量 NOR Flash 應用領域涵蓋電腦主機板、安防監控、儀表、電子標籤、可穿戴裝置、汽車電子等。

NOR Flash 競爭格局相對集中，華邦、旺宏、兆易創新三家市場份額合計佔比超 90%。

DRAM 產品中，DDR4、DDR5 漲勢明顯，HBM 最為迅猛

根據 TrendForce 資料顯示，2024 年 Q1 DRAM 產業主流產品合約價走揚，帶動營收較前一季度成長 5.1%，達 183.5 億美元，推動多數業者營收延續季增趨勢。隨後在 Q2，整體 DRAM 產業營收達 229 億美元，季增 24.8%。

細分來看，DDR 不同系列的產品在今年上半年均呈現出了明顯的漲價趨勢。

DDR3 方面，因三星、SK 海力士、美光逐漸退出市場，轉向 HBM、DDR5 等新興領域，DDR3 供給減少。同時，AI、網通需求增加及 AI 技術推動終端產品 DDR3 容量升級，自 2023 年下半年起 DDR3 價格上漲，預計 2024 年上半年漲幅約 20%，華邦也計畫在 2024 年第二季度跟進漲價，將 DDR3 價格調升 20%。

DDR4 和 DDR5 為上半年漲價主力。第一季度，DDR4 價格上漲，PC DRAM 中 DDR4 合約價季漲幅約 10%-15%；第二季度漲幅略降至 3%-8%，移動端漲幅較高，達 5%-10%。受 HBM3/3E 產能影響及 AI 伺服器需求推動，為平衡供需，DDR5 產出增加，價格上漲，一季度 SK 海力士提價 15%-20%。PC 及 Server DRAM 中 DDR5 一季度漲幅均約 10%-15%，二季度持續上漲。近日，DRAM 大廠宣佈 2024 年第三季度 DDR5 記憶體價格將再次調漲，預計漲幅超過 15%。

再看 LPDDR 和 GDDR。今年 5 月，供應鏈消息稱，SK 海力士計畫對其 LPDDR5、LPDDR4、NAND 以及 DDR5 等儲存產品進行價格上調，預計漲幅將達到 15%-20%。同時，隨著人工智慧的火爆，HBM（高頻寬儲存器）需求激增，而三星、SK 海力士將部分 DRAM 產線轉換為 HBM 產線，導致 DRAM 供給減少，這也在一定程度上影響了 LPDDR 等產品的價格。據悉，2024 年第一季度，用於顯示卡的視訊記憶體（GDDR）漲價約 13%-18%，尤其是 2GB GDDR6 需求強勁。

NAND Flash 產品中，SSD 連續四季度漲價

根據 TrendForce 集邦諮詢研究，2024 年第一季度 NAND Flash 量價齊揚，營收季增 28.1%，達 147.1 億美元。另外，從 2023 年年底開始，全球半導體儲存產業逐步進入上行周期，NAND Flash 合約價季漲幅上修至約 15%-20%。根據此前市場資料，第二季度 NAND Flash 合約價格將出現顯著上漲，預計漲幅在 13% 至 18% 之間。

在 NAND Flah 的下游產品中，SSD 漲價幅度明顯。據悉由於 AI 需求推動儲存器漲價，SSD 價格連續四個季度上漲。

其中，企業級 SSD 在 2024 年第二季度漲價幅度較高。根據 TrendForce 集邦諮詢的報告，受北美和中國雲端服務行業需求上升，採購量增加的影響，企業級 SSD（Enterprise SSD）合約價按季度增長 20%-25%，漲幅遠高於其他產品。

消費級 SSD（Client SSD）約漲價 10%-15%。2024 年第一季度消費級 SSD 價格已出現大幅上揚，漲幅為 23%-28%，但第二季度由於處於終端銷售淡季，買方備貨策略保守，部分 PC OEM 廠商甚至下調了訂單，導致其漲價幅度相對企業級 SSD 較小。

eMMC/UFS 預計漲價 10% 左右。雖然東南亞、印度智慧型手機市場近期需求明顯增長，尤其是中國品牌提前加大訂單，已建立安全的庫存水平，但整體需求和市場規模相對企業級 SSD 較小，因此漲價幅度較為溫和。2024 年第一季度 eMMC/UFS 的漲幅為 25%-30%，略高於消費級 SSD 和企業級 SSD。

Nor Flash 產品也在今年上半年開始試探性漲價，價格漲幅在 10~15% 之間。中容量 Nor Flash 產品價格漲幅較大，低容量產品雖然之前幾乎未漲價，但最近也開始上漲。目前中等容量 Nor Flash 漲價最顯著。預計未來一年 Nor Flash 產品價格漲幅超 30%。

04 誰，是當前盈利能力最強的產品？

DRAM、NAND Flash 和 NOR Flash 的盈利能力受多種因素影響。一般來說，DRAM 在伺服器和 PC 等市場需求大，技術門檻較高，盈利能力較強。NAND Flash 隨著儲存需求增長也有不錯表現，而 NOR Flash 市場相對較小。但具體情況因市場波動而異。

今年上半年盈利能力最強的儲存產品，無疑為 HBM。HBM 的走紅得益於以下兩點：

第一，隨著人工智慧、巨量資料、雲端運算等領域的快速發展，對高性能儲存的需求大幅增加。特別是 AI 伺服器對晶片記憶體容量和傳輸頻寬的更高要求，促使 HBM 成為 AI GPU 儲存單元的理想方案和關鍵部件，HBM 的需求呈現井噴式增長。

第二，HBM 的技術複雜，生產難度大，產能提升相對較慢，目前主要由三星、SK 海力士、美光等少數幾家大廠壟斷供應，市場供應相對有限。這種供需不平衡的狀況使得 HBM 的價格居高不下，進一步提升了其盈利能力。

在這一背景下，HBM 的價格水漲船高。

據悉，由於 HBM 的銷售單價是傳統型 DRAM 的數倍，與 DDR5 的價差大約為五倍。同時，AI 晶片相關產品的迭代使得 HBM 的單機搭載容量擴大。因此，在 2023 至 2025 年間，HBM 在 DRAM 產能及產值中的佔比大幅上升。在產能方面，2023 年和 2024 年 HBM 佔 DRAM 總產能分別為 2% 和 5%，到 2025 年佔比預計將超過 10%。在產值方面，從 2024 年起，HBM 在 DRAM 總產值中的佔比預估可超過 20%，到 2025 年佔比有機會超過三成。

儲存三巨頭表示，今年的 HBM 供應能力已全部耗盡，明年的產能也已經大部分售罄。

除了 HBM 之外，還有一類產品在今年的儲存市場迅速走紅，即 DDR5。

第一，性能與功耗優勢。DDR5 相較於 DDR4，在性能和功耗上有著顯著提升。例如，DDR5 的頻寬更高，能夠支援更快的資料傳輸速度，滿足現代電腦系統對記憶體性能的更高要求；同時，DDR5 在功耗管理方面也進行了最佳化，降低了功耗，提高了能源效率。這些優勢使得 DDR5 在伺服器、PC 等市場中具有很強的競爭力，可以獲得更高的價格和利潤。

第二，市場需求增長與滲透率提升。隨著 PC 與伺服器領域平台不斷推陳出新，對記憶體的性能要求不斷提高，DDR5 的市場需求持續增長。今年基本上被視為 “DDR5 的大規模採用年”，DDR5 在 PC 和伺服器市場的滲透率不斷提升。

第三，產品升級與價格上漲趨勢。DDR5 製程不斷進步，帶來了性能的提升和成本的最佳化。同時，由於市場需求的增長和供應的相對緊張，DDR5 的價格也呈現出上漲趨勢。從市場情況來看，DDR5 記憶體的價格在過去一段時間內有所上升，這有助於提升相關廠商的盈利能力。並且，隨著 DDR5 技術的不斷成熟和產能的逐步擴大，其成本有望進一步降低，而在市場需求持續旺盛的情況下，價格可能保持相對穩定或繼續上漲，從而為廠商帶來持續的盈利增長。

目前，國記憶體儲廠商參與生產的儲存晶片產業主要分為 DRAM（動態隨機存取儲存器）和 NAND Flash（快閃記憶體儲存器）兩大類產品。今年以來，在人工智慧、高性能計算和資料中心等領域需求的推動下，儲存晶片行業景氣度持續攀升。

上半年，A 股儲存晶片賽道上市公司業績整體實現高增長。根據 Wind 資料，板塊內 25 家上市公司上半年實現歸屬於上市公司股東的淨利潤合計同比增長 146.26%。

具體來看，半年報顯示，全球記憶體介面晶片龍頭瀾起科技今年上半年實現營業收入 16.65 億元，同比增長 79.49%；歸屬於上市公司股東的淨利潤 5.93 億元，同比增長 624.63%。瀾起科技深耕於記憶體介面晶片領域，主要產品包括從 DDR2-DDR5 全系列記憶體介面晶片。

瀾起科技表示，2024 年上半年，一方面，行業需求實現恢復性增長，DDR5（新一代動態隨機存取儲存器）下游滲透率提升且 DDR5 子代迭代持續推進，帶動公司記憶體介面及模組配套晶片銷售收入同比大幅增長；另一方面，公司部分 AI 高性能 “運力” 晶片新產品開始規模出貨，為公司貢獻新的業績增長點。

儲存模組龍頭江波龍上半年實現營業收入 90.39 億元，同比增長 143.82%；歸屬於上市公司股東的淨利潤 5.94 億元，同比增長 199.64%。江波龍的產品線涵蓋了嵌入式儲存、固態硬碟（SSD）、移動儲存及記憶體條四大系列。

儲存器龍頭佰維儲存在上半年的營業收入、歸母淨利潤較上年同期以近 2 倍的速度增長。該公司實現營業收入 34.41 億元，與上年同期相比增加 22.92 億元，同比增長 199.64%。公司實現歸母淨利潤為 2.83 億元，同比增長 195.58%。佰維儲存已擁有嵌入式儲存（UFS、eMMC、LPDDR、eMCP、BGASSD 等）、固態硬碟（SATA/PCIe）、記憶體模組（SO-DIMM、U-DIMM、R-DIMM）、儲存卡（SD 卡、CF 卡、CFast 卡、CFexpress 卡、NM 卡）等豐富產品梯隊，產品線包含 NAND、DRAM 儲存器的各個主要類別。

佰維儲存稱，資料的持續增長將驅動儲存產業規模不斷提升，國產化率的提高將驅動國產儲存產業鏈的迅速發展，AI 技術革命將大大提升對高端儲存器的需求，以上三個要素為國記憶體儲產業帶來了巨大的發展機遇。

快閃記憶體模組企業德明利上半年實現營業收入21.76億元，同比增長268.50%；歸屬於上市公司股東的淨利潤3.88億元，同比增長588.12%。德明利的儲存產品包括移動儲存、固態硬碟、嵌入式儲存、記憶體條等

兆易創新上半年業績也實現回暖，上半年實現營業收入36.09億元，同比增長21.69%；淨利潤為5.17億元，同比增長53.88%。在儲存器方面，兆易創新產品分為三個部分，分別是NOR Flash、SLC Nand Flash和DRAM。

隨著人工智慧、巨量資料、雲端運算等新興技術的不斷髮展，儲存晶片的需求將持續增長。在這個過程中，DRAM、NAND Flash 和 NOR Flash 等儲存產品將繼續發揮重要作用，而 HBM 和 DDR5 等高性能儲存產品也將迎來更廣闊的發展空間。同時，國產儲存公司也將面臨更多的機遇和挑戰，需要不斷加強技術創新和產品升級，提高自身的競爭力，以在全球儲存市場中佔據一席之地。 (半導體產業縱橫)

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