在2026世界製造業大會上，長鑫科技宣佈第五代技術平台正式量產。該平台工藝水平比肩行業頂尖量產工藝節點，是長鑫存儲在高端記憶體技術路線上的里程碑式突破。

據介紹，長鑫科技將記憶體陣列有源區半間距做到11.95奈米，記憶體器電容深寬比達45:1，核心動能區高度降至6762奈米。

同時，第五代工藝平台記憶體密度大幅提升。同等條件下，每張晶圓產出較上一代平台提升50%以上。基於該平台打造的24GB LPDDR5X產品已進入正式量產，並全面進入國產主流旗艦手機。

根據長鑫存儲官網資訊，其LPDDR5X產品線覆蓋顆粒、晶片及模組等多種形態。顆粒方面提供12Gb和16Gb兩種容量；晶片方案涵蓋12GB、16GB、24GB等規格；模組形態的LPCAMM產品則提供16GB和32GB容量。

速率方面，該系列同時支援8533Mbps、9600Mbps和10667Mbps三檔，並相容LPDDR5標準，為使用者提供靈活的升級路徑。

先看產品規格，有兩款基於G5平台打造的LPDDR5X量產產品，單顆容量均為24Gb，較上一代同類型產品提升50%，分別採用496Ball、245Ball封裝規格，均已進入規模量產階段。

雖然還不是最新的LPDDR6，但這應該不是技術做不到，而是市場選擇，LPDDR5X的需求量整體遠高於LPDDR6，後者現在主要是少數幾款旗艦機在用。

再看長鑫公佈的技術水平，依託創新的四重曝光技術把記憶體陣列的有源區半間距微縮至11.95奈米，接近全球最頂尖的記憶體量產平台製程。

通過變革工藝流程、採用新材料，記憶體電容深寬比達45:1；開發適配DRAM工藝的高介電常數金屬柵（HKMG）工藝，成功將G5平台核心功能區高度縮小到6762奈米。

這裡主要關注幾個關鍵指標就行了——半間距、四重曝光、深寬比、HKMG等，其中最主要的特徵就是這個半間距，它就像是大家常聽到的CPU工藝3nm、2nm一樣，是記憶體工藝斷代的標準之一。

11.95nm意味著在11nm到12nm之間，這個水平差不多是目前的1c工藝，大家都知道進入20nm節點之下，記憶體工藝也不提具體數字，都是10nm級，從19nm到目前的12nm差不多發展了五六代工藝，1c是三星、SK海力士、美光去年底到今年量產的主力。

所以長鑫的G5工藝已經邁入了1c水平，但他們還是比較謙虛地表示接近全球最頂尖的記憶體量產平台製程，沒說超越，畢竟跟12nm更接近一些。

G5是怎麼做到的，這裡面就是長鑫提到的幾個其他指標了——四重曝光、HKMG、深寬比，要知道三星在14nm節點之後的記憶體工藝上轉向EUV工藝了，國內顯然沒這個機會，但靠著DUV光刻機的四重曝光也做到了12nm以內，再配合HKMG材料、深寬比蝕刻機等做到了G5量產。

總之，G5在技術上已經跨過了1c工藝的大門，不是摸到門檻那麼簡單，但考慮到每家記憶體公司的技術實現方式不同，長鑫還是稍微謙虛了一下說接近頂尖水平，而不是達到或者超越頂尖水平。

靠四重曝光技術做到1c水平的最大擔憂是什麼？是成本高，產能低，最終產品沒有競爭力，但長鑫也公佈了明確的資料——G5每片晶圓產出裸片數量較第四代平台提升至少50%，在產品能效、成本控制上均具備顯著優勢。

這就意味著G5不僅比之前的G4產能提升了50%以上，成本還有顯著優勢，雖然這個不知道他們是怎麼做到的，但官方敢這麼說，必然是有底氣的。

長鑫這個公告最有價值的地方就在這裡了，三星、SK海力士及美光不會擔心長鑫的技術追趕，因為只要沒有EUV光刻機，他們就會覺得能甩開國產記憶體數代差距（還包括CPU、GPU、快閃記憶體等其他晶片），但是長鑫現在明確了四重曝光量產的晶片一樣有成本及產能效率。

長鑫是目前所有記憶體晶片原廠中擴產最積極的，先不說是晶圓產能未來兩三年會翻倍、三倍增長到60-100萬晶圓/月，光是G5的產出效率提升50%就是極強的競爭力了。

一句話來說，長鑫的G5產能爆發之後，記憶體漲價的好日子就不會多了。

說到長鑫如今的成就，群聯電子執行長潘健成近日在電視節目中直言，長江存儲當年幾乎沒有人相信能做出成果，如今市佔率已從接近0%升至約14%。主持人追問有沒有機會再往前挑戰，他留下四個字：“等著看吧。”

潘健成的判斷有市場資料支撐。據Counterpoint Research發佈的2026年第二季度報告，長江存儲NAND快閃記憶體出貨量份額達到14%，首次躍居全球第三，僅次於三星的25%和SK海力士的22%，小幅超越鎧俠和美光。

群聯與長江存儲的合作可追溯至2016年。潘健成回憶，那時長江存儲的前身還叫武漢新芯，幾乎沒有人相信中國團隊能把3D NAND做起來，但群聯看到技術路線潛力，投入工程資源共同開發。從32層驗證到如今267層量產，這段歷程本身就是中國大陸半導體追趕速度的縮影。

潘健成分析，長江存儲作為較晚進入NAND市場的業者，反而沒有沉重的舊技術包袱，選擇了不同的架構與晶圓堆疊路線。在其他業者擴產相對謹慎的背景下，長江存儲若持續開出新產能，市佔率自然有進一步提高的機會。

DRAM方向的進展同樣在加速。據Counterpoint資料，長鑫存儲2026年第二季度全球DRAM營收份額已提升至10%，同比增加4個百分點，穩居全球第四，正逐步縮小與三星、SK海力士和美光的差距。

更值得關注的是全球品牌供應鏈的態度變化。據報導，蘋果已在測試長鑫存儲的DRAM晶片，計畫用於在中國市場銷售的iPhone和Mac。庫克此前將記憶體晶片供應鏈壓力形容為“百年一遇的洪水”，蘋果已連續三個財季承受記憶體成本攀升。

潘健成也點出中國廠商的另一層優勢：龐大本土市場提供了研發、驗證與量產的支撐。2022年至2024年記憶體產業低潮期，全球業者裁員減產，中國廠商在政策與資金支援下仍持續前進。

美國出口管制原意是限制裝置獲取，卻也在客觀上加速了中國本土裝置與供應鏈的建設。

另外在華為全聯接大會2026上，華為也分享了節省記憶體所做的努力。

華為計算首席戰略官朱照生表示，最近半年，記憶體資源稀缺程度超出預期，Agent爆發恰好疊加記憶體上升周期。

借助鯤鵬提升記憶體使用效率，僅需兩步，且無需修改應用程式碼：

一是精準識別冷熱資料。鯤鵬處理器識別冷熱資料的精準率超過99%，較其他處理器高10個百分點，同時算力開銷低10%。

二是對識別出的冷熱資料進行快速壓縮和換出。鯤鵬所需算力開銷不到5%，而業界超過20%。

在同等記憶體容量下，鯤鵬可使沙箱場景記憶體超分比提升30%，資料庫檢索性能提升15%，巨量資料場景記憶體需求量降至原來的75%。

在某知名股份制銀行的巨量資料實踐中，應用鯤鵬記憶體多元感知技術後，在相同業務負載下，每台伺服器所需記憶體配置從原計畫的512GB降至384GB。

大家也都知道記憶體價格這一年都在瘋漲，瑞銀日前發佈的消息顯示2027年記憶體成本將佔到AI支出的64%，這背後就是持續不斷的記憶體漲價所致，然而現在有PC巨頭站出來反擊這種不斷漲價的勢頭了。

這就是宏碁電腦董事長陳俊聖，關注過他的網友應該記得他也不是第一次如此表態了，對持續不斷的漲價早就不滿，畢竟PC和手機廠商都是記憶體漲價的直接受害者之一，還是受影響最大的那一批，遭受AI市場的池魚之殃。

陳俊聖對記憶體廠商還在不斷釋放缺貨、價格要漲到明年底的說法表示了反對，認為這些廠商之所以這麼公開渲染缺貨危機，是因為反壟斷法讓他們不能私下串謀操縱價格，只能通過這種公開訊號互相喊話，懂的都懂。

對於他判斷記憶體不缺貨的底氣，陳俊聖提到中國廠商（應該指的是長鑫等公司）產能一直在（釋放）出來，怎麼可能一直缺下去，現在已經完全沒有缺貨問題。

陳俊聖提到記憶體合約價現在是高位震盪，價格漲漲跌跌混亂，有人報高有人報低。

不過陳俊聖這番公開表態也不只是針對記憶體，還包括了CPU——眾所周知，最近也有多家CPU廠商在喊缺貨，什麼產能只能滿足50%需求，這個表態跟記憶體市場三巨頭的說法如出一轍。

但陳俊聖表示CPU目前也不缺貨，只有部分微軟低價權利金專案機種，如Small Core規格的CPU缺貨，其他規格已經不缺了。

陳俊聖的這番表態再結合今天長鑫發佈的G5記憶體量產、產能提升50%的消息來看，記憶體價格達峰的時間可能比預期的還要快，華爾街多家金融機構預測是明年達峰，搞不好今年底就是高點了。

三星等公司喊話2030年之後的十年都會缺貨，顯然是不可能的，至於他們持續表態記憶體要缺貨漲價十幾年的說法，確實是懂的都懂。

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中國記憶體里程碑式突破！長鑫不聲不響甩出一張王牌