01. 前沿導讀據美國科技媒體Tom‘s HardWare報導稱，中國正在建設EUV光刻系統的原型機，預計2030左右製造原型晶片。該裝置有前ASML員工的參與，不過目前尚不清楚中國裝置的進展細節。ASML曾經在一份聲明中寫道，有企業想要複製我們的技術是合情合理的，但想要做到這一點絕非易事。中國的產業技術正在加速發展，但目前只是進入到了原型機的環節，距離中國企業採用國產EUV裝置量產晶片仍需要至少10年時間。參考資料：China may have reverse engineered EUV lithography tool in covert lab, report claimshttps://www.tomshardware.com/tech-industry/semiconductors/china-may-have-reverse-engineered-euv-lithography-tool-in-covert-lab-report-claims-employees-given-fake-ids-to-avoid-secret-project-being-detected-prototypes-expected-in-2028#xenforo-comments-389061402. 國產EUV據技術報告指出，中國的原型機採用了與ASML NXT裝置相同的雷射誘導電漿體技術（LPP），具備產生極紫外雷射的能力，但並未實現通過該技術製造晶片的目標。雷射發射器需要與反射鏡組、工作台、真空室相結合，涉及到大量的精密光學系統，這都是中國企業需要解決的問題。德國蔡司為ASML的EUV光刻機提供了整套光學成像裝置，其中包括了塗覆多層鉬矽堆疊的超精密集光鏡系統、用於均勻化光束的多鏡片照明光學元件、用於實現4倍至8倍縮小成像且波前誤差低於奈米級的投影光學元件。ASML聯合美國西盟公司，解決了光源以及雷射發射器的問題。發射器將極紫外光發射出去，然後極紫外光經過蔡司的一整套成像裝置之後，便可以將掩範本上的圖案印刷到晶圓上面。從裝置技術上來說，光源發射器是EUV光刻的第一步，只是解決了光源的問題，想要將光源應用到晶片製造，必須要有類似於蔡司的這一套光學成像裝置。如果沒有成像裝置，那麼只是掌握了最基礎的光源，無法正常驅動光刻機。EUV裝置包含了超10萬個零部件，覆蓋了全球超5000家供應商，並且還需要成百上千的專業工程師對其進行偵錯維護。光刻機產業代表了整個生態系統，需要進行全產業鏈的協同發展。前ASML研究部研究員林楠，曾經在2021年回國加入了上海光機所，僅用了18個月的時間，便申請了8項與EUV相關的技術專利。2025年10月，林楠離開上海光機所，來到北京航空航天大學擔任積體電路科學與工程學院教授。國際媒體對此分析稱，林楠更多的是運用自己的經驗和知識，幫助中國團隊在光刻機領域提升基礎技術。他並沒有複製自己在ASML的技術方法，而是通過經驗幫助中國團隊重新開發技術並申請專利，在自主智慧財產權上面提前進行佈局。03. 技術追趕根據ASML官方資料顯示，ASML第一台可以製造晶片的EUV光刻機發佈於2006年，支援28nm線寬和間距的晶片製造，交付給了美國奧爾巴尼的奈米科學與工程學院和比利時魯汶的微電子中心。該裝置屬於演示裝置，可以製造晶片，但無法大規模量產。2010年，ASML新一代的NXE：3100光刻系統進行交付。2013年，可量產的EUV光刻機NXE：3300開始交付。2017年，可以大規模製造7nm、5nm晶片的NXE：3400B開始量產交付。從可驗證的原型裝置到完全大規模商用的EUV光刻機，ASML經過了11年的時間。這11年裡面主要就是解決兩個問題，列印電晶體線寬的精度、規模化量產的能力，這兩點同時也是中國自主裝置需要解決的問題。成像系統、儲存系統、晶圓台、光罩載台等裝置對於光刻機的運行和良品率的高低有直接關係，這些技術裝置均需要特定企業單獨進行研發，從而在最後階段拼裝成一個完全的裝置投入使用。並且光刻機的製造對於環境條件要求也很高，根據ASML的官方資料顯示，ASML的光刻機潔淨室遵循ISO 1標準，每立方米空氣中僅允許10個直徑僅為十分之一微米的顆粒，且不允許任何大於該尺寸的顆粒存在。在晶片製造中，一粒微小的灰塵都可以造成災難性的經濟損失。如果有灰塵落在晶片的圖案上，那麼光線穿過之後會反射到矽片上面，從而出現斑點。一旦有灰塵斑點，那麼整塊晶圓將會直接廢棄。先進的EUV光刻機屬於工業裝置，工業裝置需要運行起來製造產品，從而創造商業化的經濟價值。如果裝置無法進入到商業化領域，那麼其只能留存在實驗室裡面當做驗證技術的原型裝置，這完全有悖於裝置的實用價值。目前來看，進展順利的情況下2030年實現的願景將會是原型機的初步產品製造，距離大規模的商業化進展還需要多年的裝置最佳化。 (逍遙漠)