根據韓媒近日報導，韓國晶片巨擘SK海力士準備打破美國對華極紫外（EUV）光刻機出口相關限制，對其中國半導體工廠進行技術提升改造。這被外界解讀為，隨著半導體市場的復甦以及中國高性能半導體製造能力提升，一些韓國晶片企業準備採取一切可以使用的方法來提高在華工廠製造製程水準。 韓國《首爾經濟》的報告引述韓國業內人士的話稱，SK海力士計劃今年將其中國無錫工廠的部分動態隨機存取記憶體（DRAM）生產設備提升至第四代10奈米製程。對於「無錫工廠將技術升級」的消息，SK海力士方面表示「無法確認工廠的具體運作計畫」。 無錫工廠是SK海力士的核心生產基地，產量約佔其DRAM總產量的40%。目前，無錫工廠正在生產兩款較舊的10奈米DRAM。報告認為，SK海力士對無錫工廠進行技術升級並不容易，因為美國為阻止中國半導體產業崛起，從2019年開始單方面限制製造尖端半導體必需的EUV光刻機出口中國。 報告稱，隨著全球半導體市場進入復甦，SK海力士認為高性能晶片產能擴張已經刻不容緩，需要10奈米級第四代DRAM或更高版本產品來維持其市場份額。SK海力士總裁郭魯正出席CES展會時表示：“我們自去年以來就地緣政治問題組建了內部工作小組，相信企業風險由此得到很大程度的緩解。”