據外媒報導,在中國廠商長鑫儲存在 IC China 正式發佈最新 DDR5 和 LPDDR5X 產品後, 韓國媒體Business Korea 援引專家觀點分析認為,儲存晶片領域,中國與韓國的差距正在拉平之中。Business Korea 報導稱:長鑫儲存的 DDR5 最高速率達 8,000Mbps、最高顆粒容量 24Gb,性能可媲美三星和 SK 海力士最新 DRAM。今年稍早時,市場曾出現由中國企業生產的少量 DDR5 產品,但這次是長鑫儲存作為代表,首度正式展示實際產品。韓國半導體產業人士指出,長鑫儲存展示 DRAM 性能值得關注,其 DDR5 最大速度 8,000 Mbps,比上一代產品(6,400 Mbps)提升 25%,在技術路線上至少已追上韓國 DRAM 公司。長鑫儲存的性能足以應用於搭載最先進 CPU 的伺服器。Business Korea 還引述日經及研調機構 Counterpoint Research 的資料稱,長鑫儲存第三季 DRAM 市佔率達 8%,排名第四。在 NAND 部分,另一家中國廠商長江儲存第三季市佔率為 13%。長鑫儲存 DRAM 月產能為 27 萬片,約三星(64 萬片)和 SK 海力士(51 萬片)的 42–53%。外界預期,長鑫儲存全面量產 DDR5 與 LPDDR5X 有望降低儲存器熱潮的強度,但也將衝擊韓國公司在中國的銷售。Business Korea 報導指出:以去年為例,韓國兩間公司在中國的總銷售額為 87 兆 3,000 億韓圜(1億韓元大約為50萬人民幣,即接近4300億元人民幣),約佔兩家公司合計總銷售額的 23.7%。由於美國封鎖 EUV 等關鍵裝置出口中國,中國廠商技術發展有所受限,但與韓國在通用 DRAM 市場的技術差距約不到一年。長鑫儲存內部人士表示,新產品將成為替代方案,降低對海外公司的依賴。Business Korea 認為,隨著 2030 年迎來 3D DRAM 時代,競爭關係可能又會出現變數。3D DRAM 是將儲存晶片單元向上堆迭的產品,當 3D DRAM 時代來臨時,對 EUV 曝光裝置的需求將下降,這可能成為中國廠商超車的機會。韓國中國經濟與金融研究院院長 Jeon Byeong-seo 認為,如果五年後能商業化不需 EUV 的製程技術,目前的技術差距可能瞬間縮小。首爾大學材料科學與工程系 Hwang Cheol-seong 教授也表示,單看儲存晶片技術水平,韓國與中國的差距幾乎已經消失。當不需要 EUV 曝光裝置的 3D DRAM 時代在五年後到來時,中國將進一步崛起。 (芯聞眼)