3D NAND 快閃記憶體不斷變得更加複雜。3D NAND快閃記憶體的堆疊層數從2013年的24層（堆疊字線數量）開始，到9年後的2022年增加了約10倍，達到236層。2023年，廠商宣布開發出321層3D NAND快閃記憶體（以下簡稱3D NAND快閃記憶體）。 「多層化」增加了層疊字線（單元電晶體的閘極線）的數量，是提高3D NAND快閃記憶體儲存密度（單位面積的儲存容量）的最重要技術。這是因為，如果將字線層數加倍，根據簡單計算，儲存密度也會加倍。 最大的3D NAND快閃記憶體製造商三星電子（以下簡稱三星）預測，在不久的將來，堆疊字線的數量將超過1,000層，他們也正在進行技術開發，目標是實現1,000層。其中一部分是在2023年12月9日至13日在美國舉行的國際學術會議「IEDM 2023」上公佈的。 目前的3D NAND快閃記憶體技術世代（最先進的一代）正處於第8代（「第8代V-NAND」或三星稱之為「V8」）到第9代（「V9」）的風口浪尖。第8代（V8）最多有236層，原型晶片已在2022年2月的國際會議ISSCC上公佈。同年11月7日，三星正式宣布開始量產採用V8技術及TLC技術（3bit/cell技術）結合的儲存容量為1Tbit的3D NAND快閃記憶體。