復合年均增長率 ≈ 6.95%富士經濟重磅預測🔥 2035年功率半導體市場翻倍破7兆、氧化鎵量產倒計時近日，富士經濟於2026年4月發佈了全球功率半導體市場預測報告。報告預測，隨著新一代功率半導體全面投入使用，該市場將從2030年左右開始顯著擴張。到2035年，市場規模預計將達到73495億日元，較2025年增長95.7%。在下一代功率半導體方面，碳化矽（SiC）功率模組市場預計將增長至18749億日元，增長5.3倍；氮化鎵（GaN）功率半導體市場預計將增長至3169億日元，增長5.4倍。1、全球功率半導體市場概覽預計到2035年，全球功率半導體市場規模將達到73495億日元。其中，矽（Si）功率半導體市場規模將達到48418億日元，下一代功率半導體市場規模將達到25077億日元。2025年，功率半導體市場規模為37550億日元，其中矽功率半導體市場規模為32182億日元，下一代功率半導體市場規模為5368億日元。這表明，未來十年，下一代功率半導體市場將迎來顯著增長。據富士經濟預測，2025年矽功率半導體市場將因電子裝置製造商的庫存調整以及消費電子產品和資訊通訊裝置需求的增長而增長。另一方面，歐洲、美國和日本的功率半導體製造商則受到電動汽車市場停滯不前的顯著影響。全球功率半導體市場，來源：富士經濟2、預計：碳化矽價格競爭將加劇（價格戰）在下一代功率半導體領域，碳化矽（SiC）功率模組的市場規模預計將從2025年的3506億日元增長到2035年的1.8749兆日元。電動汽車牽引逆變器對SiC功率模組的需求旺盛，預計其在電動汽車中的應用將持續增長。到2035年，預計約70%的電動汽車將配備基於SiC的牽引逆變器。在鐵路和能源領域，SiC功率模組在大容量儲能系統（ESS）和太陽能發電系統功率調節器中的應用也將顯著擴大。另一方面，來自中國製造商的新進入者數量不斷增加，預計將加劇價格競爭。3、氮化鎵倒計時：汽車和伺服器領域迅速發展預計到 2025 年，GaN 功率半導體市場規模將達到 585 億日元，到 2035 年將增長至 3169 億日元。未來，GaN 的應用預計將在車載充電器、雷射雷達、伺服器機架電源以及人形機器人和無人機等領域得到更廣泛的應用。氧化鎵市場形成開始2025 年氧化鎵功率半導體市場規模很小，但預計到 2035 年將增長至 149 億日元。氧化鎵功率半導體主要分為兩類：一類用於肖特基勢壘二極體（SBD），即高速整流二極體；另一類用於場效應電晶體（FET），即高速開關電晶體。在日本，FLOSFIA公司於2025年12月完成了其4英吋氧化鎵晶圓製造技術的演示。該公司還宣佈，使用原型SBD驗證了產品可靠性的提升。富士經濟預測，用於白色家電和伺服器機架電源的600V小梁網二極體（SBD）將於2027年左右開始量產，屆時市場將迎來爆發式增長。儘管由於碳化矽（SiC）功率半導體成本的下降，氧化鎵功率半導體的成本優勢正在減弱，但富士經濟預計，一旦開始量產，鑑於氧化鎵功率半導體具有耐高壓等優勢，其應用將會更加廣泛。預計到2030年左右，FET將開始大規模生產，主要面向工業和能源領域，這些領域的需求量將大於SBD。FET的應用將首先應用於大型太陽能發電廠的電源調節器和兆瓦級充電器，未來有望擴展到汽車和電子領域。4、全球功率半導體製造裝置/元件市場受功率半導體市場整體低迷的影響，晶圓、光刻膠、焊料、封裝材料和鍵合材料等功率半導體元件市場增速放緩。矽晶圓需求同比略有增長，中國市場對前端材料的需求依然強勁，但歐美市場需求有所下降。後端材料需求疲軟，尤其是在汽車和電子應用領域。預計從2026年起，在功率半導體需求復甦的推動下，市場將開始擴張。市場規模預計到2025年將達到5967億日元，2029年將達到1兆日元，2035年將達到1.806兆日元。全球功率半導體製造裝置市場預計將從2025年的6735億日元增長至2035年的1.3627兆日元，翻一番。2025年，由於電動汽車市場低迷導致汽車相關資本投資減少，以及對2024年之前過度投資的反彈，該市場出現顯著萎縮。預計從2026年開始，此前被推遲的資本投資將恢復，從而帶動市場復甦，尤其是在前端工藝裝置方面。預計到2035年，8英吋碳化矽功率半導體生產線裝置的投資增加，以及汽車/電子行業檢測測試裝置和晶片外觀檢測裝置的廣泛應用，將推動市場擴張。（來源：eetjp）(芯榜)