#氮化鎵
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英諾賽科穩居第一，英飛凌升至第二！

近期，市場研究機構Yole Group發佈了年度報告《Power GaN 2026》，對功率氮化鎵（GaN）半導體產業的市場、生態、供應鏈和技術進行了全面分析。 2031年功率GaN市場將達35億美元，電信與基礎設施領域增速最快 報告指出，過去數年功率GaN主要在消費級快充充電器領域完成技術驗證，但這一階段即將落幕。GaN正在進入更廣泛的多市場應用周期，AI資料中心、電動汽車、工業系統和可再生能源均成為重要需求驅動力。 Yole預計，2025年至2031年，全球功率GaN器件市場將以約35%的年複合增長率（CAGR）持續擴張，到2031年達到約35億美元。作為參照，2025年全球功率GaN器件市場規模約為5.88億美元，同比增長約63%，顯示市場已經進入明顯的加速增長階段。
英諾賽科穩居第一，英飛凌升至第二！
美股#英諾賽科#英飛凌#功率氮化鎵
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手機充電，為什麼越來越快？

早晨起床時，手機剩餘電量不多。插上充電器，洗漱換衣的工夫，電量已近滿格。以前睡前充一宿，現在醒後充一會，充電習慣的改變，得益於快充技術的普及。 電池材料有了新變化？ 看似只是換個充電器，但充電提速後，挑戰隨之而來。“就像在能量轉換效率、散熱、電池壽命、安全性和充電器體積等約束條件間‘走鋼絲’、找平衡。”OPPO公司電池研發負責人田晨說。 “消費者有要求：緩解電量焦慮，快充和大容量電池全都要。但對我們來講，這兩者不易兼顧。”榮耀公司電池專家盧青雲介紹，鋰電池多以石墨為負極材料，增加電池容量，就得加厚電極，導致鋰離子的傳輸路徑變長、充電速度變慢。
手機充電，為什麼越來越快？
科技#電池材料#氮化鎵#快充技術
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JP摩根內部研報：跟著電走，短期看矽，中期看氮化鎵，長期看碳化矽，深度解讀功率半導體

這兩天摩根有一篇閉門的投資報告哈，我給大家拆一下，費好大勁搞到的。 上周我拆了陳立武那篇半導體訪談，很多人應該還有印象。他當時講了一個很反常識的判斷：AI未來真正的瓶頸，不是演算法，而是電、記憶體、材料這些物理世界的東西。 結果這兩天，摩根也發了一篇內部研報，標題就叫： Following the Power. 跟著電走。
JP摩根內部研報：跟著電走，短期看矽，中期看氮化鎵，長期看碳化矽，深度解讀功率半導體
科技#摩根電通#矽#氮化鎵
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AI晶片下一站：氮化鎵、碳化矽、磷化銦、玻璃基、金剛石——五大硬核材料全解析

自2025年3月陳立武執掌英特爾CEO以來，縱橫捭闔，引入美國政府、黃仁勳、馬斯克、軟銀孫正義，股價14個月翻了6倍，是美國政府親兒子，定位為美國產業界的代工基礎設施，僅這個身份，就讓它未來遠比台積電要穩。 面對摩爾定律逼近物理極限，陳立武提出：半導體投資就是投瓶頸。未來，先進封裝與材料創新將成為推動晶片技術發展的核心引擎。他親自點名了決定AI未來生死的五大關鍵材料。 1、氮化鎵GaN 2、碳化矽SiC
科技#AI晶片#氮化鎵#碳化矽
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金剛石散熱，有新進展的8家公司

近日，美國麻省理工學院研究團隊給氮化鎵晶片嵌入一層超薄單晶金剛石，突破了高功率無線晶片散熱瓶頸，並製備出性能創紀錄的無線功率放大器。 這一新突破意味著金剛石材料或許是晶片散熱新的“版本答案”。 與此同時，英特爾表示其投資了一家人造金剛石晶圓公司，看好鑽石作為散熱材料在晶片封裝領域的應用潛力。 此外，中信建設研報也表示，高熱流密度下傳統銅基散熱材料已達極限，而金剛石正從傳統磨料、培育鑽石延展至半導體、大功率器件導熱等功能性材料。
金剛石散熱，有新進展的8家公司
美股#氮化鎵晶片#金剛石#英特爾
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一邊龍頭倒下一邊多點落地，第三代半導體走到那一步？

第三代半導體其實是一個更靠材料學分類的術語，按照禁頻寬度這個理化指標定義的。但在真實商戰語境裡，大家聊的還是那兩員老將：碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）。它們目前主導了幾乎整個寬禁帶半導體的江湖。 01 碳化矽，龍頭隕落 全球碳化矽龍頭的隕落來得猝不及防，卻又早有徵兆。 Wolfspeed在2024財年資本支出高達21億美元，但全年營收僅為8.07億美元，巨額投入與營收產出嚴重失衡。其新建的8英吋晶圓廠與材料基地產能遲遲無法釋放，長期產能利用率不足20%，高額的裝置折舊、廠房維運成本持續吞噬利潤，最終徹底擊穿企業現金流。2025年6月，深陷財務泥潭的Wolfspeed正式申請美國Chapter 11破產保護，開啟債務重組自救處理程序。
一邊龍頭倒下一邊多點落地，第三代半導體走到那一步？
科技#半導體#碳化硅#氮化鎵
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ITC終裁結果出爐！英飛凌：我贏了！英諾賽科：我也贏了！

2026年5月8日，英飛凌發佈聲明稱，美國國際貿易委員會（ITC）全體委員會近日的最終裁決維持了其於2025年12月作出的初步裁定，確認英諾賽科（Innoscience）侵犯了英飛凌的一項氮化鎵（GaN）技術專利，並下令對英諾賽科實施進口和銷售禁令。ITC委員會的最終裁決及其頒布的相關禁令仍需經過為期60天的美國總統審查期後生效。 英飛凌表示，該裁決是又一項積極的結果，進一步彰顯了英飛凌在氮化鎵技術領域所作貢獻的價值。在德國進行的相關訴訟中，英飛凌正在慕尼黑第一地方法院（Landgericht München I）就三項專利和一項實用新型專利的侵權問題提起訴訟。早在2024年8月，慕尼黑法院就已裁定英諾賽科侵犯了英飛凌指控的首項專利。另一項專利和一項實用新型專利的庭審將於2026年6月舉行。 對此，英諾賽科發佈公告回應稱，美國ITC在第 337‑TA‑1414 號調查中作出最終裁定，確認英諾賽科當前的氮化鎵（“GaN”）功率器件產品未侵犯英飛凌的相關專利，並可不受限制地繼續在美國進口和銷售。 ITC 全體委員一致同意英諾賽科現有產品未侵犯英飛凌美國第 9,070,755 號專利（涉及電極設計）和第 9,899,481 號專利（涉及封裝設計）。
ITC終裁結果出爐！英飛凌：我贏了！英諾賽科：我也贏了！
國際#英飛凌#英諾賽科#氮化鎵
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全球功率半導體，爆漲！氮化鎵要來了！

復合年均增長率 ≈ 6.95%富士經濟重磅預測🔥 2035年功率半導體市場翻倍破7兆、氧化鎵量產倒計時近日，富士經濟於2026年4月發佈了全球功率半導體市場預測報告。報告預測，隨著新一代功率半導體全面投入使用，該市場將從2030年左右開始顯著擴張。到2035年，市場規模預計將達到73495億日元，較2025年增長95.7%。在下一代功率半導體方面，碳化矽（SiC）功率模組市場預計將增長至18749億日元，增長5.3倍；氮化鎵（GaN）功率半導體市場預計將增長至3169億日元，增長5.4倍。1、全球功率半導體市場概覽預計到2035年，全球功率半導體市場規模將達到73495億日元。其中，矽（Si）功率半導體市場規模將達到48418億日元，下一代功率半導體市場規模將達到25077億日元。2025年，功率半導體市場規模為37550億日元，其中矽功率半導體市場規模為32182億日元，下一代功率半導體市場規模為5368億日元。這表明，未來十年，下一代功率半導體市場將迎來顯著增長。據富士經濟預測，2025年矽功率半導體市場將因電子裝置製造商的庫存調整以及消費電子產品和資訊通訊裝置需求的增長而增長。另一方面，歐洲、美國和日本的功率半導體製造商則受到電動汽車市場停滯不前的顯著影響。全球功率半導體市場，來源：富士經濟2、預計：碳化矽價格競爭將加劇（價格戰）在下一代功率半導體領域，碳化矽（SiC）功率模組的市場規模預計將從2025年的3506億日元增長到2035年的1.8749兆日元。電動汽車牽引逆變器對SiC功率模組的需求旺盛，預計其在電動汽車中的應用將持續增長。到2035年，預計約70%的電動汽車將配備基於SiC的牽引逆變器。在鐵路和能源領域，SiC功率模組在大容量儲能系統（ESS）和太陽能發電系統功率調節器中的應用也將顯著擴大。另一方面，來自中國製造商的新進入者數量不斷增加，預計將加劇價格競爭。3、氮化鎵倒計時：汽車和伺服器領域迅速發展預計到 2025 年，GaN 功率半導體市場規模將達到 585 億日元，到 2035 年將增長至 3169 億日元。未來，GaN 的應用預計將在車載充電器、雷射雷達、伺服器機架電源以及人形機器人和無人機等領域得到更廣泛的應用。氧化鎵市場形成開始2025 年氧化鎵功率半導體市場規模很小，但預計到 2035 年將增長至 149 億日元。氧化鎵功率半導體主要分為兩類：一類用於肖特基勢壘二極體（SBD），即高速整流二極體；另一類用於場效應電晶體（FET），即高速開關電晶體。在日本，FLOSFIA公司於2025年12月完成了其4英吋氧化鎵晶圓製造技術的演示。該公司還宣佈，使用原型SBD驗證了產品可靠性的提升。富士經濟預測，用於白色家電和伺服器機架電源的600V小梁網二極體（SBD）將於2027年左右開始量產，屆時市場將迎來爆發式增長。儘管由於碳化矽（SiC）功率半導體成本的下降，氧化鎵功率半導體的成本優勢正在減弱，但富士經濟預計，一旦開始量產，鑑於氧化鎵功率半導體具有耐高壓等優勢，其應用將會更加廣泛。預計到2030年左右，FET將開始大規模生產，主要面向工業和能源領域，這些領域的需求量將大於SBD。FET的應用將首先應用於大型太陽能發電廠的電源調節器和兆瓦級充電器，未來有望擴展到汽車和電子領域。4、全球功率半導體製造裝置/元件市場受功率半導體市場整體低迷的影響，晶圓、光刻膠、焊料、封裝材料和鍵合材料等功率半導體元件市場增速放緩。矽晶圓需求同比略有增長，中國市場對前端材料的需求依然強勁，但歐美市場需求有所下降。後端材料需求疲軟，尤其是在汽車和電子應用領域。預計從2026年起，在功率半導體需求復甦的推動下，市場將開始擴張。市場規模預計到2025年將達到5967億日元，2029年將達到1兆日元，2035年將達到1.806兆日元。全球功率半導體製造裝置市場預計將從2025年的6735億日元增長至2035年的1.3627兆日元，翻一番。2025年，由於電動汽車市場低迷導致汽車相關資本投資減少，以及對2024年之前過度投資的反彈，該市場出現顯著萎縮。預計從2026年開始，此前被推遲的資本投資將恢復，從而帶動市場復甦，尤其是在前端工藝裝置方面。預計到2035年，8英吋碳化矽功率半導體生產線裝置的投資增加，以及汽車/電子行業檢測測試裝置和晶片外觀檢測裝置的廣泛應用，將推動市場擴張。（來源：eetjp）(芯榜)
全球功率半導體，爆漲！氮化鎵要來了！
科技#功率半導體#氮化鎵#市場概覽