01. 前沿導讀ASML前CEO彼得·溫寧克，現任CEO克里斯托弗·富凱曾多次批評美國政府對中國市場的出口管制，並且表示美國的對華制裁完全是基於意識形態所發動的限制，沒有任何事實依據可以證明中國發展晶片產業會影響美國的國家安全。與其對中國實施制裁，不如將目光放在本土技術的發展上面，試圖阻止中國根本沒有意義，中國必然會集中力量創造可替代的技術方案。02. 深入市場自從美國對中國市場封鎖了EUV光刻機之後，從西方媒體到中國媒體，討論熱度最高的問題就是“中國落後幾代晶片製程？”、“國產EUV什麼時候突破封鎖？”、“中國的晶片產業與國外有多少年差距？”從客觀角度出發，中國的晶片製造業距離國際水平還有明顯差距，尤其是在前端的光刻機上面。我們的光刻機產業起步時間並不短，但是在發展的過程中遲遲沒有注重自主化和商業化，過於信任全球化的產業體系，導致在關鍵時期被美國卡脖子。儘管EUV光刻機被譽為人類工業領域最精密的儀器之一，可以製造7nm及以下工藝的先進晶片，但是在全球晶片製造業每年製造的1億片12英吋晶圓當中，EUV製造的晶片只有1%的總量佔比，更多產品則是依賴於DUV光刻機製造的傳統成熟晶片。成熟晶片是一切產業運轉的基石，先進晶片的研發也是建立在成熟晶片的技術基礎之上。美國前幾年重點在先進晶片領域對中國企業圍追堵截，儘管中國製造出了7nm晶片，但中國企業因此付出了巨大的經濟代價。為了平衡在先進晶片領域投入的巨量資源，中國企業開始在成熟晶片領域擴充產能，銷售成熟晶片所帶來的經濟效益，可以直接補貼到先進晶片的研發當中，同時讓兩種晶片技術平行發展。先進裝置的研發並不能一蹴而就，ASML為瞭解決EUV光刻機的問題，也是經過幾十年的驗證才成功的。據中國半導體行業協會副理事長葉甜春表示，中國晶片產業在材料領域實現了較為明顯的國產化發展。12英吋45nm—28nm工藝所用材料的品種覆蓋率已超過70%，先進儲存工藝所用材料品種覆蓋率超過75%，300mm大矽片也已經實現了對國內FAB工廠主要工藝的全覆蓋。在前端的光刻膠材料領域，早期的i線光刻膠市場佔比已經超過了20%，ArF乾式光刻膠開始批次應用，繼續推動成熟晶片的國產化替代。在193nm的KrF光刻膠產業中，已經實現了10%的市場佔有率，部分涉及到浸潤式技術的先進材料開始小批次供應，整個產業鏈穩步推進當中。03. 技術追趕儘管美國在對華制裁上面已經將封鎖擴大到了單個裝置，但是想要通過科技戰的方法壓制中國技術發展，這從根本上來說對於中美兩國的企業都沒有好處，反而還會迫使中國企業開發自主裝置，摒棄進口產品。在全產業的製造裝置上面，刻蝕機、沉積裝置、清洗機均已經具備國產化替代的能力，而最前端的光刻機裝置依然是制約中國晶片發展的核心難題。先進光刻機並不是研發幾年就能立馬獲得成果，ASML能成功，最大因素就是具備全球頂尖法供應鏈體系。光是雷射系統，就涉及到雷射器、錫液滴發生器、收集鏡三大工業技術。這三大技術被美國的Cymer公司所攻克，ASML在後來收購了這家公司，在美國技術的基礎上開發裝置，這也為美國長臂管轄提供了有利條件。而中國自主的EUV裝置，已經佈局了幾十年，並且取得了顯著的技術成果，但距離將自主技術應用到商業化領域，還有很長的路要走。據中國科學院長春光機所發佈的資料顯示：中國各大單位自上世紀90年代開始涉足EUV成像技術，2002年，長春光機所實現了國內第一套EUV光刻原理裝置的研發，將整個技術邏輯實現了貫通。2008年，國家將EUV光刻技術列入重要攻關任務。2017年，國家科技重大專項組在長春光機所進行了EUV光刻技術的項目驗收，在光源系統層面實現了技術突破。參考資料：中國科學院長春光學精密機械與物理研究所http://ciomp.cas.cn/yw/201707/t20170704_7929594.html該技術的突破，集合了中科院旗下多個研究所、哈爾濱工業大學、華中科技大學等多所高校的力量才得以實現。但這只是在光源系統的技術突破，除此之外還需要有對準系統、高速晶圓台、高精度反射鏡組、真空室等多個模組單元。每個模組都需要單獨進行開發，在所有的模組環節開發完成之後，就需要將其拼裝成一個完全體的光刻機裝置。在裝置拼裝完成之後，就進入到實驗階段。實驗階段需要反覆對產品進行偵錯，只有達到合格標準之後，才能被出售給相關企業製造晶片。除此之外，國產裝置還會面臨著跟其他裝置的相容度、跟製造材料的相容度、內部耗材的更替周期等多個問題，這些問題與晶片的製造效率息息相關，需要長時間的技術磨合。如果說之前的中國晶片是慢步跟隨，那麼現在的中國晶片就是悶頭狂奔。一切以自主技術的突破為導向，在有限的時間內去解決遇到的問題，搶佔晶片科技制高點。就算暫時拿不下制高點，也得想辦法讓中國晶片被卡脖子的風險降到最低。 (逍遙漠)