北京大學科研團隊在國際上首創出一種全新的晶體製備方法，讓材料如“頂著上方結構往上走”的“頂竹筍”一般生長，可保證每層晶體結構的快速生長和均一排布，極大提高了晶體結構的可控性。這種“長材料”的新方法有望提升晶片的整合度和算力，為新一代電子和光子積體電路提供新的材料。這一突破性成果於7月5日線上發表於《科學》雜誌。 圖為用“晶格傳質-介面生長”新方法製備晶圓級二維晶體。 實驗證明，這種“長材料”的獨特方法可使晶體層架構速度達到每分鐘50層，層數最高達1.5萬層，且每層的原子排布完全平行、精確可控，有效避免了缺陷積累，提高了結構可控性。利用此新方法，團隊現已製備出硫化鉬、硒化鉬、硫化鎢等7種高品質的二維晶體，這些晶體的單層厚度僅為0.7納米，而目前使用的硅材料多為5到10納米。將這些二維晶體用作積體電路中電晶體的材料時，可顯著提高晶片整合度。在指甲蓋大小的晶片上，電晶體密度可得到大幅提升，從而實現更強大的計算能力。 圖為基於二維晶體的電子和光子積體電路。

晶片賽道，突傳兩大利多。 7月6日，據新華社，北京大學科研團隊在國際上首創出一種全新的晶體製備方法，讓材料如“頂著上方結構往上走”的“頂竹筍”一般生長，可保證每層晶體結構的快速生長和均一排布，極大提高了晶體結構的可控性。這種“長材料”的新方法有望提升晶片的整合度和算力，為新一代電子和光子積體電路提供新的材料。 另一則利多來自於資本市場層面，上海證券交易所7月5日召開“科創板八條”積體電路公司專題培訓，近50家積體電路公司的80餘名董事長、總經理等“關鍵少數”參會。培訓結束後，上交所與5家積體電路龍頭公司董事長、總經理召開專題座談會，將“更大力度支援併購重組”的舉措落到實處。 與會公司代表認為，科創板積體電路產業公司佔A股同行業公司家數超六成，“科創板八條”的出台，不僅明確了科創板未來的發展方向，對於積體電路產業的發展也有重要意義。“科創板八條”出台以來，已有部分積體電路行業公司積極行動，開展產業併購整合。